150
基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商N(yùn)experia而言是一項戰(zhàn)略性舉措，旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。
Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實(shí)現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列二極管可用于表面貼裝（DPAK R2P和D2PAK R2P）或通孔式（TO-220-2、TO-247-2）器件?，F(xiàn)已可提供工程樣品，并計劃于2022年第二季度發(fā)布完整產(chǎn)品。Nexperia計劃持續(xù)擴(kuò)充SiC二極管產(chǎn)品組合，預(yù)計推出總共72款在650V和1200V電壓、6-20A電流范圍下工作的產(chǎn)品。
隨著人們的能源意識日漸增強(qiáng)，對于具備出色效率和功率密度的高功率應(yīng)用的需求日益旺盛。而在這方面，硅將很快達(dá)到物理極限。Nexperia雙極性分立器件部門總經(jīng)理Mark Roeloffzen表示：“諸如氮化鎵和碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體現(xiàn)在能夠很好地滿足大批量應(yīng)用的嚴(yán)格要求，為原始設(shè)備制造商帶來更高的效率和功率密度，降低系統(tǒng)成本和運(yùn)營成本。Nexperia廣泛的SiC二極管產(chǎn)品組合將為市場帶來更多選擇和便利性。”
Nexperia的SiC肖特基二極管的初始目標(biāo)市場是工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用，包括：
- AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器
- 電池充電基礎(chǔ)設(shè)施
Nexperia還計劃發(fā)布車規(guī)級器件，用于車輛電氣化應(yīng)用，如：
- 車載充電器(OBC)
- 逆變器
- 高電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器
SiC肖特基二極管產(chǎn)品組合首推PSC1065H (-J/-K/-L)，該產(chǎn)品由Nexperia開發(fā)。
