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存儲芯片市場在經(jīng)歷了持續(xù)下滑之后，自2022年四季度以來，存儲芯片原廠開始相繼啟動減產(chǎn)，以緩解存儲芯片市場供過于求的局面。而2023年下半年以來，隨著市場需求的逐步回暖，存儲芯片原廠也開始持續(xù)推動漲價，以改善市場的預(yù)期。
從近期存儲芯片原廠公布的財報來看，存儲芯片市場已經(jīng)觸底反彈，推動了業(yè)績大漲。而下游的存儲模組廠商的業(yè)績也跟著實現(xiàn)了逆轉(zhuǎn)。但是這一輪存儲芯片漲價潮是由原廠控產(chǎn)推動的，并不是市場需求上漲推動的。所以，后續(xù)的漲價能否持續(xù)仍有待觀察。
佰維存儲凈利同比暴漲242.84%，股價20%漲停
4月16日晚間，國產(chǎn)存儲模組廠商佰維存儲發(fā)布了2024年第一季度業(yè)績預(yù)告，預(yù)計公司第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入為 170,000 萬元至 180,000 萬元，同比暴漲 299.54%至 323.04%；實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤為1.5億元至1.8億元，同比暴漲219.03%~242.84%，實現(xiàn)扭虧為盈。
同時，業(yè)績預(yù)告還指出，公司2024年第一季度股份支付費用約為8500萬元，如果剔除股份支付費用影響后，歸屬于母公司所有者的凈利潤將達到為2.35億元至2.65億元。
作為對比，公司 2023 年第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入 42,549.11 萬元；歸屬于母公司所有者的凈利潤為-12,601.52 萬元，歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤-12,912.08 萬元。
顯然，佰維存儲在整個存儲芯片市場需求回暖、價格上漲的帶動之下，業(yè)績出現(xiàn)了觸底反彈。
對于業(yè)績增長的原因，佰維存儲也表示，2023 年第四季度以來，存儲行業(yè)回暖，下游客戶需求持續(xù)復蘇，公司大力拓展國內(nèi)外一線客戶，產(chǎn)品銷量同比大幅提升。同時，存儲產(chǎn)品價格持續(xù)回升，公司經(jīng)營業(yè)績不斷改善。
此外，佰維存儲還指出，公司在存儲解決方案研發(fā)、芯片設(shè)計、先進封測和測試設(shè)備等領(lǐng)域不斷加大研發(fā)投入，持續(xù)增強核心競爭力，2024 年第一季度研發(fā)費用約為 1 億元，同比增長超過 200%。
受一季度凈利潤暴漲的影響，佰維存儲今日開盤后股價便迅速上漲20%漲停，截至午盤股價收于44.92元/股，市值達193.30億元。
在佰維存儲的帶動之下，諸多國產(chǎn)存儲廠商的股價也紛紛大漲，截至午盤收盤，江波龍上漲8.85%、香農(nóng)芯創(chuàng)上漲6.37%、兆易創(chuàng)新上漲7.87%、德明利上漲10%。
存儲芯片漲價能否持續(xù)？
受全球半導體市場需求下滑的影響，2022年下半年開始鎧俠、美光、SK海力士等存儲芯片大廠就開始陸續(xù)進行了減產(chǎn)，隨后三星也在2023年二季度開始了減產(chǎn)，以期改善供需結(jié)構(gòu)，提升業(yè)績。而隨著減產(chǎn)效應(yīng)的顯現(xiàn)，以及2023年三季度以來市場需求的回暖，原廠開始紛紛推動DRAM和NAND Flash芯片價格上漲。
此前的報道顯示，2023年四季度三星對其DRAM及NAND Flash芯片報價都上調(diào)了10%至20%。研究機構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季NAND Flash合約價環(huán)比漲幅約15%~20%，并預(yù)計NAND Flash第二季度的合約價格將會繼續(xù)上漲13~18%。美光公布的財報顯示，其截至2024年2月29日第二財季的DRAM平均價格上漲了10%，NAND Flash的平均價格漲幅更是超過了30%。
根據(jù)相關(guān)原廠最新公布的一季度業(yè)績也顯示，受益存儲芯片價格上漲，營收及利潤均出現(xiàn)了大逆轉(zhuǎn)。
