產(chǎn)業(yè)丨不同存儲(chǔ)類別，價(jià)格變了又變？

作者 | 方文三

從需求端來(lái)看，通貨膨脹壓力及AI個(gè)人電腦應(yīng)用場(chǎng)景的缺乏，共同阻礙了大規(guī)模升級(jí)周期的形成。在供應(yīng)端，主要制造商于第三季度恢復(fù)了滿負(fù)荷生產(chǎn)，同時(shí)其他供應(yīng)商亦通過(guò)技術(shù)革新提升了產(chǎn)能，共同推動(dòng)了整體供應(yīng)能力的提升，進(jìn)而加劇了市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。

NAND市場(chǎng)第四季度將出現(xiàn)下滑

根據(jù)市場(chǎng)研究公司Trend Force的最新報(bào)告，盡管第三季度的NAND平均售價(jià)（ASP）預(yù)計(jì)將上漲5%至10%，但第四季度卻預(yù)計(jì)將出現(xiàn)3%至8%的下滑。

在消費(fèi)類NAND產(chǎn)品中，價(jià)格跌幅尤為顯著。特別是用于高端及旗艦智能手機(jī)的eMMC和UFS產(chǎn)品，預(yù)計(jì)第四季度價(jià)格將下降8%至13%。

全球經(jīng)濟(jì)低迷背景下，智能手機(jī)平均更換周期延長(zhǎng)至三年，且市場(chǎng)缺乏能夠替代智能手機(jī)的突破性應(yīng)用，導(dǎo)致智能手機(jī)及筆記本電腦制造商采取更為保守的庫(kù)存管理策略，進(jìn)而影響了NAND訂單的發(fā)放。

個(gè)人電腦用SSD及通用閃存存儲(chǔ)（UFS）市場(chǎng)則因終端產(chǎn)品銷售不振，買家普遍采取更為審慎的采購(gòu)策略，進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)的不確定性。

企業(yè)級(jí)SSD市場(chǎng)預(yù)計(jì)價(jià)格將經(jīng)歷0%至5%的增長(zhǎng)，然而，此增幅較初期預(yù)測(cè)有所縮減。第四季度，服務(wù)器OEM訂單顯著縮減，部分歸因于企業(yè)客戶對(duì)AI服務(wù)器部署的延緩。

對(duì)于eMMC和UFS市場(chǎng)，這兩款主要應(yīng)用于智能手機(jī)的產(chǎn)品，其價(jià)格預(yù)計(jì)在第四季度將下滑8%至13%。

此外，NAND晶圓價(jià)格亦面臨下行壓力。繼第三季度3%至8%的降幅后，第四季度NAND晶圓價(jià)格預(yù)計(jì)還將再下降10%至15%。

這一趨勢(shì)主要?dú)w因于模塊制造商庫(kù)存積壓嚴(yán)重，以及部分供應(yīng)商為保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力而采取的降價(jià)策略。

若市場(chǎng)環(huán)境進(jìn)一步惡化，價(jià)格降幅可能更為顯著。

這些預(yù)測(cè)凸顯了NAND閃存市場(chǎng)整體承受的價(jià)格下行壓力，尤其在面向消費(fèi)者的細(xì)分市場(chǎng)中，隨著年底購(gòu)物季的臨近，大幅度的價(jià)格調(diào)整已成市場(chǎng)期待。

DRAM市場(chǎng)方面呈現(xiàn)出價(jià)格下滑的趨勢(shì)

Trend Force預(yù)測(cè)，雖然第三季度通用DRAM平均價(jià)格上漲了8%至13%，但第四季度漲幅將大幅收窄至0%至5%。

具體到不同應(yīng)用場(chǎng)景的DRAM產(chǎn)品而言，PC用DRAM和顯卡用DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)將在第四季度維持與上季度相似的水平；

而服務(wù)器用DRAM DDR5價(jià)格則預(yù)計(jì)比上季度上漲0%至5%。

不過(guò)，受智能手機(jī)需求下滑的影響，移動(dòng)DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)將在第四季度下降5%至10%。

