氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比,具有更高的擊穿電場(chǎng)、更低的導(dǎo)通電阻和更高的能量轉(zhuǎn)換效率。它能夠在高頻高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,尤其適合功率器件、射頻器件和快充設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用。 根據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè),全球氮化鎵市場(chǎng)將在未來(lái)幾年迎來(lái)高速增長(zhǎng),預(yù)計(jì)到2027年市場(chǎng)規(guī)模將突破10億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率保持在30%以上。其廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景包括消費(fèi)電子、5G通信、新能源汽車(chē)和數(shù)據(jù)中心等,這使得氮化鎵成為未來(lái)