650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性,650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨特特性結(jié)合在一起。CoolSiC™ M2 MOSFET基于先進的溝槽半導體工藝,經(jīng)過優(yōu)化可提供最低應(yīng)用損耗和最高運行可靠性,適用于在高溫和惡劣環(huán)境中運行,能夠以最高的系統(tǒng)效率實現(xiàn)簡化和有效的部署。