半導(dǎo)體行業(yè)裝配線上的EOS最佳實(shí)踐

2023/04/25

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EOS備注：

? 一般EOS定義：“由應(yīng)用于半導(dǎo)體元件的電氣條件超過(guò)限值而導(dǎo)致的損壞”。

? 破壞性水平取決于在一定時(shí)間內(nèi)施加的能量量。

? EOS的損壞本身不是根本原因！

? EOS的損壞可能是連續(xù)故障機(jī)制的結(jié)果。

? 極端的損壞可能掩蓋了根本原因的證據(jù)。

? 任何設(shè)備在某個(gè)時(shí)候都可能受到損壞。

? 不可行的是能夠承受所有EOS威脅的設(shè)備（由于成本和物理限制/最大額定值）。

? 要確定根本原因，需要盡可能了解設(shè)備失敗的條件。

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器件型號(hào)	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價(jià)格	更多信息
RG1676-4	1	Electrocube Inc	RC Network, Bussed, 10W, 220ohm, 600V, 0.47uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED		暫無(wú)數(shù)據(jù)	查看
2061-602/998-404	1	WAGO Innovative Connections	Barrier Strip Terminal Block, 17.5A, 1.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s),		$1.31	查看
CRCW0603100RFKEAHP	1	Vishay Intertechnologies	Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 100ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$0.16	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。