第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)器件的一項重要指標(biāo)就是導(dǎo)通與關(guān)斷的時間很短,顯著的優(yōu)勢是開關(guān)損耗很小,可以顯著提升電源的效率。從電信號角度來說,開關(guān)導(dǎo)通與關(guān)斷的時間短就是信號的頻率很高,這種高壓高頻的電信號再加上浮地應(yīng)用,給研發(fā)和生產(chǎn)測試帶來了不小的難度。隨著第三代半導(dǎo)體市場滲透率的提升,產(chǎn)能提升將是面臨的最大挑戰(zhàn),而動態(tài)參數(shù)測試生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,需要滿足三個基本要素:精準(zhǔn)、高效與可靠。