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第四代半導(dǎo)體,接力準備中?

2023/02/06
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近日,力積電與日本研發(fā)機構(gòu)合作,開發(fā)出全球獨家第四代氧化物半導(dǎo)體材料制程技術(shù),可生產(chǎn)分辨率超過5000ppi的顯示驅(qū)動芯片,突破既有元宇宙裝置顯示技術(shù)分辨率、亮度技術(shù)不足限制。力積電預(yù)計新制程技術(shù)的AR/VR產(chǎn)品可能在明年小量試產(chǎn),將有機會成為全球第一家擁有此技術(shù)的廠商。

消息一出,立刻吸引蘋果、LG等大廠主動上門詢問洽談合作。

業(yè)內(nèi)普遍認為,以氧化鎵(GaO或者Ga2O3)為代表的第四代半導(dǎo)體有望替代碳化硅氮化鎵成為新一代半導(dǎo)體材料。目前,各國的半導(dǎo)體企業(yè)都爭先恐后布局,氧化鎵正在逐漸成為半導(dǎo)體材料界一顆冉冉升起的新星。

然而2022年8月,美國商務(wù)部發(fā)布一項臨時最終決定,對氧化鎵、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體材料實施出口管制,第四代半導(dǎo)體材料再次走入了人們的視野,憑借其比 SiCGaN 更寬的禁帶、耐高壓、大功率等更優(yōu)的特性,以及極低的制造成本,在功率應(yīng)用方面具有獨特優(yōu)勢。

第四代半導(dǎo)體,又熱了起來。這場接力賽,新加了主人公嗎?

為何而“紅”?

第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)的元素半導(dǎo)體材料;第二代半導(dǎo)體材料主要是指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等的化合物半導(dǎo)體材料;第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

第四代半導(dǎo)體材料主要是以金剛石(C)、氧化鎵(GaO)、氮化鋁(AlN)為代表的超寬禁帶(UWBG)半導(dǎo)體材料,禁帶寬度超過4eV,以及以銻化物(GaSb、InSb)為代表的超窄禁帶(UNBG)半導(dǎo)體材料。在應(yīng)用方面,超寬禁帶材料會與第三代材料有交疊,主要在功率器件領(lǐng)域有更突出的特性優(yōu)勢;而超窄禁帶材料,由于易激發(fā)、遷移率高,主要用于探測器、激光器等器件的應(yīng)用。

氧化鎵是金屬鎵的氧化物,同時也是一種半導(dǎo)體化合物。其結(jié)晶形態(tài)截至目前已確認有α、β、γ、δ、ε五種,其中,β相最穩(wěn)定。

圖:β相氧化鎵晶體結(jié)構(gòu)(網(wǎng)絡(luò))

下圖則是在電流和電壓需求方面Si,SiC,GaN和氧化鎵功率電子器件的應(yīng)用的不同領(lǐng)域。


成本也是讓氧化鎵成為吸引產(chǎn)業(yè)關(guān)注的重要因素。

基于SiC襯底,普遍采用化學氣相沉積技術(shù)(CVD)獲得高質(zhì)量外延層,隨后在外延層上進行功率器件的制造。由于SiC襯底晶圓相比Si具有更高的缺陷密度,會進一步干擾外延層生長,外延層本身也會產(chǎn)生結(jié)晶缺陷,影響后續(xù)器件性能。

GaO和藍寶石一樣,可以從溶液狀態(tài)轉(zhuǎn)化成塊狀(Bulk)單結(jié)晶狀態(tài)。日本NCT已試做出最大直徑為6英寸(150mm)的晶圓,直徑為2英寸(50mm)的晶圓已經(jīng)開始銷售作研究開發(fā)方向的用途。這種工藝的特點是良品率高、成本低廉、生長速度快、生長晶體尺寸大。而碳化硅( SiC )與氮化鎵 (GaN)材料目前只能使用“氣相法”進行制備,未來成本也將繼續(xù)受到襯底高成本的阻礙而難以大幅度下降。

對于氧化鎵來說,高質(zhì)量與大尺寸的天然襯底,相對于目前采用的寬禁帶 SiC 與 GaN 技術(shù),將具備獨特且顯著的成本優(yōu)勢。


圖:GaO與SiC成本對比(EEPOWER)

功率半導(dǎo)體的行業(yè)特征適合氧化鎵器件的增長。行業(yè)特征是不需要追趕摩爾定律,一般使用0.18~0.5um制程即可,倚重材料質(zhì)量,對材料和器件的生產(chǎn)工藝要求高,因整體趨向集成化、模塊化,需要開發(fā)新的封裝設(shè)計。除此之外,新能源車等新興應(yīng)用不斷推動新半導(dǎo)體材料興起。新能源、5G等新興應(yīng)用加速第三代和第四代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化需求,我國市場空間巨大且有望在該領(lǐng)域快速縮短和海外企業(yè)的差距。

受下游新能源車、5G、快充等新興市場需求以及潛在的硅材替換市場驅(qū)動,目前深入研究和產(chǎn)業(yè)化方向以SiC和GaN為主,GaO的技術(shù)儲備較弱,真正有技術(shù)的公司面對的競爭壓力小。

第四代,誰跑的快?

