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  • 碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)
    碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)
    與硅相比,碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn),如:碳化硅的禁帶寬度更大,這使碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度,抗輻照能力得到提升;碳化硅材料擊穿電場(chǎng)是硅的 10 倍,因此,其器件可設(shè)計(jì)更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度,與相同電壓等級(jí)的硅功率器件相比,導(dǎo)通電阻更低;碳化硅具有高電子飽和速度的特性,使器件可工作在更高的開(kāi)關(guān)頻率;同時(shí),碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。
  • AMB基板:碳化硅模塊封裝新趨勢(shì)
    AMB基板:碳化硅模塊封裝新趨勢(shì)
    碳化硅作為新一代功率器件典型代表,具有高溫高頻特性,對(duì)于電池效率提升和成本降低都有明顯優(yōu)勢(shì)。目前車用進(jìn)展推進(jìn)迅速,實(shí)際上除了芯片技術(shù)外,封裝技術(shù)也非常關(guān)鍵,新的封裝材料和新的封裝技術(shù)層出不窮。對(duì)于軌道交通、電動(dòng)汽車用的高壓、大電流、高功率功率模塊來(lái)說(shuō),散熱和可靠性是其必須解決的關(guān)鍵問(wèn)題。
  • 碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管的特征及與碳二極管的比較
    碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管的特征及與碳二極管的比較
    我們從SiC肖特基勢(shì)壘二極管的結(jié)構(gòu)開(kāi)始介紹,如下圖所示,為了形成肖特基勢(shì)壘,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié)),結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同,其重要特征也是具備高速特性。
  • 森國(guó)科完成C輪億元級(jí)融資,重點(diǎn)布局碳化硅市場(chǎng)
    近日,據(jù)業(yè)內(nèi)獲悉,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件廠商深圳市森國(guó)科科技股份有限公司宣布完成C輪億元級(jí)融資。據(jù)已掌握的信息,本輪融資的領(lǐng)投方為中金資本。

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