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又一存儲(chǔ)大廠閃存層數(shù)迎來新突破！近期外媒報(bào)道，在今年2月即將召開的國際固態(tài)電路峰會(huì)ISSCC上，三星電子將推出下一代 V9 QLC NAND解決方案，閃存層數(shù)將達(dá)到280層。
三星280層NAND來了，層數(shù)之戰(zhàn)尚未結(jié)束
據(jù)悉，三星V9 QLC存儲(chǔ)密度每平方毫米達(dá)到28.5Gb，最大傳輸率可達(dá)3.2 Gbps，比目前最好的QLC產(chǎn)品（2.4 Gbps）高出了一截，甚至可以滿足未來PCIe 6.0方案的需求。
同時(shí)，業(yè)界認(rèn)為，三星V9 QLC也將是迄今為止閃存密度最高的解決方案。
在三星之前，包括美光、SK海力士等在內(nèi)的存儲(chǔ)大廠閃存層數(shù)均已突破200層，其中美光達(dá)到232層，存儲(chǔ)密度為每平方毫米19.5Gb，SK海力士達(dá)到238層，存儲(chǔ)密度每平方毫米為14.4Gb。
當(dāng)然，280層并不是存儲(chǔ)大廠層數(shù)較量的終點(diǎn)，未來將有更高層數(shù)的突破。
2023年8月，SK海力士對(duì)外展示全球最高層321層NAND閃存樣品，一躍成為業(yè)界首家正在開發(fā)300層以上NAND閃存的公司，計(jì)劃于2025年量產(chǎn)。據(jù)悉，SK海力士321層1Tb TLC NAND的效率比上一代238層512Gb提高了59%。這是由于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的單元可以以更多的單片數(shù)量堆棧至更高，在相同芯片上實(shí)現(xiàn)更大存儲(chǔ)容量，進(jìn)而增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量。
其他廠商方面，美光計(jì)劃232層之后推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品。三星雄心壯志計(jì)劃2030年V-NAND可以疊加到1000多層。鎧俠和西部數(shù)據(jù)在162層之后，2023年對(duì)外展示了218層技術(shù)，之后也將研發(fā)300層以上的3D NAND產(chǎn)品。
存儲(chǔ)器市況反彈，NAND Flash價(jià)格走勢(shì)如何？
受經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、消費(fèi)電子市場(chǎng)需求低迷影響，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)迎來了較為漫長的調(diào)整時(shí)期。直到2023年第四季度存儲(chǔ)器市況迎來反彈，相關(guān)存儲(chǔ)大廠業(yè)績(jī)也實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)格自2022年第三季開始連續(xù)四個(gè)季度下跌，直到2023年第三季開始起漲。在面對(duì)2024年市場(chǎng)需求展望仍保守的前提下，NAND Flash價(jià)格走勢(shì)取決于供應(yīng)商產(chǎn)能利用率情況。
集邦咨詢認(rèn)為第一季NAND Flash合約價(jià)將上漲18~23%，第二季合約價(jià)季漲幅將收斂至3~8%。第三季進(jìn)入傳統(tǒng)旺季，合約價(jià)季漲幅有機(jī)會(huì)同步擴(kuò)大至8~13%。第四季在供應(yīng)商能夠維持有效的控產(chǎn)策略的前提下，漲勢(shì)應(yīng)能延續(xù)，NAND Flash合約價(jià)季漲幅預(yù)估0~5%。
下載ECAD模型
