在能源電子產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的背景下,全球光伏裝機(jī)量持續(xù)攀升,為碳化硅帶來(lái)可觀的市場(chǎng)增量。Yole研報(bào)預(yù)計(jì),應(yīng)用于光伏發(fā)電及儲(chǔ)能的碳化硅市場(chǎng)規(guī)模將在2025年達(dá)到3.14億美元,2019—2025年復(fù)合增長(zhǎng)率為17%。同時(shí),光伏組件功率密度的持續(xù)提升,也對(duì)碳化硅器件性能提出了更高的要求。要抓住光伏帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)遇,碳化硅廠商還需要在產(chǎn)品綜合性能、制備良率、供應(yīng)鏈協(xié)作等多個(gè)維度發(fā)力。
碳化硅高度契合光伏逆變器演進(jìn)方向
光伏逆變器將光伏面板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電以用于電網(wǎng),是太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心部件。光伏逆變器的轉(zhuǎn)化效率,直接影響整個(gè)光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率。
寬禁帶半導(dǎo)體的長(zhǎng)處正是更高的能源轉(zhuǎn)化效率,其性能優(yōu)勢(shì)與光伏逆變器的迭代需求有著較高的契合度。華為發(fā)布的智能光伏十大趨勢(shì)顯示,光伏電站向大功率、高可靠性發(fā)展已成為趨勢(shì)。以光伏逆變器為例,直流電壓已經(jīng)由1100V提升到1500V。通過(guò)碳化硅、氮化鎵等新材料的應(yīng)用,以及將數(shù)字技術(shù)與電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)等充分結(jié)合,預(yù)計(jì)未來(lái)5年逆變器的功率密度將再提升50%。
基本半導(dǎo)體工業(yè)業(yè)務(wù)部總監(jiān)楊同禮向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示,隨著太陽(yáng)能電池板的尺寸和功率密度逐步增加,傳統(tǒng)的硅基器件已不能滿足光伏逆變器MPPT(最大功率點(diǎn)跟蹤)電路在效率和發(fā)熱方面的需求,各方面性能更優(yōu)越的碳化硅功率器件上場(chǎng)應(yīng)用成為必然趨勢(shì)?!跋鄬?duì)硅器件而言,碳化硅功率器件能為光伏逆變器帶來(lái)更高的轉(zhuǎn)換效率、更低的能量損耗,從而有效縮小系統(tǒng)體積、增加功率密度、延長(zhǎng)器件使用壽命、降低生產(chǎn)成本。”
安森美應(yīng)用市場(chǎng)工程師賈鵬也向《中國(guó)電子報(bào)》表示,基于碳化硅的光伏逆變系統(tǒng)能夠在效率、體積和重量上做得更好。寬禁帶材料的優(yōu)異特性允許基于其制造的半導(dǎo)體器件在高頻高溫高壓下工作,高頻意味著更小的電感體積和高頻條件下仍能接受的損耗,高溫意味著更好的散熱能力和更加緊湊的系統(tǒng)布局,高壓則代表著更高的母線電壓,將更大的傳輸功率或更小的由傳輸電流帶來(lái)的線路損耗變?yōu)榭赡堋?/p>
對(duì)標(biāo)光伏需求提升多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)
面向光伏逆變器功率更大、效率更高、體積更小、成本更低,以及組串式逆變器配置靈活、易于安裝的發(fā)展方向,碳化硅供應(yīng)商從多個(gè)技術(shù)指標(biāo)入手,持續(xù)提升器件性能。
提升光伏逆變器的最大直流母線電壓,將提升光伏變電站的成本效益,這對(duì)碳化硅功率器件的電壓等級(jí)提出了更高的要求。在1100 V的直流系統(tǒng)中,功率級(jí)別一般在8kW—150kW之間,100kW的低功率和中功率系統(tǒng)通常使用1200V和650V開(kāi)關(guān)。當(dāng)光伏逆變器從1100V做到1500V,功率器件的工作電壓也隨之提升。例如安森美的EliteSiC系列(包括碳化硅MOSFET、碳化硅二極管),耐壓范圍為650V-1700V,可以覆蓋目前的1100V和1500V的光伏逆變器系統(tǒng)。其中1700V SiC MOSFET對(duì)應(yīng)1500V直流母線的光伏逆變器產(chǎn)品。
而更高的功率密度,是光伏逆變器主要的升級(jí)方向,也考驗(yàn)著碳化硅器件的綜合性能。比如基本半導(dǎo)體的第二代碳化硅MOSFET在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗以及成本上進(jìn)行了改善,以進(jìn)一步提升客戶端光伏逆變器的功率密度。在碳化硅功率模塊方面,基本半導(dǎo)體推進(jìn)工業(yè)級(jí)碳化硅二極管模塊、MOSFET模塊以及混合模塊的開(kāi)發(fā),以滿足百千瓦級(jí)別以上更高功率的光伏逆變器的應(yīng)用需求。安徽芯塔電子也在新一代SiC MOSFET提升了器件的功率密度和效率,對(duì)比前一代產(chǎn)品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒電容、更高的抗干擾能力,以更好地滿足光伏儲(chǔ)能對(duì)提升性價(jià)比、改善器件動(dòng)態(tài)特性以及降低開(kāi)關(guān)損耗的需求。
