利用 MOS管設(shè)計(jì)一種基于H橋的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的改進(jìn)方案分享

在飛思卡爾比賽中電機(jī)驅(qū)動(dòng)肯定必不可少，在對(duì)比了大多數(shù)用集成的MOS驅(qū)動(dòng)半橋設(shè)計(jì)中，根據(jù)芯片手冊(cè)和芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)做出的驅(qū)動(dòng)不管是仿真還是實(shí)物都不盡人意，歸根結(jié)底是高側(cè)MOS的重載沒有得到很好的解決，所謂的重載問題就是高側(cè)MOS導(dǎo)通時(shí)壓降很小，源極接近于VDD，而MOS要導(dǎo)通Vgs需要大于開啟電壓，這就導(dǎo)致了高側(cè)MOS沒有完全導(dǎo)通，還處于高阻區(qū)，電壓大部分降在MOS上了。

一般的做法是利用自舉電路將電壓抬高，自舉電路是直流與方波通過二極管和電容的耦合。個(gè)人感覺不好使，通過幾次的改進(jìn)，用三極管將隔離升壓芯片的電壓以上拉的形式導(dǎo)通MOS，因?yàn)閷?dǎo)通MOS的柵極基本不需要電流，所以升壓芯片沒有太大的負(fù)擔(dān)，NPN與PNP的配合使用，邏輯上也得到了很好的解決，即輸入的控制信號(hào)邏輯同時(shí)期為1或0時(shí)4個(gè)MOS都不導(dǎo)通，避免同側(cè)MOS將電源短路。這個(gè)電路已經(jīng)同過理論、實(shí)踐和模電老師的法眼（本人大二，大一時(shí)已自學(xué)模電），但是還是決定用7971，原因有的悲催。。。。。

將原理圖和PCB共享，希望用得上的可以拿去用?；蛘吒倪M(jìn)?；蛘邔W(xué)習(xí)?；蛘咧更c(diǎn)一二。高手大伽肯定看不上。

出自北方民族大學(xué)