美光截至2024年2月29日的2024財年第二季財報顯示，該季營收同比大漲58%（環(huán)比增長23%）至58億美元，GAAP(依照公認會計準則)凈利潤為7.93億美元，Non-GAAP凈利潤為4.76億美元，實現(xiàn)扭虧為盈。
三星電子公布的2024年第一季度初步業(yè)績顯示，該季度三星電子實現(xiàn)營業(yè)利潤約為6.6萬億韓元（約合353.76億元人民幣），同比暴漲931.25%，結(jié)束了自2022年第三季度以來連續(xù)六個季度的下滑，甚至將超過2023年全年營業(yè)利潤（6.57萬億韓元）。
但是從美光財報的具體表現(xiàn)來看，其DRAM和NAND Flash價格都出現(xiàn)了大幅的上漲，但是僅有DRAM出貨量存在個位數(shù)百分比的增長，NAND Flash的出貨量卻出現(xiàn)了低個位數(shù)百分比的下降。顯然，這一輪的存儲芯片漲價潮主要還是原廠主動減產(chǎn)和強勢漲價推動下所導致的，并不是由于市場需求持續(xù)增長所帶動的。這也給后續(xù)的漲價能否維持帶來了不確定性。
據(jù)韓國媒體《朝鮮日報》報道，三星電子今年一季度在韓國平澤和中國西安NAND Flash閃存生產(chǎn)線的晶圓投片量，相較上一季將提升了約30%。但是，三星方面對進一步的增產(chǎn)仍然保持謹慎態(tài)度，希望避免影響到NAND Flash的價格漲勢。目前三星內(nèi)部對今年第二到四季的單季晶圓投片量均設(shè)下了120萬片的上限（總產(chǎn)能200萬片），這代表著其整體產(chǎn)能利用率只維持在60%以下。同樣SK海力士也已經(jīng)設(shè)定了每季度約60萬片的NAND Flash晶圓投片量的上限，整體產(chǎn)能利用率也在50%~60%左右。
顯然，從上游存儲芯片原廠對于今年產(chǎn)能控產(chǎn)的趨勢來看，他們對于今年市場對于存儲芯片整體實際需求增長的預(yù)期并不樂觀。依然是希望靠著控制供給來維持漲價。
對于存儲芯片原廠下游的模組廠商來說，存儲芯片原廠推動價格上漲會直接傳到他們身上，使得他們的成本上升，而為了轉(zhuǎn)嫁成本上漲壓力，存儲模組廠商必然需要對下游的終端客戶也進行漲價。
但是，目前雖然企業(yè)級儲存及云端服務(wù)器應(yīng)用的需求不錯，特別是AI帶動了對于HBM、LPDDR5的需求，但消費類及其他應(yīng)用市場的對于DRAM和NAND Flash需求卻并不穩(wěn)定，只能說是剛剛回暖，存儲芯片的價格漲幅遠高于市場（特別是消費類市場）需求的增長。所以，對于下游的終端客戶來說，如果市場實際需求并不那么旺盛，可能是不愿意接受大幅漲價的，這也會在一定程度上抑制客戶端的需求。
所以，對于存儲模組廠商來說，其將會夾在上游的存儲芯片原廠要求漲價、以及下游的大客戶抵抗?jié)q價之間，兩頭承壓，畢竟存儲模組廠商不論是對上游的存儲芯片原廠，還是對下游的大客戶，都缺乏足夠的議價權(quán)。
據(jù)財聯(lián)社報道，部分存儲器模組業(yè)者私下透露，近期將不會跟進上游存儲芯片原廠此次漲價，并將棄單不采購，暫時保持觀望，畢竟終端需求并不旺盛，如果貿(mào)然跟進上游原廠的漲價，可能會導致客戶流失，訂單縮減。更何況，在過去兩年的“存儲市場寒冬”當中，不少存儲模組廠商積累的大量庫存都還沒有消化完畢。比如佰維存儲2023年三季度末存貨價值仍高達20.91億元。
不過，從佰維存儲最新公布的一季度業(yè)績預(yù)告來看，佰維存儲的似乎成功將上游芯片原廠的漲價傳導到了下游客戶，而其之前的存貨價值也有望提升，這將直接有助于利潤的提升。但是，漲價能否持續(xù)，終端市場需求是否持續(xù)上升，后續(xù)還有待觀察。
需要指出的是，一季度不止佰維存儲扭虧為盈，另一家閃存主控芯片設(shè)計及存儲模組廠商德明利也于4月9日發(fā)布了亮眼的一季度業(yè)績預(yù)告。
德明利預(yù)計一季度歸母凈利潤預(yù)盈1.86億元-2.26億元，上年同期虧損4378.44萬元，同比增長524.81%至616.17%，扭虧為盈，凈利潤創(chuàng)下單季度歷史新高。但是，就在公告發(fā)布次日，德明利股價開盤后快速下挫，直接跌停。
顯然，之前德明利公布凈利暴漲的一季度業(yè)績預(yù)告之后，股價卻跌停，而這似乎也正是由于外界對于存儲模組廠商對于存儲芯片漲價向下游客戶的轉(zhuǎn)嫁能力以及后續(xù)漲價能否持續(xù)的不確定。
編輯：芯智訊-浪客劍
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