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當(dāng)前，隨著5G、人工智能（AI）、車聯(lián)網(wǎng)以及云計(jì)算等新一代信息技術(shù)的快速迭代，海量數(shù)據(jù)增生，驅(qū)動(dòng)著數(shù)據(jù)存儲市場井噴式增長。盡管半導(dǎo)體存儲器行業(yè)整體仍處下行周期，但高算力等部分需求的上漲，正刺激著存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展，并吸引各大廠商下場布局。
今年以來，國內(nèi)存儲企業(yè)融資事件頻繁發(fā)生，與此同時(shí)，多個(gè)存儲項(xiàng)目正陸續(xù)上馬。存儲器市場看似平靜的水面之下，其實(shí)暗流涌動(dòng)，存儲芯片賽道國內(nèi)廠商仍在奔跑。
1、存儲項(xiàng)目多點(diǎn)開花
據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，截止發(fā)稿前，共有15個(gè)存儲項(xiàng)目迎來簽約、開工、投產(chǎn)等新進(jìn)展。
圖表：全球半導(dǎo)體觀察根據(jù)公開信息整理
其中，簽約的項(xiàng)目包括湖北長江萬潤存儲器項(xiàng)目、特納飛存儲基地項(xiàng)目、至訊創(chuàng)新（二期）項(xiàng)目、致真存儲芯片項(xiàng)目、頂米科技Memory存儲器產(chǎn)品封測及研究院項(xiàng)目、深圳佰維存儲第二總部及測試設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目、領(lǐng)存技術(shù)集成電路封裝生產(chǎn)測試項(xiàng)目等。
開工的項(xiàng)目包括三星半導(dǎo)體存儲芯片項(xiàng)目、湖南長沙同有科技存儲系統(tǒng)及SSD研發(fā)智能制造基地項(xiàng)目等；投產(chǎn)的項(xiàng)目包括四川中兆永燁半導(dǎo)體一期項(xiàng)目、常淳科技半導(dǎo)體總部未來工廠項(xiàng)目。
從已披露的投資金額上看，最高的是芯恒源存儲芯片切割研磨封測項(xiàng)目，金額約55億元。其次分別是，深圳佰維存儲第二總部及測試設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目，金額為30.2億元；致真存儲芯片項(xiàng)目，金額為28.5億元。
芯恒源存儲芯片切割研磨封測項(xiàng)目
據(jù)青島膠東臨空經(jīng)濟(jì)示范區(qū)消息，4月13日，芯恒源存儲芯片切割研磨封測項(xiàng)目達(dá)到全面正負(fù)零，項(xiàng)目預(yù)計(jì)12月投產(chǎn)。芯恒源存儲芯片切割研磨封測項(xiàng)目一期占地50畝，將建設(shè)晶圓切割、研磨及存儲芯片封測生產(chǎn)線，規(guī)劃打造北方首個(gè)芯片切割、研磨的公共服務(wù)平臺。
去年10月，芯恒源存儲芯片切割研磨封測項(xiàng)目簽約青島膠州。當(dāng)時(shí)消息顯示，芯恒光存儲芯片切割研磨及封測項(xiàng)目規(guī)劃用地面積50畝，總建筑面積約6.5萬平方米。芯恒源存儲芯片切割研磨封測項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)一條晶圓研磨、切割生產(chǎn)線，研磨切割8-12寸晶圓50萬片/年；建設(shè)一條存儲類芯片封測生產(chǎn)線，生產(chǎn)固態(tài)硬盤及芯片，封裝、測試存儲芯片1億顆/年。
深圳佰維存儲第二總部及測試設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目
6月27日，深圳佰維存儲第二總部及測試設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目簽約。該項(xiàng)目將擴(kuò)大先進(jìn)存儲芯片研發(fā)設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)規(guī)模，并注冊成立聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體芯片測試設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的測試設(shè)備公司。
該項(xiàng)目在對成都佰維存儲科技有限公司進(jìn)行增資的同時(shí)，成立佰維集團(tuán)在成都高新區(qū)的獨(dú)立法人公司“佰維集團(tuán)成都測試設(shè)備公司”（成都態(tài)坦測試科技有限公司）。
新成立公司將作為佰維集團(tuán)測試設(shè)備業(yè)務(wù)的總部，業(yè)務(wù)聚焦存儲芯片、邏輯芯片等先進(jìn)半導(dǎo)體芯片測試設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并將成都高新區(qū)作為測試設(shè)備業(yè)務(wù)主要的研發(fā)生產(chǎn)基地。
