柵極

• 微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
  在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。

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  2021/08/23

  dram 晶體管
• 柵極電流
  柵極電流（Gate current）是指在場(chǎng)效應(yīng)管、晶體管等半導(dǎo)體器件中，從柵極（Gate）流入或流出的電流。它在半導(dǎo)體器件的工作過程中起到重要的作用，對(duì)器件的性能和穩(wěn)定性具有重要影響。

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  2023/05/25

  電流 柵極
• 柵極
  柵極是一種用于控制場(chǎng)效應(yīng)管或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等電子器件的元件。它通常是一個(gè)金屬片或一組金屬線構(gòu)成的網(wǎng)格，位于器件的通道和漏極之間。

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  2023/05/10

  柵極
• 柵極的檢測(cè)方法 門極和柵極的區(qū)別
  晶體管是現(xiàn)代電子技術(shù)中常用的一種電子元件，而晶體管中的柵極也是十分重要的組成部分之一。下面我們來了解一下柵極的檢測(cè)方法以及門極和柵極的區(qū)別。

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  2023/04/20

  柵極
• 柵極源極漏極怎么區(qū)分 源極柵極和漏極各有什么作用
  柵極是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)重要部分，它可以通過改變其電壓來控制器件的導(dǎo)通與截止。在N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，柵極與源極之間存在一條類似二極管的結(jié)構(gòu)，稱為P-N結(jié)，而漏極則與源極相連。可以通過使用萬用表或者示波器測(cè)量PN結(jié)的正負(fù)極性來確定柵極的位置。

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  1.7萬

  2023/03/16

  柵極

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