針對403震后各半導(dǎo)體廠動態(tài)更新,由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級的區(qū)域,加上臺灣地區(qū)的半導(dǎo)體工廠多以高規(guī)格興建,內(nèi)部的減震措施都是世界頂尖水平,多半可以減震1至2級。以本次的震度來看,幾乎都是停機檢查后,迅速復(fù)工進行,縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管,導(dǎo)致在線晶圓破片或是毀損報廢,但由于目前成熟制程廠區(qū)產(chǎn)能利用率平均皆在50~80%,故損失大多可以在復(fù)工后迅速將產(chǎn)能補齊,產(chǎn)能損耗算是影響輕微。
DRAM方面,以位于新北的南亞科(Nanya)Fab3A,以及美光(Micron)林口廠受地震影響較大,南亞科該廠區(qū)主責20/30nm制程的產(chǎn)品,最新制程1Bnm正在開發(fā)中;美光林口廠與臺中廠為DRAM重要生產(chǎn)基地,內(nèi)部系統(tǒng)已將二個廠區(qū)合而為一,目前已有最新1beta nm制程的投片,后續(xù)也將有HBM在臺灣地區(qū)生產(chǎn),仍需數(shù)日時間完全恢復(fù)運作,其余廠區(qū)多半在停機檢查后陸續(xù)復(fù)工。力積電(PSMC)、華邦電 (Winbond)等均無恙。
晶圓代工方面,臺積電(TSMC)包含F(xiàn)ab2/3/5/8等多座六英寸及八英寸廠、研發(fā)總部Fab12,以及最新的Fab20寶山工廠均位在震度4級的新竹。其中,僅Fab12因水管破裂造成部分機臺進水,主要影響在尚未量產(chǎn)的2nm制程,因此評估短期營運不受影響,但可能因機臺受潮需要新購機臺,造成資本支出小幅度增加。其余廠區(qū)在停機檢查后已陸續(xù)復(fù)工,暫無重大災(zāi)損,而其余廠區(qū)個別有人員疏散或執(zhí)行停機檢查,現(xiàn)均已陸續(xù)恢復(fù)運作。
目前產(chǎn)能利用率較高的臺積電5/4/3nm先進制程廠區(qū),未進行人員疏散,停機檢查已在震后6~8小時恢復(fù)90%以上運作,影響仍在可控范圍。CoWoS廠區(qū)方面,目前主要運作廠區(qū)龍?zhí)禔P3及竹南AP6,事發(fā)當下立即進行人員疏散,停機檢查后發(fā)現(xiàn)廠務(wù)冰水主機有水損問題,但廠務(wù)系統(tǒng)多有備援設(shè)施,評估不影響運作,已陸續(xù)復(fù)工。
此外,聯(lián)電(UMC)一座六英寸廠及六座八英寸廠均位在新竹,另有一座十二英寸廠位在臺南,以90~22nm量產(chǎn)為主;力積電(PSMC)包含十二英寸DRAM與八英寸、十二英寸Foundry皆位在新竹苗栗一帶,其中DRAM以25/21nm制程利基型產(chǎn)品為主;世界先進(Vanguard)共三座八英寸廠位于新竹,一座八英寸廠位于桃園。上述廠區(qū)多半在人員疏散、短暫停機檢查后陸續(xù)恢復(fù)運作。