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作者：米樂
近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。
同樣在8月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。
早在5月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn)8平面3D NAND設(shè)備以及超過300字線的3D NAND IC。
3D NAND終究還是卷到了300層……
?01、層數(shù)“爭霸賽”
眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
對于這個問題，英特爾可能已經(jīng)在3D NAND當(dāng)中找到了解決辦法。3D NAND閃存是英特爾和美光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種技術(shù)，是一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。
平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限，給半導(dǎo)體存儲器行業(yè)帶來嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術(shù)，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。
2007年，隨著2DNAND達(dá)到其規(guī)模極限，東芝率先提出了3D NAND結(jié)構(gòu)概念。2013年三星則率先推出了其所謂的“V-NAND”，也就是3D NAND。
3D設(shè)計引入了多晶硅和二氧化硅的交替層，并將浮柵交換為電荷陷阱閃存(CTF)，區(qū)別在于FG將存儲器存儲在導(dǎo)電層中，而CTF將電荷“捕獲”在電介質(zhì)層中。這種3D設(shè)計方式不僅帶來了技術(shù)性能的提升，而且還進(jìn)一步控制了成本。
此后，三星不斷更新技術(shù)和擴(kuò)增產(chǎn)業(yè)線，10年間推出了數(shù)代產(chǎn)品，以維護(hù)自己在NAND閃存市場的地位。其中，2020年，三星推出了176層的第七代“V-NAND”，其采用了“雙堆?！奔夹g(shù)，不是一次性蝕刻所有層，而是將它們分成兩部分，然后一層一層堆疊。
2022年，美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 與高管團(tuán)隊宣布美光下一代 232 層 NAND 閃存將于 2022 年底前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這表明美光團(tuán)隊在完善和擴(kuò)大 176 層 NAND 技術(shù)應(yīng)用的同時，同步在努力開發(fā)下一代更先進(jìn)的 NAND 技術(shù)。
美光的232 層 NAND是業(yè)界的首款232 層 3D NAND ，這項(xiàng)前沿技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用在英睿達(dá)（Crucial）旗下幾款固態(tài)硬盤上，其他搭載這項(xiàng)技術(shù)的產(chǎn)品將會陸續(xù)上市為消費(fèi)者帶來更大容量、更高密度、更少能耗與更低單位存儲成本的存儲解決方案。
去年5月美光曝光的技術(shù)路線圖顯示，232層之后美光還將發(fā)力2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)。
大數(shù)據(jù)、云計算等技術(shù)發(fā)展，持續(xù)提升NAND Flash需求，同時也不斷推動著NAND技術(shù)的升級和迭代，NAND Flash原廠層數(shù)競爭或?qū)⒏蛹ち摇?/p>
?02、300層和300層的不同
SK海力士是業(yè)界首家正在開發(fā)300層以上NAND閃存的公司。8月9日宣布了321層4D NAND樣品的發(fā)布。
這是SK海力士第8代3D NAND閃存，容量為1Tb（128GB），具有三級單元（TLC）和超過20Gb/mm^2的位密度（bit density）。該芯片的頁容量（page size）為16KB，擁有四個planes，接口傳輸速率為2400MT / s，最高吞吐量為194MB/s（相比第7代238層3D NAND閃存提高了18%）。密度的提升將降低制造過程中每tb的成本，終端消費(fèi)者最終能從性能和容量的提升中受益。
據(jù)SK海力士介紹，第8代3D NAND閃存主要運(yùn)用了五個方面的技術(shù)，包括引入三重驗(yàn)編程（TPGM）功能，可縮小電池閾值電壓分布，將tPROG減少10%，從而提高性能；自適應(yīng)未選字符串預(yù)充電（AUSP），另一種將tPROG降低約2%的方法；編程虛擬串（PDS）技術(shù)，降低通道電容負(fù)載來縮短tPROG和tR的世界線建立時間；平面級讀取重試（PLRR）功能，允許在不終止其他平面的情況下改變平面的讀取級別，從而立即發(fā)出后續(xù)讀取命令，最終提高了服務(wù)質(zhì)量（QoS）和讀取性能。
它將采用三重堆疊技術(shù)，涉及生產(chǎn)三組獨(dú)立的3D NAND層，每組分別堆疊為120層、110層和91層，然后組合成一個芯片。預(yù)計2025年開始量產(chǎn)。
