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介紹
本應(yīng)用說明是在ST25R3916B/17B/19B/20B(以下簡稱ST25R3916B系列)器件中使用有源整形(AWS)的指南。它向用戶提供了解釋，以及如何使用隨著環(huán)境條件的變化而影響波形的寄存器。
本文檔中的示例和說明均以ST25R3916B器件為例進(jìn)行說明，所用的技術(shù)和工具可用于該系列的其他產(chǎn)品。
1? 描述
ST25R3916B是ST25R3916器件的改進(jìn)版本，它保留了其前身的大部分功能。因此，ST25R3916B器件上電后，新的有源整形功能不會(huì)自動(dòng)啟用。重點(diǎn)是在新引入的功能允許的范圍內(nèi)保持ST25R3916的行為。ST25R3916的現(xiàn)有程序和軟件可以重復(fù)使用，幾乎沒有警告:
- 必須特別注意Tx驅(qū)動(dòng)程序寄存器0x28h。詳細(xì):
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- d_res(以位為單位的驅(qū)動(dòng)范圍)被擴(kuò)展到任何以前的ST25R3916設(shè)置，并且不能逐個(gè)應(yīng)用。
- 在同一寄存器中的調(diào)制指數(shù)從0增加到82%。
- 與ST25R3916一起使用的am_mod設(shè)置不會(huì)產(chǎn)生相同的調(diào)制索引ST25R3916B。
- 寄存器IO配置中的act_amsink寄存器2只能在不使用AWS且VDD_AM連接2.2 uF電容時(shí)設(shè)置為1
要使用ST25R3916B特定的有源波形(AWS)功能，必須在輔助調(diào)制設(shè)置以及相應(yīng)的AWS寄存器中啟用邏輯。此外，外部VDD_AM電容器必須選擇在10-50 nF范圍內(nèi)，其中通常在ST演示板上組裝22nF。電容值取決于負(fù)載和驅(qū)動(dòng)器的電流消耗，需要逐個(gè)評(píng)估。然而，當(dāng)應(yīng)用中預(yù)期有強(qiáng)負(fù)載/電流時(shí)，傾向于選擇更高的VDD_AM電容器值。
注意:與ST25R3916的建議相反，使用AWS時(shí)不要在VDD_AM引腳上插入2.2 uF電容器。
下載ECAD模型