富士經(jīng)濟預(yù)測2030年氧化鎵功率元件的市場規(guī)模將會達到1,542億日元(約人民幣92.76億元),這個市場規(guī)模要比氮化鎵功率元件的規(guī)模(1,085億日元,約人民幣65.1億元)還要大。

日本

在氧化鎵方面,日本在襯底-外延-器件等方面的研發(fā)全球領(lǐng)先。

據(jù)日本媒體2020年9月報道,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)?。∕ETI)正準備為致力于開發(fā)新一代低能耗半導(dǎo)體材料“氧化鎵”的私營企業(yè)和大學提供財政支持。METI將為2021年留出大約2030萬美元的資金,預(yù)計未來5年的投資額將超過8560萬美元。METI認為,日本公司將能夠在本世紀20年代末開始為數(shù)據(jù)中心、家用電器和汽車供應(yīng)基于氧化鎵的半導(dǎo)體。一旦氧化鎵取代目前廣泛使用的硅材料,每年將減少1440萬噸二氧化碳的排放。

資料顯示, 日本功率元件方向的氧化鎵研發(fā)始于以下三位:日本國立信息通信技術(shù)研究所(NICT:National Institute of Information and Communications Technology)的東脅正高先生、京都大學的藤田靜雄教授、田村(Tamura)制作所的倉又朗人先生。

NICT的東脅先生于2010年3月結(jié)束在美國大學的赴任并返回日本,以氧化鎵功率元件作為新的研發(fā)主題并進行構(gòu)想。

京都大學的藤田教授于2008年發(fā)布了氧化鎵深紫外線檢測和Schottky Barrier Junction、藍寶石(Sapphire)晶圓上的外延生長(Epitaxial Growth)等研發(fā)成果后,又通過利用獨自研發(fā)的“霧化法”薄膜生產(chǎn)技術(shù)(Mist CVD法)致力于研發(fā)功率元件。

倉又先生在田村(Tamura)制作所負責研發(fā)LED方向的氧化鎵單晶晶圓,并將應(yīng)用在功率半導(dǎo)體方向。

三人的接觸與新能源·產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)于2011年度提出的“節(jié)能革新技術(shù)開發(fā)事業(yè)—挑戰(zhàn)研發(fā)(事前研發(fā)一體型)、超耐高壓氧化鎵功率元件的研發(fā)”這一委托研發(fā)事業(yè)有一定關(guān)聯(lián),接受委托的是NICT、京都大學、田村制作所等??梢哉f,由這一委托開啟了GaO功率元件的正式研發(fā)。

2011年,京都大學投資成立了公司“FLOSFIA”。在2015年,NICT和田村制作所合作投資成立了氧化鎵產(chǎn)業(yè)化企業(yè)“Novel Crystal Technology”,簡稱“NCT”?,F(xiàn)在,兩家公司都是日本氧化鎵研發(fā)的中堅企業(yè),必須強調(diào)的是,這也是世界上僅有的兩家能夠量產(chǎn)GaO材料及器件的企業(yè),整個業(yè)界已經(jīng)呈現(xiàn)出“All Japan”的景象。

美國

美國空軍研究室在2012年注意到了NICT的成功,研究員Gregg Jessen領(lǐng)導(dǎo)的團隊探索了GaO材料的特性,結(jié)果顯示,GaO材料的速度和高臨界場強在快速功率開關(guān)射頻功率應(yīng)用中具有顛覆性的潛力。在這個成果的激勵下,Jessen建立了美國的GaO研究基礎(chǔ),獲得了首批樣品。

團隊負責人表示:“我們之所以能夠成為該領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,是因為我們能夠盡早獲得材料”。

中國的氧化鎵

在中國,氧化鎵的研究已經(jīng)進行了十年,近幾年也已經(jīng)有所突破。中國科學院院士郝躍在接受采訪時明確指出,氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一,在未來的10年左右,氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件,會直接與碳化硅器件競爭。

2022年5月,浙大杭州科創(chuàng)中心宣布該中心先進半導(dǎo)體研究院發(fā)明了全新的熔體法技術(shù)路線來研制氧化鎵體塊單晶以及晶圓,目前已經(jīng)成功制備直徑2英寸(50.8mm)的氧化鎵晶圓。

2022年6月,中國科大微電子學院龍世兵教授課題組兩篇論文入選第34屆功率半導(dǎo)體器件集成電路國際會議(ISPSD),在高耐壓氧化鎵二極管和增強型氧化鎵場效應(yīng)晶體管兩個課題取得突破。

國內(nèi)研究氧化鎵的機構(gòu)和高校還包括西安電子科技大學、上海光機所、上海微系統(tǒng)所、復(fù)旦大學、南京大學、山東大學等。中國電子科技集團公司46所成功制作出國內(nèi)第一塊100mm單晶氧化鎵晶圓。

同時,也有專注于氧化鎵的初創(chuàng)公司也出現(xiàn),例如北京郵電大學的唐為華老師從2011年以來致力于氧化鎵材料及器件形成科研成果的產(chǎn)業(yè)化平臺北京鎵族科技;中國科學院上海光學精密機械研究所與杭州市富陽區(qū)政府共建的“硬科技”產(chǎn)業(yè)化平臺——杭州光機所孵化的科技型企業(yè),杭州富加鎵業(yè)。

第四代半導(dǎo)體核心難點在材料制備,材料端的突破將獲得極大的市場價值,這也是我們的突破點,國家在政策和資金方面需要給予大力支持。

作者:米樂

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