在消費(fèi)級(jí)DRAM領(lǐng)域，DDR5價(jià)格預(yù)計(jì)下降0%至5%，而DDR4價(jià)格則預(yù)計(jì)保持穩(wěn)定。

手機(jī)市場(chǎng)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)不顯著及大廠策略調(diào)頭

在第三季度，眾多核心制造商已成功恢復(fù)全面生產(chǎn)能力，部分供應(yīng)商則憑借技術(shù)創(chuàng)新與改進(jìn)，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)能的顯著提升，進(jìn)而推動(dòng)了整體供應(yīng)能力的增強(qiáng)。

然而，由于市場(chǎng)需求持續(xù)疲軟，這一供應(yīng)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)與需求之間形成了鮮明對(duì)比，最終導(dǎo)致了供應(yīng)過(guò)剩的局面。

根據(jù)提供的數(shù)據(jù)，無(wú)論是DDR、SSD、LPDDR還是eMMC等存儲(chǔ)產(chǎn)品類別，其價(jià)格趨勢(shì)在觀察期間均呈現(xiàn)出顯著的下降趨勢(shì)。

同時(shí)，市場(chǎng)需求增長(zhǎng)的乏力亦可能導(dǎo)致了供需失衡，促使價(jià)格逐步走低。

由于IT行業(yè)需求未達(dá)預(yù)期，3D NAND內(nèi)存價(jià)格遭遇下滑。

為應(yīng)對(duì)此狀況，主要閃存制造商正考慮調(diào)整生產(chǎn)計(jì)劃，減少對(duì)非易失性內(nèi)存的投資，并可能轉(zhuǎn)向生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）。

這一轉(zhuǎn)變?cè)醋?a class="article-link" target="_blank" href="/e/1592241.html">人工智能行業(yè)對(duì)HBM內(nèi)存的旺盛需求，正達(dá)到前所未有的水平。

目前，所有主要的3D NAND制造商，包括Kioxia、美光、三星和SK海力士，均在評(píng)估減少非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)量及擴(kuò)建額外閃存容量投資的可行性。

此舉措有望穩(wěn)定3D NAND價(jià)格，并可能在短期內(nèi)至中期內(nèi)對(duì)DRAM價(jià)格產(chǎn)生抑制作用。

鑒于當(dāng)前市場(chǎng)態(tài)勢(shì)，三星與SK海力士等公司正將戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)移至DRAM領(lǐng)域，因該領(lǐng)域展現(xiàn)出更為強(qiáng)勁的需求。

未來(lái)市場(chǎng)價(jià)格將展現(xiàn)出結(jié)構(gòu)性的分化態(tài)勢(shì)

在供應(yīng)層面，存儲(chǔ)原廠在供應(yīng)策略方面采取了更為謹(jǐn)慎的態(tài)度，顯示出對(duì)市場(chǎng)的深思熟慮。

與此同時(shí)，在需求方面，由于云服務(wù)提供商對(duì)AI硬件領(lǐng)域的持續(xù)投資，服務(wù)器領(lǐng)域內(nèi)對(duì)高速、大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求呈現(xiàn)出顯著的增長(zhǎng)趨勢(shì)。

展望未來(lái)，TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)HBM在DRAM總收入中的占比將持續(xù)擴(kuò)大，從2023年的8%增長(zhǎng)至2024年的21%，并有望在2025年進(jìn)一步突破30%的大關(guān)。

此外，隨著AI平臺(tái)對(duì)新一代HBM產(chǎn)品的積極采用，TrendForce預(yù)計(jì)2025年HBM需求將主要集中在HBM3e世代產(chǎn)品上。

其中12hi產(chǎn)品占比將超過(guò)一半，成為下半年AI領(lǐng)域主要競(jìng)爭(zhēng)廠商爭(zhēng)相布局的主流產(chǎn)品。

摩根士丹利近期發(fā)布了一系列減持行動(dòng)，主要基于智能手機(jī)與PC需求下滑，進(jìn)而導(dǎo)致通用DRAM需求減弱，以及高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)供過(guò)于求、價(jià)格下跌的預(yù)測(cè)。

