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Flash存儲器，又稱快閃存儲器，是一種用于數(shù)據(jù)存儲的半導(dǎo)體電子存儲器件。由于它具有非易失性、擦寫次數(shù)高、讀取速度快等特點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、智能手機(jī)、攝像機(jī)以及其他電子設(shè)備中。
1.Flash存儲器是什么
Flash存儲器是一種基于非揮發(fā)性存儲技術(shù)的半導(dǎo)體存儲器，用于在不需要電力供應(yīng)的情況下保留數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)DRAM和SRAM類似，F(xiàn)lash存儲器將二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲在電容中，但Flash具有更低的成本和更高的密度。
2.Flash存儲器作用
Flash存儲器主要用于數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)傳輸。它可以存儲文件系統(tǒng)、操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序等數(shù)據(jù)，并且還可以用于存儲BIOS和固件等信息。對于移動設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品，F(xiàn)lash存儲器也可以保存所有類型的媒體文件，比如音頻、圖片以及視頻等。
3.Flash存儲器原理
Flash存儲器通常采用浮柵晶體管存儲單元，每個(gè)單元可以分別存儲一個(gè)或多個(gè)位（bit）。浮柵晶體管有兩個(gè)電極和一個(gè)浮柵，其中浮柵采用局部加寄生結(jié)構(gòu)，可以容納少量電荷。為了改變存儲器單元中的值，需要將電場施加到晶體管門和浮柵之間，即進(jìn)行編程操作。這會導(dǎo)致浮柵收集電子，并產(chǎn)生負(fù)電荷，從而使得晶體管臨近斷路。在讀取數(shù)據(jù)時(shí)，F(xiàn)lash存儲器通過檢測浮柵中的電荷來區(qū)分0和1。擦除Flash存儲器的過程類似，但需要更高的電壓和時(shí)間。
