先進(jìn)封裝技術(shù)之爭 | RDL線寬線距將破亞微米，賦能扇出封裝高效能低成本集成

RDL 技術(shù)是先進(jìn)封裝異質(zhì)集成的基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用扇出封裝、扇出基板上芯片、扇出層疊封裝、硅光子學(xué)和 2.5D/3D 集成方法，實(shí)現(xiàn)了更小、更快和更高效的芯片設(shè)計(jì)。OSAT、 IDM和代工廠在這條道上的競爭日益激烈。如今RDL L/S?擴(kuò)展到最先進(jìn) 2μm及以下。未來三年將進(jìn)入亞微米，賦能扇出封裝更高效能集成。本文為各位看官匯報(bào)了相關(guān)趨勢展望與企業(yè)技術(shù)進(jìn)展。

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隨著先進(jìn)封裝的深入進(jìn)展，重新分布層（RDL）技術(shù)獲得了巨大的關(guān)注。這種革命性的封裝技術(shù)改變了我們封裝 IC 的方式。

再分布層，RDL（Re-distributed layer），是實(shí)現(xiàn)芯片水平方向電氣延伸和互連，面向 3D/2.5D 封裝集成以及FOWLP的關(guān)鍵技術(shù)。它在芯片表面沉積金屬層和相應(yīng)的介電層，形成金屬導(dǎo)線，并將IO端口重新設(shè)計(jì)到新的、更寬敞的區(qū)域，形成表面陣列布局。這項(xiàng)技術(shù)使得芯片間的鍵合更薄、工藝更簡單。RDL技術(shù)有助于設(shè)計(jì)人員能夠以緊湊且高效的方式放置芯片從而減少器件的整體占地面積。

CoWoS-R 插圖，CoWoS-R 是臺(tái)積電開發(fā)的一種 3D 集成技術(shù)，可在單個(gè)封裝中堆疊多個(gè)芯片?圖源：TSMC

降低設(shè)備成本：RDL 技術(shù)消除了昂貴且耗時(shí)的引線鍵合和倒裝芯片鍵合工藝，減少了設(shè)備所需的元件數(shù)量，有助于降低設(shè)備成本。還用于創(chuàng)建需要小外形尺寸的高性能 IC。

減少占地面積：RDL將多個(gè)芯片集成到單個(gè)封裝中，從而減少器件的整體占地面積。這有助于打造更微型更緊湊的電子元件，這對(duì)智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備至關(guān)重要。

芯片上的重新分布層 (RDL) 圖源：Lam Research

最后的芯片扇出 WLP 相對(duì)于 FCBGA 和 PoP 架構(gòu)將封裝厚度減少了 50%。圖源：三星

改善電氣性能：RDL 中介層因具有極小的信號(hào)通孔尺寸，而大幅改善了 SerDes 信號(hào)完整性 (SI)，并且因 RDL 金屬厚度而改善了內(nèi)存 SI。此外，采用的低損耗介電材料有助于降低介電損耗。

提高設(shè)計(jì)靈活：RDL 介質(zhì)層利用精細(xì)的線路寬度和間距減少了路由干繞，?提供了一種在 IC 內(nèi)路由信號(hào)和電源的方法，支持更多的引腳數(shù)量。I/O觸點(diǎn)間距更靈活、凸點(diǎn)面積更大。

封裝應(yīng)用廣泛：廣泛用于MEMS器件、傳感器、功率器件、存儲(chǔ)器、微處理器和圖形處理器的封裝。

技術(shù)趨勢與挑戰(zhàn)

RDL的技術(shù)進(jìn)步對(duì)先進(jìn)封裝意義非常。如今，4層RDL已經(jīng)成熟，良率已達(dá)到99%的水平，約85%的封裝需求可以通過4層 RDL 來滿足，未來幾年，布線層數(shù)從4層增加到8層以上。頭部廠商封裝業(yè)務(wù) RDL L/S 將從2023/2024年的2/2μm發(fā)展到2025/2026的1/1μm，再跨入到2027年以后的0.5/0.5μm。

RDL技術(shù)是一個(gè)復(fù)雜的過程，通常涉及半加成工藝，包括電介質(zhì)沉積、濕法或干法蝕刻、阻擋層和籽晶層沉積以及鍍銅。需要掩膜設(shè)備、涂膠機(jī)、濺射臺(tái)、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)以及其他配套工藝。

內(nèi)聯(lián)重布線（IRDL）層是一種先進(jìn)的FAB技術(shù)，能夠降低流程成本，可以在不損害現(xiàn)有芯片架構(gòu)的前提下，將IO焊盤重新放置到封裝所需的位置。這項(xiàng)技術(shù)可以縮減成品厚度，有力地推動(dòng)SK海力士成為移動(dòng)市場技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。圖源：SK海力士

