加入星計(jì)劃，您可以享受以下權(quán)益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

eFuse

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

一次性可編程存儲(chǔ)器。eFuse的誕生源于幾年前IBM工程師的一個(gè)發(fā)現(xiàn)：與更舊的激光熔斷技術(shù)相比，電子遷移(EM)特性可以用來生成小得多的熔絲結(jié)構(gòu)。EM熔絲可以在芯片上編程，不論是在晶圓探測(cè)階段還是在封裝中。采用I/O電路的片上電壓(通常為2.5V)，一個(gè)持續(xù)200微秒的10毫安直流脈沖就足以編程單根熔絲。

一次性可編程存儲(chǔ)器。eFuse的誕生源于幾年前IBM工程師的一個(gè)發(fā)現(xiàn)：與更舊的激光熔斷技術(shù)相比，電子遷移(EM)特性可以用來生成小得多的熔絲結(jié)構(gòu)。EM熔絲可以在芯片上編程，不論是在晶圓探測(cè)階段還是在封裝中。采用I/O電路的片上電壓(通常為2.5V)，一個(gè)持續(xù)200微秒的10毫安直流脈沖就足以編程單根熔絲。收起

查看更多
空空如也，您可以發(fā)布內(nèi)容賺銀子！以下是推薦內(nèi)容

正在努力加載...