致真存儲芯片項(xiàng)目
據(jù)半島都市報(bào)消息，4月22日，致真存儲芯片項(xiàng)目簽約青島西海岸新區(qū)。該項(xiàng)目總投資28.5億元，分兩期在新區(qū)建設(shè)8英寸、12英寸新一代存儲芯片生產(chǎn)線及研發(fā)中心，所產(chǎn)芯片將極大提升物聯(lián)網(wǎng)及汽車芯片存儲器性能，將助力新區(qū)打造國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)業(yè)新增長極。
官網(wǎng)顯示，致真存儲（北京）科技有限公司成立于2019年，研發(fā)團(tuán)隊(duì)在自旋存儲芯片領(lǐng)域深耕近十年，具備覆蓋自旋存儲芯片行業(yè)從底層機(jī)理、材料研究、上層電路、應(yīng)用級設(shè)計(jì)、關(guān)鍵制造工藝開發(fā)以及前沿科學(xué)技術(shù)探究的全方位研發(fā)能力。
致真存儲分別在北京和青島設(shè)立了研發(fā)和制造中心。目前，該公司稱，已獲得中科創(chuàng)星、普華資本、中電?？档榷喾綉?zhàn)略投資，并已簽約青島西海岸新區(qū)，總投資數(shù)十億元，在新區(qū)建設(shè)8英寸和12英寸的新一代存儲芯片生產(chǎn)線。
2、存儲企業(yè)屢獲融資
今年來，受需求側(cè)逆風(fēng)影響，存儲器企業(yè)備受困擾，此時(shí)資本的加注也將助力企業(yè)渡過存儲器下行難關(guān)。據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，10余家企業(yè)完成階段融資。
知存科技完成2億元B2輪融資：1月6日，存算一體芯片企業(yè)知存科技宣布完成2億元B2輪融資。本輪融資由國投創(chuàng)業(yè)領(lǐng)投，水木春錦資本、領(lǐng)航新界跟投，指數(shù)資本繼續(xù)擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問，融資資金將主要用于存內(nèi)計(jì)算芯片量產(chǎn)和新產(chǎn)品開發(fā)，拓展產(chǎn)業(yè)化落地規(guī)模。
鸞起科技完成數(shù)千萬元A輪融資：2月初，存儲測試設(shè)備企業(yè)鸞起科技完成數(shù)千萬元A輪融資，由云澤資本獨(dú)家投資，所融資金主要用于新產(chǎn)品的研發(fā)，助力鸞起科技提升產(chǎn)品的核心競爭力。該公司存儲測試機(jī)可以用到存儲芯片研發(fā)到SSD成品量產(chǎn)各個(gè)環(huán)節(jié)，覆蓋存儲全產(chǎn)業(yè)鏈測試環(huán)節(jié)。
大基金二期增資入股長江存儲：2月，國家信用信息公示系統(tǒng)顯示，長江存儲發(fā)生工商信息變更，其注冊資本由約562.7億元增至約1052.7億元人民幣，增幅超87%。同時(shí)，大基金二期增資入股，認(rèn)繳出資額為128.87億元，持股比例達(dá)12.24%。
聚辰股份入股武漢喻芯半導(dǎo)體：4月4日，聚辰股份發(fā)布公告稱，公司擬使用人民幣2500萬元的自有資金認(rèn)購武漢喻芯半導(dǎo)體新增注冊資本人民幣113.64萬元。本次增資完成后，喻芯半導(dǎo)體的注冊資本變更為人民幣1204.55萬元，公司將持有喻芯半導(dǎo)體9.43%的股權(quán)。
凌存科技獲pre-A輪融資：5月初，凌存科技戰(zhàn)略投資簽約儀式舉行，本輪系凌存科技pre-A輪融資，由乾融園豐天使基金領(lǐng)投，國芯科技、創(chuàng)耀科技和深圳創(chuàng)享投資跟投。本輪融資將助力凌存科技進(jìn)一步加速第三代高速、低功耗、高密度磁性存儲器MeRAM的產(chǎn)業(yè)化落地，換道超車，讓國產(chǎn)新型存儲芯片在國際上實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先優(yōu)勢。
時(shí)創(chuàng)意完成A輪2.8億元戰(zhàn)略融資：5月底，時(shí)創(chuàng)意完成A輪2.8億元戰(zhàn)略融資，本輪融資將主要用于公司人才梯隊(duì)建設(shè)、高尖端設(shè)備引入及持續(xù)研發(fā)的投入。時(shí)創(chuàng)意稱，本次融資將會(huì)進(jìn)一步增強(qiáng)公司的綜合實(shí)力，有望實(shí)現(xiàn)跨越式增長，為上市打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
領(lǐng)存集成電路完成2億元A輪融資：6月初，領(lǐng)存技術(shù)全資子公司領(lǐng)存集成電路完成2億元A輪融資，本輪融資由深圳市投控東海投資有限公司投資，募集資金將主要用于國內(nèi)首家全自動(dòng)化閃存芯片測試生產(chǎn)線建設(shè)。