縮小體積以降低成本也是光伏逆變器的演進(jìn)趨勢(shì),尤其體現(xiàn)在微型逆變器和組串式逆變器上,碳化硅器件也需要做得更加緊湊并解決由此帶來(lái)的散熱問(wèn)題。安森美推出了首款TOLL封裝650V SiC MOSFET,適配小尺寸高功率密度的產(chǎn)品,TOLL封裝的尺寸僅為9.9mm×11.68mm,比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30%,同時(shí)具有更好的散熱和寄生電感。
此外,組串式逆變器模塊化、靈活可配置的特點(diǎn),也需要碳化硅廠商提供更加靈活便捷的解決方案。英飛凌面向組串式逆變器的需求,推出了由950V IGBT7和1200V碳化硅二極管構(gòu)成的MPPT模塊,采用了PressFIT壓接技術(shù)以降低安裝難度,并基于Easy模塊技術(shù),讓客戶可以在不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、電壓等級(jí)、封裝和技術(shù)之間進(jìn)行選擇。
抓住市場(chǎng)增量考驗(yàn)廠商綜合能力
要抓住光伏帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)遇,碳化硅廠商需要在產(chǎn)品綜合性能、制備良率、供應(yīng)鏈協(xié)作等多個(gè)維度發(fā)力。
“由于光伏逆變器所處的戶外環(huán)境比較惡劣,以及運(yùn)行周期長(zhǎng)等原因,行業(yè)對(duì)碳化硅功率器件的可靠性等綜合性能的要求更加嚴(yán)苛,加之光伏行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈,客戶不斷追求性價(jià)比,非??简?yàn)碳化硅企業(yè)的綜合競(jìng)爭(zhēng)力?!睏钔Y說(shuō)。
賈鵬也向記者指出,碳化硅是世界上第三硬的復(fù)合材料,且非常易碎,因此要注重碳化硅制備過(guò)程中的良率和質(zhì)量。
“隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟和降本,大部分光伏逆變器中的超結(jié)MOSFET和IGBT會(huì)被替代,這對(duì)于整條碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的市場(chǎng)。然而,在擴(kuò)大量產(chǎn)能力的同時(shí)保持良率和質(zhì)量對(duì)于任何一家半導(dǎo)體公司都是一種挑戰(zhàn),因此半導(dǎo)體企業(yè)會(huì)持續(xù)投資建廠或與龍頭客戶簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。如安森美等提供從晶圓到方案的碳化硅供應(yīng)商,除了做好生產(chǎn)供應(yīng)之外,還需要和客戶一起研究實(shí)際應(yīng)用中碰到的問(wèn)題,比如碳化硅替代后的散熱方案以及高頻工作帶來(lái)的其它干擾等等?!辟Z鵬說(shuō)。
同樣值得注意的是,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)能還未大規(guī)模釋放,在布局光伏的過(guò)程中,要注重與本地產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)作,利用好貼近市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)。
安徽芯塔電子科技有限公司市場(chǎng)經(jīng)理周駿峰向《中國(guó)電子報(bào)》表示,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈都在積極擴(kuò)產(chǎn),但產(chǎn)能等方面與國(guó)際巨頭尚有差距。國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)要依靠國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的合作與深度協(xié)同,才能更好地與國(guó)際巨頭競(jìng)爭(zhēng)。例如,芯塔電子的SiC MOSFET產(chǎn)品未來(lái)會(huì)朝著15V驅(qū)動(dòng)迭代,因?yàn)閲?guó)內(nèi)驅(qū)動(dòng)芯片廠商大多供應(yīng)15V的驅(qū)動(dòng)芯片,配套容易,使客戶可以充分利用 SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)。
“基于對(duì)客戶終端應(yīng)用的深刻理解,提前挖掘終端應(yīng)用藍(lán)海市場(chǎng),精準(zhǔn)定義新產(chǎn)品,率先開(kāi)發(fā)出有特色的功率器件和模塊,才能確保早期藍(lán)海市場(chǎng)的紅利。”周駿峰說(shuō)。