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鎧俠及西部數(shù)據(jù)率先提升產(chǎn)能利用率,帶動(dòng)全年NAND Flash供應(yīng)位元年增率上升至10.9%

03/19 15:03
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NAND Flash漲價(jià)將持續(xù)至第二季的預(yù)期下,部分供應(yīng)商為了減少虧損、降低成本,并寄望于今年重回獲利。今年三月起鎧俠/西部數(shù)據(jù)率先將產(chǎn)能利用率恢復(fù)至近九成,其余業(yè)者均未明顯增加投產(chǎn)規(guī)模。

TrendForce集邦咨詢進(jìn)一步表示,為應(yīng)對(duì)下半年旺季需求,加上鎧俠/西部數(shù)據(jù)本身庫(kù)存已處低水位,本次擴(kuò)大投產(chǎn)主要集中112層及部分2D產(chǎn)品,有望在今年實(shí)現(xiàn)獲利,并進(jìn)一步帶動(dòng)2024年NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)位元年增率達(dá)10.9%。

角逐高層數(shù)領(lǐng)先地位,鎧俠預(yù)計(jì)于2025年擴(kuò)大218層產(chǎn)能

制程方面,2024年隨著NAND Flash價(jià)格反轉(zhuǎn),供應(yīng)商的庫(kù)存水位也開(kāi)始逐步降低,為了維持長(zhǎng)期成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),供應(yīng)商也開(kāi)始升級(jí)制程。其中,又以三星(Samsung)和美光(Micron)最積極,預(yù)估兩家業(yè)者于今年第四季時(shí),200層以上制程產(chǎn)出將超過(guò)四成。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)2024年產(chǎn)出重心仍為112層,而受惠于日本政府補(bǔ)助支持,預(yù)計(jì)今年下半年將開(kāi)始移入設(shè)備,增加218層產(chǎn)出,預(yù)估2025年218層產(chǎn)出更為積極。根據(jù)鎧俠目前的制程研發(fā)規(guī)劃,為了達(dá)成更佳成本結(jié)構(gòu),并寄望能在技術(shù)及成本上重回領(lǐng)先地位,218層之后產(chǎn)品將直接邁入300層以上制程。

NAND Flash需求位元成長(zhǎng)不如預(yù)期,下半年價(jià)格漲幅可能收斂

繼鎧俠/西部數(shù)據(jù)后,目前觀察NAND Flash供應(yīng)商將陸續(xù)于下半年增加投產(chǎn),但隨著PC及智能手機(jī)買家第一季庫(kù)存水位持續(xù)上升,后續(xù)采購(gòu)動(dòng)能進(jìn)一步收斂。與此同時(shí),AI功能并未在今年實(shí)際帶動(dòng)NAND Flash容量升級(jí),若最主要的需求市場(chǎng)Enterprise SSD采購(gòu)沒(méi)有明顯回升,今年整體NAND Flash需求位元成長(zhǎng)可能不如預(yù)期。因此,TrendForce集邦咨詢預(yù)期,NAND Flash合約價(jià)漲幅自第二季起,將收斂至10~15%,至第三季會(huì)再降至0~5%。

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