合肥大唐存儲完成首期外部融資：7月中旬，合肥大唐存儲亦宣布完成首期外部融資，引入國資戰(zhàn)略新股東，但并未披露投資金額及投資方。該公司長期致力于存儲控制器芯片及安全固件的研發(fā)，并提供技術(shù)先進(jìn)的安全存儲解決方案。
銓興科技完成首輪戰(zhàn)略融資：7月底，銓興科技完成首輪戰(zhàn)略融資，由力合科創(chuàng)集團(tuán)有限公司獨(dú)家投資。資金將主要用于銓興科技的兩個(gè)重要項(xiàng)目，分別是先進(jìn)集成電路封裝測試及高端存儲器制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，以及企業(yè)級、車規(guī)級存儲器研發(fā)項(xiàng)目。
致真存儲完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資：7月底，致真存儲完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資，投資方包括俱成資本、中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金、京鵬投資等。本輪融資將主要用于加強(qiáng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)建設(shè)和設(shè)備采購，提升產(chǎn)品研發(fā)能力，加速磁性隨機(jī)存儲器（MagneticRandom-Access Memory，MRAM）芯片的研發(fā)和生產(chǎn)線建設(shè)落地。
亙存科技完成新一輪融資：9月中旬，聚辰股份宣布完成對MRAM技術(shù)企業(yè)亙存科技新一輪融資的領(lǐng)投，優(yōu)源資本、中冀投資和BV百度風(fēng)投等跟投。亙存科技采用Fabless模式，具備獨(dú)立式MRAM存儲芯片”和包含嵌入式MRAM的“AI SoC芯片”兩條核心產(chǎn)品線，定位于消費(fèi)、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車等領(lǐng)域。
3、存儲器供給需求或?qū)⒆儎?dòng)
存儲器是半導(dǎo)體市場中極為重要的領(lǐng)域，近年受國際形勢、全球通貨膨脹、消費(fèi)電子需求不振等各項(xiàng)因素影響，存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低谷期。
今年以來，隨著廠商持續(xù)調(diào)整庫存，業(yè)界隱約透露，半導(dǎo)體存儲器供給需求或?qū)⒆儎?dòng)。
據(jù)TrendForce集邦咨詢9月11日研究表示，為應(yīng)對需求持續(xù)減弱，三星宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，其他供應(yīng)商預(yù)計(jì)也將跟進(jìn)擴(kuò)大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預(yù)估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲，漲幅預(yù)估約0~5%。
而DRAM方面，TrendForce集邦咨詢此前研究指出，受惠于DRAM供應(yīng)商陸續(xù)啟動(dòng)減產(chǎn)，整體DRAM供給位元逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐，減輕供應(yīng)商庫存壓力，預(yù)期第三季DRAM均價(jià)跌幅將會(huì)收斂至0~5%。
不過，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，目前供應(yīng)商全年庫存應(yīng)仍處高水位，今年DRAM均價(jià)欲落底翻揚(yáng)的壓力仍大，盡管供給端的減產(chǎn)有助季跌幅的收斂，然實(shí)際止跌反彈的時(shí)間恐需等到2024年。
從供給需求上看，TrendForce集邦咨詢8月30日預(yù)估，DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13.0%及16.0%。并認(rèn)為，盡管需求位元有回升，明年若要有效去化庫存，并回到供需平衡狀態(tài)，重點(diǎn)還是仰賴供應(yīng)商對于產(chǎn)能有所節(jié)制，若供應(yīng)商產(chǎn)能控制得宜，存儲器均價(jià)則有機(jī)會(huì)反彈。
4、結(jié)語
整體上看，受消費(fèi)電子等終端市場冷風(fēng)沖擊，目前存儲器產(chǎn)業(yè)仍有待復(fù)蘇。而在期盼暖風(fēng)吹來的日子里，國內(nèi)不少存儲企業(yè)正在通過合理規(guī)劃項(xiàng)目與產(chǎn)能，以及尋求資本市場助力等方式應(yīng)對下行周期，只為東風(fēng)來時(shí)，萬事有備。
下載ECAD模型
