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三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產(chǎn)

2021/10/12
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韓國(guó)首爾2021年10月12日 /美通社/ -- 今日,三星宣布已開始量產(chǎn)基于極紫外光(EUV)技術(shù)的14納米(nm)DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后,又將EUV層數(shù)增加至5層,為其DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。

三星首款14納米DRAM

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三星首款14納米DRAM

“通過(guò)開拓關(guān)鍵的圖案(key patterning)技術(shù),三星活躍全球DRAM市場(chǎng)近三十年?!?a class="article-link" target="_blank" href="/manufacturer/1000837/">三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)主管Jooyoung Lee表示,“如今,三星正通過(guò)多層EUV技術(shù),樹立了一座新的技術(shù)里程碑,實(shí)現(xiàn)了更加微型化的14納米工藝,而這也是傳統(tǒng)氟化氬(ArF)工藝無(wú)法做到的。在此基礎(chǔ)上,三星將繼續(xù)提供極具差異化的內(nèi)存解決方案,充分滿足5G、人工智能元宇宙等數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的時(shí)代對(duì)更高性能和更大容量的需求?!?/span>

隨著DRAM工藝不斷縮小至10納米范圍,EUV技術(shù)變得越來(lái)越重要,因?yàn)樗芴嵘龍D案準(zhǔn)確性,從而獲得更高性能和更大產(chǎn)量。通過(guò)在14納米DRAM中應(yīng)用5個(gè)EUV層,三星實(shí)現(xiàn)了自身最高的單位容量,同時(shí),整體晶圓生產(chǎn)率提升了約20%。此外,與上一代DRAM工藝相比,14納米工藝可幫助降低近20%的功耗。

根據(jù)最新DDR5標(biāo)準(zhǔn),三星的14納米DRAM將有助于釋放出之前產(chǎn)品所未有的速度:高達(dá)7.2Gbps,比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星計(jì)劃擴(kuò)展其14納米DDR5產(chǎn)品組合,以支持數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算機(jī)和企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用。另外,三星預(yù)計(jì)將其14納米DRAM芯片容量提升至24Gb,以更好滿足全球IT系統(tǒng)快速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)需求。

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