搶先SK海力士一步量產(chǎn)的是它的存儲老對手三星，韓國媒體《首爾經(jīng)濟(jì)日報》援引業(yè)內(nèi)人士消息稱，三星計劃于2024年量產(chǎn)超過300層的第9代3D NAND。預(yù)計將采用雙堆疊技術(shù)生產(chǎn)，其中包括在兩個獨(dú)立過程中創(chuàng)建NAND存儲器，然后將它們組裝在一起。這和SK海力士的技術(shù)是不同的。
三星在2022年底就已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用第8代V-NAND技術(shù)的產(chǎn)品，為1Tb（128GB）TLC 3D NAND閃存芯片，達(dá)到了236層，相比于2020年首次引入雙堆棧架構(gòu)的第7代V-NAND技術(shù)的176層有了大幅度的提高。其所采用的雙堆棧架構(gòu)，即在300mm晶圓上先生產(chǎn)一個3D NAND Flash堆棧，然后在原有基礎(chǔ)上再構(gòu)建另一個堆棧。
目前尚不清楚三星300+層閃存的具體細(xì)節(jié)，比如確切層數(shù)、容量密度、閃存類型等。按照三星規(guī)劃的路線圖，到了2030年，閃存堆疊將超過1000層。
鎧俠和西部數(shù)據(jù)的創(chuàng)新成果將更高容量和更高性能的3D NAND存儲設(shè)備成為可能。根據(jù)eeNewsEurope的報道，兩家工程師團(tuán)隊正在攻關(guān)8平面3D NAND設(shè)備和具備超過300字線的3D NAND IC。鎧俠將發(fā)表一篇論文，其中便介紹了一種八平面1Tb 3D TLC NAND顆粒，這款顆粒具有超過210個有源層和3.2GT/s的接口。根據(jù)鎧俠提供的數(shù)據(jù)，這款顆粒能做到205MB/s的程序吞吐量以及僅40微秒的延遲。
創(chuàng)新的八平面1Tb 3D TLC NAND顆粒通過減少X方向的數(shù)據(jù)查詢區(qū)域減少到41%，以實(shí)現(xiàn)3.2GT/s的接口速度。然而，這種新設(shè)計可能導(dǎo)致布線擁塞，鎧俠通過引入混合行地址解碼器緩解了這一問題，最大限度地減少了因擁塞導(dǎo)致的讀取延遲下降。
鎧俠還通過新型的單脈沖雙選通技術(shù)，讓單個脈沖內(nèi)感測兩個存儲單元，這使得總感測時間減少18%，提升程序吞吐量達(dá)到205MB/s。
通過兩種新技術(shù)，新型NAND顆粒實(shí)現(xiàn)了更高性能和更低延遲，這些技術(shù)將在未來得到更廣闊的應(yīng)用。然而，八平面架構(gòu)會增加IC和主控的復(fù)雜性，從而導(dǎo)致更高的開發(fā)和制造成本。如果主控芯片無法正確管理八平面顆粒，則IC的實(shí)際性能還可能下降。除了八平面3D NAND IC外，鎧俠和西數(shù)聯(lián)合開發(fā)了超過300層的3D NAND顆粒。
為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，聯(lián)合團(tuán)隊采用金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶技術(shù)（MLIC），通過這項(xiàng)技術(shù)，開發(fā)團(tuán)隊能夠在垂直存儲孔內(nèi)創(chuàng)建單晶14微米長的“通心粉狀"硅通道。此外，團(tuán)隊還利用尖端吸鎳方法消除硅中的雜質(zhì)和缺陷，提高單元陣列性能。因此讀取噪聲至少減低了40%，電導(dǎo)增加了10倍。
?03、勢在必得的存儲高地
市場在變，需求在變，技術(shù)也在更迭。存儲市場波動持續(xù)影響著整個半導(dǎo)體行業(yè)。
進(jìn)入2023年，NAND供應(yīng)商采取行動重新平衡供需動態(tài)，他們不僅減少對市場的出貨量，且大部分供應(yīng)商都宣布削減晶圓廠利用率或減少晶圓開工。市場研究機(jī)構(gòu)Yole分析稱，所有供應(yīng)商不僅削減了2023年資本支出，并推遲了路線圖進(jìn)程。其中，僅NAND 資本支出預(yù)計將同比下降約40%。Yole指出，隨著庫存水平的正?；貧w以及OEM等采購信心的恢復(fù)，將為今年晚些時候的 NAND復(fù)蘇提供了希望。
市場研究機(jī)構(gòu)Yole Intelligence最新報告顯示，NAND Flash市場將在今年第三季度迎來增長，結(jié)束近兩年的下滑趨勢。Yole Intelligence表示，全球數(shù)據(jù)生成和存儲的需求持續(xù)增長，新技術(shù)的引入使得NAND Flash市場的長期前景依然看好。該報告還提到了推動 NAND 市場發(fā)展的幾個因素。
首先是大型科技公司和傳統(tǒng)企業(yè)原始設(shè)備制造商?(OEM) 對企業(yè)級固態(tài)硬盤 (SSD) 的需求增加。這些企業(yè)對數(shù)據(jù)存儲的要求越來越高，因此采用更多的企業(yè)級SSD來滿足大規(guī)模數(shù)據(jù)處理和存儲的需求。其次，SSD在PC和游戲機(jī)中的普及也是推動市場增長的因素之一。隨著人們對快速啟動和高效數(shù)據(jù)讀寫的需求增加，SSD在個人電腦和游戲機(jī)中的應(yīng)用越來越廣泛。智能手機(jī)和其他移動設(shè)備存儲容量的增加也是推動市場增長的因素之一。隨著用戶在手機(jī)中存儲大量照片、視頻和應(yīng)用程序的需求增加，手機(jī)制造商需要提供更大容量的存儲解決方案，這將推動NAND Flash市場的增長。
根據(jù)預(yù)測，NAND市場將結(jié)束連續(xù)七個季度的下滑，并在今年第三季度實(shí)現(xiàn)增長。
