加入星計劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權(quán)保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

東方晶源PanGen?平臺再添新成員 套刻標(biāo)記優(yōu)化工具PanOVL上線

10/23 07:18
425
閱讀需 4 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

引言

當(dāng)半導(dǎo)體制造工藝演進到22nm及以下節(jié)點時,隨著多重圖形技術(shù)的引入,對不同工藝層之間套刻(Overlay)誤差的要求變得越來越高。套刻測量技術(shù)可分為基于像面圖像識別測量技術(shù)和基于衍射原理的DBO(Diffraction Based Overlay)測量技術(shù)。相比于基于圖像識別的方法,基于衍射的套刻誤差測量具有更好的測量結(jié)果重復(fù)性、更低的設(shè)備引起測量誤差TIS(Tool Introduced Shift)、可適應(yīng)更小的特征尺寸等特點,成為大規(guī)模集成電路22 nm及以下工藝技術(shù)節(jié)點所廣泛采用的套刻測量方式。

為了測量套刻誤差,在晶圓上需要專門設(shè)計特定的套刻標(biāo)記,套刻誤差裝置測量的性能很大程度上取決于套刻標(biāo)記的設(shè)計。基于計算光刻的DBO套刻標(biāo)識優(yōu)化工具可以仿真套刻誤差測量的關(guān)鍵指標(biāo),從而基于仿真結(jié)果可以給出具有更佳表現(xiàn)的套刻標(biāo)記設(shè)計方案,進而縮短標(biāo)記研發(fā)的周期并提高整個光刻過程的效率和質(zhì)量。

產(chǎn)品簡介

東方晶源基于堅實的計算光刻平臺PanGen?推出了DBO套刻標(biāo)記仿真優(yōu)化產(chǎn)品PanOVL,可以對套刻標(biāo)記從多個關(guān)鍵指標(biāo)維度展開計算仿真。同時考慮大規(guī)模仿真海量套刻標(biāo)記的應(yīng)用場景,PanOVL引入了分布式的計算框架,大大加速了通過仿真尋找更優(yōu)套刻標(biāo)記的效率。

產(chǎn)品功能

東方晶源的PanOVL軟件利用PanGen OPC?引擎以及PanGen Sim?嚴(yán)格電磁場仿真引擎,借助GPU+CPU混算平臺和PanGen?分布式計算框架,可以進行大規(guī)模套刻標(biāo)記仿真,并綜合多個維度的仿真結(jié)果優(yōu)選出表現(xiàn)更佳的套刻標(biāo)記方案用于實際光刻工藝。 PanOVL可以識別具有較大工藝窗口的套刻標(biāo)記、給出滿足良好信噪比并且探測信號抗工藝擾動能力更強的套刻標(biāo)記,還可以仿真曝光過程像差對套刻標(biāo)記的影響,提供令套刻測量結(jié)果更貼合器件實際情況的套刻標(biāo)記。

展望

東方晶源PanOVL產(chǎn)品的發(fā)布豐富了PanGen?計算光刻平臺產(chǎn)品矩陣,同時通過以PanOVL產(chǎn)品為紐帶可以加強與產(chǎn)業(yè)鏈上下游的合作,為客戶提供更全面的服務(wù),助力客戶在晶圓制造能力方面的提升。PanOVL的研發(fā)將進一步夯實東方晶源在計算光刻領(lǐng)域的技術(shù)全面性和拓展性,為業(yè)界帶來更加領(lǐng)先、前瞻的晶圓制造EDA解決方案。

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