5款SiC新品亮相，真的有點(diǎn)猛！

在過(guò)去一年里，SiC產(chǎn)品迎來(lái)大爆發(fā)；2024開(kāi)年以來(lái)，包括Qorvo、三菱電機(jī)、至信微等企業(yè)也紛紛推出碳化硅新品，積極打進(jìn)汽車(chē)和飛機(jī)供應(yīng)鏈，牽頭再譜新年新篇章。

Qorvo：推出9mΩ 750V SiC FET

1月24日，Qorvo宣布推出一款符合車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的750V SiC FET——UJ4SC075009B7S，該器件采用緊湊型 D2PAK-7L 封裝，具有業(yè)界最佳的超低導(dǎo)通電阻（9mΩ）。

據(jù)介紹，UJ4SC075009B7S是 Qorvo 推出的全新引腳兼容 SiC FET 系列中的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻選項(xiàng)高達(dá)60mΩ，適配電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù) (PTC) 加熱器模塊等。

該新品在 25°C 時(shí)導(dǎo)通電阻為 9mΩ ，可減少傳導(dǎo)損耗并最大限度地提高汽車(chē)應(yīng)用的效率。其小型表面貼裝封裝實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化裝配流程，降低了客戶(hù)的制造成本。

UJ4SC075009B7S 的相關(guān)性能：

● 閾值電壓 VG(th)：4.5V（典型值），允許 0 至 15V 驅(qū)動(dòng)電壓

●?低體二極管VFSD：1.1V

●?最高工作溫度：175°C

●?出色的反向恢復(fù)能力：Qrr = 338 nC

●?低柵極電荷：QG = 75 nC

●?通過(guò) (AEC) Q101 認(rèn)證

該系列 SiC FET 采用 Qorvo 獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，即 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝，從而生產(chǎn)出具有寬帶隙開(kāi)關(guān)技術(shù)的效率優(yōu)勢(shì)和硅 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的器件。SiC FET 的效率取決于傳導(dǎo)損耗，而 Qorvo 的級(jí)聯(lián)/JFET方法通過(guò)業(yè)界最佳的低導(dǎo)通電阻和體二極管反向壓降降低了傳導(dǎo)損耗。

750V SiC FET系列產(chǎn)品是對(duì) Qorvo 現(xiàn)有的 1200V 和 1700V產(chǎn)品的補(bǔ)充，目前，Qorvo已形成了一個(gè)完整的產(chǎn)品組合，可滿(mǎn)足 400V 和 800V 電池架構(gòu)的電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用需求。

三菱電機(jī)：新SiC模塊大幅縮小尺寸

1月24日，三菱電機(jī)發(fā)布了6款全新的J3系列功率模塊，這些模塊可兼容SiC-MOSFET和RC-IGBT ，將為各種電動(dòng)汽車(chē)（xEV）帶來(lái)更小、更高效的逆變器。

據(jù)介紹，三菱的J3系列模塊具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：

• • J3壓注模功率模塊（J3-T-PM）可以焊接到散熱器上，與現(xiàn)有功率模塊相比，其熱阻降低約30%，基于

  溝槽SiC MOSFET

  的模塊尺寸縮小約60%。由于尺寸縮小，J3-T-PM的電感比現(xiàn)有模塊的電感小約30%，支持高速開(kāi)關(guān)。并聯(lián)使用多個(gè)J3-T-PM能夠進(jìn)一步降低電感。

三菱電機(jī)表示：“與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的同額定容量功率模塊相比，我們新模塊在同類(lèi)產(chǎn)品中體積最小，能量密度最高?！睒悠酚?jì)劃于今年3月25日開(kāi)始陸續(xù)發(fā)貨，預(yù)計(jì)最早要到 2026 年才能量產(chǎn)上車(chē)。

至信微：發(fā)布1200V SiC MOSFET

1月12日，至信微召開(kāi)了2024新品發(fā)布暨代理商大會(huì)，會(huì)上發(fā)布了1200V/7mΩ、750V/5mΩ等行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片。

據(jù)介紹，該SiC芯片采用的是平面工藝，導(dǎo)通電阻低至7mΩ，單Die可以支持到250A以上的超大電流，是全球首顆達(dá)到這一電流水平的單顆平面工藝1200V/7mΩ SiC MOS芯片，從而使得單芯片的系統(tǒng)輸出功率達(dá)到30kW。

此外，至信微還在發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)展示了晶圓裸片，目前其1200V/7mΩ SiC MOS晶圓的良率已在80%以上。

昕感科技：發(fā)布1200V SiC MOSFET

前段時(shí)間，昕感科技面向新能源領(lǐng)域推出一款SiC MOSFET器件新產(chǎn)品——N2M120007PP0，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的超低導(dǎo)通電阻規(guī)格1200V/7mΩ。

據(jù)悉，昕感新品基于車(chē)規(guī)級(jí)工藝平臺(tái)，采用先進(jìn)結(jié)構(gòu)和制造工藝，兼容18V柵壓驅(qū)動(dòng)，采用出色的TO-247-4L Plus封裝，具備開(kāi)爾文源極和低熱阻等優(yōu)勢(shì)，能夠顯著降低開(kāi)關(guān)損耗及震蕩，提升器件散熱表現(xiàn)；器件工作電流可達(dá)300A以上，具有正溫度系數(shù)，可方便實(shí)現(xiàn)大電流并聯(lián)。同時(shí)，昕感新品的漏電流極低（<1μA@1200V），具備優(yōu)越的高壓阻斷特性。

目前，該新品已完成一系列動(dòng)態(tài)測(cè)試和可靠性考核（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等），在不同條件下正常動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)，將瞄準(zhǔn)新能源汽車(chē)主驅(qū)等亟需高壓大電流與低損耗的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)應(yīng)用，助力新能源領(lǐng)域快速更新?lián)Q代。

ZeroAvia：推出SiC航空逆變器

1月24日，ZeroAvia 公司宣布，他們已成功完成對(duì)其200 kW SiC功率逆變器設(shè)計(jì)的初步測(cè)試活動(dòng)。該逆變器可在 800 伏直流電下以 230 kW 的功率運(yùn)行，功率密度超過(guò) 20 kW/kg

據(jù)介紹，SiC逆變器是ZeroAvia正在開(kāi)發(fā)的零排放氫電航空發(fā)動(dòng)機(jī)的一個(gè)重要組成部分——兩年前，ZeroAvia開(kāi)發(fā)了自己的碳化硅逆變器（包括單雙配置的逆變器，峰值分別為225kw、450kw），并在半導(dǎo)體模塊設(shè)計(jì)、柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)、相位電路的模塊化等方面進(jìn)行了許多創(chuàng)新，現(xiàn)已成功安裝在發(fā)動(dòng)機(jī)艙內(nèi)。

未來(lái)，ZeroAvia 的SiC逆變器技術(shù)將應(yīng)用于各種尺寸的發(fā)動(dòng)機(jī)，如9-19 座飛機(jī)的600kW ZA600 發(fā)動(dòng)機(jī)及HyperCore 發(fā)動(dòng)機(jī)。目前，該逆變器正在ZA600上進(jìn)行認(rèn)證工作，或在2025年底前完成認(rèn)證。