資訊

• 碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)
  

  與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升；碳化硅材料擊穿電場(chǎng)是硅的 10 倍，因此，其器件可設(shè)計(jì)更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度，與相同電壓等級(jí)的硅功率器件相比，導(dǎo)通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開(kāi)關(guān)頻率；同時(shí)，碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。

  森國(guó)科

  3955

  2023/07/27

  功率器件 封裝技術(shù)
• AMB基板：碳化硅模塊封裝新趨勢(shì)
  

  碳化硅作為新一代功率器件典型代表，具有高溫高頻特性，對(duì)于電池效率提升和成本降低都有明顯優(yōu)勢(shì)。目前車用進(jìn)展推進(jìn)迅速，實(shí)際上除了芯片技術(shù)外，封裝技術(shù)也非常關(guān)鍵，新的封裝材料和新的封裝技術(shù)層出不窮。對(duì)于軌道交通、電動(dòng)汽車用的高壓、大電流、高功率功率模塊來(lái)說(shuō)，散熱和可靠性是其必須解決的關(guān)鍵問(wèn)題。

  森國(guó)科

  7652

  2023/07/27

  SiC 碳化硅
• 碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管的特征及與碳二極管的比較
  

  我們從SiC肖特基勢(shì)壘二極管的結(jié)構(gòu)開(kāi)始介紹，如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)），結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。

  森國(guó)科

  3448

  2023/07/27

  二極管 肖特基勢(shì)壘二極管
• 森國(guó)科完成C輪億元級(jí)融資，重點(diǎn)布局碳化硅市場(chǎng)
  近日，據(jù)業(yè)內(nèi)獲悉，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率器件廠商深圳市森國(guó)科科技股份有限公司宣布完成C輪億元級(jí)融資。據(jù)已掌握的信息，本輪融資的領(lǐng)投方為中金資本。

  充電頭網(wǎng)

  464

  2022/01/06

  SiC 碳化硅

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