就HBM市場(chǎng)而言，從需求端觀察，多家大型科技公司在人工智能領(lǐng)域的投資增速顯著放緩，預(yù)示著由AI驅(qū)動(dòng)的HBM需求增長(zhǎng)動(dòng)力明顯減弱。

從供應(yīng)端分析，預(yù)計(jì)明年HBM供給量將大幅超出市場(chǎng)需求，特別是三星電子全面進(jìn)軍HBM市場(chǎng)，將進(jìn)一步加劇市場(chǎng)供給過(guò)剩的狀況。

盡管AI領(lǐng)域的需求依然相對(duì)穩(wěn)健，但傳統(tǒng)終端市場(chǎng)的疲軟態(tài)勢(shì)已對(duì)DRAM價(jià)格預(yù)期構(gòu)成壓力。

初步跡象表明，2024年第四季度的DRAM定價(jià)環(huán)境將更具挑戰(zhàn)性，且可能在2025年出現(xiàn)趨勢(shì)性反轉(zhuǎn)。

當(dāng)前市場(chǎng)已發(fā)出賣出信號(hào)，預(yù)示著下一輪周期性下滑將于2025年啟動(dòng)，DRAM市場(chǎng)將持續(xù)面臨供應(yīng)過(guò)剩的問(wèn)題，直至2026年，庫(kù)存累積現(xiàn)象更是加劇了這一困境。

此外，NAND市場(chǎng)在2025年的產(chǎn)能支出預(yù)計(jì)仍將保持健康水平。

然而，鑒于終端市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)的暴露及與DRAM市場(chǎng)相似的客戶群體重疊，NAND與DRAM的周期性波動(dòng)往往呈現(xiàn)同步趨勢(shì)。

一旦AI領(lǐng)域出現(xiàn)顯著的進(jìn)展減速，其連鎖反應(yīng)將對(duì)內(nèi)存市場(chǎng)產(chǎn)生深刻且廣泛的負(fù)面影響。

具體而言，此類停滯現(xiàn)象極有可能導(dǎo)致對(duì)高性能內(nèi)存產(chǎn)品，如HBM、DRAM以及SSD的需求出現(xiàn)急劇萎縮，進(jìn)而對(duì)內(nèi)存市場(chǎng)的預(yù)期增長(zhǎng)軌跡及既有的投資模式造成擾動(dòng)與調(diào)整。

在AI應(yīng)用蓬勃發(fā)展的背景下，內(nèi)存市場(chǎng)中的資本支出正逐步向DRAM傾斜。

隨著制造商積極擴(kuò)增產(chǎn)能以應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，DRAM領(lǐng)域的資本支出預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)近20%的年度同比增長(zhǎng)。

結(jié)尾：

事實(shí)上，存儲(chǔ)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)激烈，各大廠商為了爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額，不得不采取降價(jià)策略。

這種降價(jià)策略雖然有助于清理庫(kù)存，但也給廠商帶來(lái)了一定的壓力。

一方面，降價(jià)會(huì)降低廠商的利潤(rùn)空間；另一方面，廠商還需要面對(duì)庫(kù)存損失的風(fēng)險(xiǎn)。

然而，在當(dāng)前市場(chǎng)環(huán)境下，降價(jià)似乎是廠商們不得不做出的選擇。

部分資料參考：

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫：《存儲(chǔ)價(jià)格，變了又變》，天天IC：《存儲(chǔ)價(jià)格，下跌20%》，中國(guó)電子報(bào)：《存儲(chǔ)芯片價(jià)格為何一漲再漲？》，半導(dǎo)體行業(yè)觀察：《新興存儲(chǔ)，冰火兩重天》《存儲(chǔ)芯片，再被看衰》，半導(dǎo)體芯情：《存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格未來(lái)幾月可能嚴(yán)重分化》《十月存儲(chǔ)芯片出貨量繼續(xù)飆升，市場(chǎng)主要由什么需求拉動(dòng)？》，閃德資訊：《雙11戰(zhàn)線拉長(zhǎng)，存儲(chǔ)價(jià)格再卷，市場(chǎng)亂象頻出》