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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。

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759

2021/08/23

dram 晶體管
柵極電流

柵極電流（Gate current）是指在場效應(yīng)管、晶體管等半導(dǎo)體器件中，從柵極（Gate）流入或流出的電流。它在半導(dǎo)體器件的工作過程中起到重要的作用，對器件的性能和穩(wěn)定性具有重要影響。

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8363

2023/05/25

電流柵極
柵極

柵極是一種用于控制場效應(yīng)管或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等電子器件的元件。它通常是一個金屬片或一組金屬線構(gòu)成的網(wǎng)格，位于器件的通道和漏極之間。

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2023/05/10

柵極
柵極的檢測方法門極和柵極的區(qū)別

晶體管是現(xiàn)代電子技術(shù)中常用的一種電子元件，而晶體管中的柵極也是十分重要的組成部分之一。下面我們來了解一下柵極的檢測方法以及門極和柵極的區(qū)別。

eefocus_3880508

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2023/04/20

柵極
柵極源極漏極怎么區(qū)分源極柵極和漏極各有什么作用

柵極是場效應(yīng)晶體管的一個重要部分，它可以通過改變其電壓來控制器件的導(dǎo)通與截止。在N型場效應(yīng)晶體管中，柵極與源極之間存在一條類似二極管的結(jié)構(gòu)，稱為P-N結(jié)，而漏極則與源極相連?？梢酝ㄟ^使用萬用表或者示波器測量PN結(jié)的正負極性來確定柵極的位置。

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1.7萬

2023/03/16

柵極

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