隨著先進封裝的深入進展,重新分布層(RDL)技術(shù)獲得了巨大的關(guān)注。這種革命性的封裝技術(shù)改變了我們封裝 IC 的方式。RDL 技術(shù)是先進封裝異質(zhì)集成的基礎(chǔ),廣泛應(yīng)用扇出封裝、扇出基板上芯片、扇出層疊封裝、硅光子學(xué)和 2.5D/3D 集成方法,實現(xiàn)了更小、更快和更高效的芯片設(shè)計。OSAT、 IDM和代工廠在這條道上的競爭日益激烈。如今RDL L/S?擴展到最先進 2μm及以下。未來三年將進入亞微米,賦能扇出封裝更高效能集成。本文為各位看官匯報了相關(guān)趨勢展望與企業(yè)技術(shù)進展。