高壓 CoolGaNTM GIT HEMT 的可靠性和鑒定
[摘要]

憑借英飛凌在電力電子領(lǐng)域的專業(yè)知識和眾多寬禁帶 (WBG) 相關(guān) IP 產(chǎn)品系列,高壓 (> 600 V) CoolGaN ™ 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 代表著一項重大工程進步。這些非常耐用、可靠的器件大大改善了即將實現(xiàn)的功率轉(zhuǎn)換開關(guān)器件的品質(zhì)因數(shù) (FoM)。這些器件系統(tǒng)性能出色——實現(xiàn)了更高水平的效率及行業(yè)領(lǐng)先的功率密度,還降低了整體系統(tǒng)成本。

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所屬分類:白皮書
Infineon公司介紹

 

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。

英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構(gòu)。

 

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