IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor (簡稱 IGBT) 是一種新型功率半導體器件，常用于電力變換和控制領域。它具有 MOSFET 的輸入阻抗和 BJT 的低飽和壓降，并結合了二者的優(yōu)點。IGBT 的結構可以將輸入電容降至最小，并通過使用 PN 結調(diào)制來實現(xiàn)零漏電流。

1.IGBT是什么電子元件

IGBT 是一種三端功率開關，通常包含一個控制端、一個集電極和一個源極。該器件通常用于需要高電壓和高電流開關的應用中，例如家庭用電器、電機驅(qū)動器、電動汽車驅(qū)動等領域。

2.IGBT引腳圖

IGBT 引腳圖如下所示：

3.IGBT工作原理

IGBT 的工作原理類似于普通的 NPN 三極管。當正向偏置控制極時，控制區(qū)將產(chǎn)生一對電子-空穴對。由于集電區(qū)的低電阻，電子和空穴在集電區(qū)相遇并再生形成一個快速變化的電流脈沖。這個脈沖的大小取決于控制極電壓的大小。因此，正向偏置控制極可以用來控制 IGBT 的放電。

4.IGBT的作用

IGBT 主要用于大功率元件的開關控制。由于 IGBT 自身帶有較高的電阻，因此需要乘以一個功率外部 MOSFET 來降低導通損耗。IGBT 可以用于交流或直流應用，并能夠承受高達數(shù)千伏特的電壓和數(shù)百安培的電流。