用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器

新型驅(qū)動器可提供量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時序，將開關(guān)損耗降至最低，并增強(qiáng)dV/dt抗擾性能

Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。

IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時序，同時將開關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動偏置，以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動器的工作電壓范圍（VDD - VSS）高達(dá)35V，具有出色的靈活性和性能。

IX4352NE的突出功能之一是配備內(nèi)部負(fù)電荷泵調(diào)節(jié)器，無需外部輔助電源設(shè)備或DC/DC轉(zhuǎn)換器。 該功能對于關(guān)斷SiC MOSFET尤其實用，可以節(jié)省外部邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路通常所需的寶貴空間。 邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)TTL或CMOS邏輯電平兼容，進(jìn)一步增強(qiáng)了節(jié)省空間的能力。

IX4352NE非常適合在各類工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動SiC MOSFET，例如：

• 車載和非車載充電器，
• 功率因數(shù)校正（PFC），
• DC/DC轉(zhuǎn)換器，
• 電機(jī)控制器，和
• 工業(yè)電源逆變器。

卓越的性能使其成為電動汽車、工業(yè)、替代能源、智能家居和樓宇自動化市場中要求苛刻的電力電子應(yīng)用的理想選擇。

憑借其全面的功能，IX4352NE簡化了電路設(shè)計并提供了更高的集成度。 內(nèi)置保護(hù)功能，如帶軟關(guān)斷灌電流驅(qū)動器的去飽和檢測（DESAT）、欠壓鎖定（UVLO）和熱關(guān)斷（TSD）等，可確保功率器件和柵極驅(qū)動器得到保護(hù)。 集成的開漏FAULT輸出向微控制器發(fā)出故障信號，增強(qiáng)了安全性和可靠性。 此外，IX4352NE還能節(jié)省寶貴的PCB空間并提高電路密度，有助于提高整體系統(tǒng)效率。

對現(xiàn)有IX4351NE的顯著改進(jìn)包括：

• 由DESAT啟動的安全軟關(guān)斷。
• 高閾值精度熱關(guān)斷。
• 電荷泵在熱關(guān)斷期間的工作能力。

新款I(lǐng)X4352NE與引腳兼容，可無縫替換指定使用現(xiàn)有Littelfuse IX4351NE的設(shè)計，該設(shè)計于2020年發(fā)布。

“IX4352NE通過一種新型9A拉/灌電流驅(qū)動器擴(kuò)展了我們廣泛的低側(cè)柵極驅(qū)動器系列，簡化了SiC MOSFET所需的柵極驅(qū)動電路?！盠ittelfuse集成電路部（SBU）產(chǎn)品經(jīng)理June Zhang表示， “其各種內(nèi)置保護(hù)功能和集成電荷泵提供了可調(diào)的負(fù)柵極驅(qū)動電壓，能提高dV/dt抗擾度和關(guān)斷速度。 因此，該產(chǎn)品可以用來驅(qū)動任何SiC MOSFET或功率IGBT，無論是Littelfuse器件還是市場上任何其他類似器件?！?/p>

供貨情況

IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器以每管50只的管裝形式供貨，也可以卷帶封裝形式供貨，起訂量2,000只。 可通過Littelfuse全球各地的授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。