先進(jìn)扇出和異構(gòu)封裝中的問題包括芯片移位、芯片翹曲、芯片間應(yīng)力以及 RDL 走線損壞的風(fēng)險(xiǎn)。RDL 工藝涉及在有機(jī)聚酰亞胺 (PI) 或聚苯并惡唑 (PBO) 薄膜的狹窄跡線內(nèi)鍍銅。新工藝旨在提高 RDL 粘附力，同時(shí)減少熱循環(huán)過程中的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力。為了管理復(fù)雜的相互作用，先進(jìn)的建模、材料工程和晶圓工藝正在投入使用，以確保穩(wěn)健的 RDL 制造。

為了實(shí)現(xiàn)高密度、高帶寬的芯片互連，推動(dòng)RDL 技術(shù)的進(jìn)步，國內(nèi)同仁仍需要在L/S 1/1μm 細(xì)線條光刻、實(shí)現(xiàn)RDL 高 I/O 密度和精細(xì) I/O 間距的微孔加加工技術(shù)、低介電常數(shù)和低耗損因子的介電材料上和半加成法上，實(shí)現(xiàn)設(shè)備工藝的精細(xì)化。

從國產(chǎn)設(shè)備端，封裝內(nèi)部 L/S 往更細(xì)方向發(fā)展，給國產(chǎn)光刻步進(jìn)機(jī)提出更高要求；高端應(yīng)用的封裝尺寸普遍大于 1 reticle size，需引入更大尺寸 reticle size的光刻設(shè)備；2μm 以下 L/S 布線檢測的國產(chǎn) AOI 設(shè)備仍有很大發(fā)展空間。

頭部企業(yè)封裝品種RDL現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比?來源：未來半導(dǎo)體

廠商技術(shù)方案進(jìn)展

扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）作為新的異構(gòu)集成技術(shù)，與傳統(tǒng)的2.5D/3D 結(jié)構(gòu)相比，可以實(shí)現(xiàn)薄、高密度和低成本的封裝。其中就體現(xiàn)了RDL成本低的優(yōu)勢，也是RDL最關(guān)鍵的技術(shù)，可用于創(chuàng)建具有小外形尺寸的高性能封裝。

FOWLP受到一線公司的封裝技術(shù)支持，并以各自的產(chǎn)品命名，如臺(tái)積電的 InFo-Wlp，英飛凌/日月光/STATS ChipPAC的eWLB、安靠的SWIFT、Deca的M-Series，JCAP的ECP，Nepes的RCP，SPIL的TPI-FO等。本文暫不涉及與RDL相關(guān)的面板級(jí)封裝，相關(guān)文章請查看《先進(jìn)封裝技術(shù)之爭 | 扇出面板級(jí)封裝沒有最大只有更大！沒有標(biāo)準(zhǔn)只有極限！》

大約 53,000 條細(xì)間距 2um RDL 線形成總長度 140 米，通過層壓基板 (CoWoS-R) 上的有機(jī)中介層連接 4 個(gè) SOC 和 8 個(gè) HBM。來源：臺(tái)積電/IEDM

臺(tái)積電為片上系統(tǒng) (SoC)、存儲(chǔ)器件和功率器件等各種應(yīng)用提供廣泛的 RDL 技術(shù)解決方案，一個(gè)人寂寞狂奔。臺(tái)積電面向HPC應(yīng)用應(yīng)用的是CoWoS應(yīng)用。其中CoWoS-R利用InFO技術(shù)和RDL中介層實(shí)現(xiàn)HBM和SoC集成，也是低成本方案。CoWoS-L結(jié)合了CoWoS-S和InFO技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，使用夾層與LSI（局部硅互連）芯片進(jìn)行互連，使用 RDL層進(jìn)行電源和信號(hào)傳輸，提供靈活的集成。

臺(tái)積電目前向包括 NVIDIA 和 AMD 在內(nèi)的一系列客戶提供 CoWoS 服務(wù)，用于其當(dāng)前和即將推出的 AI GPU。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)變和對(duì)先進(jìn)封裝的依賴促使臺(tái)積電擴(kuò)大其 CoWoS 設(shè)施以滿足不斷增長的需求。

InFO是一個(gè)創(chuàng)新的晶圓級(jí)系統(tǒng)集成技術(shù)平臺(tái)，具有高密度RDL，可實(shí)現(xiàn)移動(dòng)、高性能計(jì)算等各種應(yīng)用的高密度互連和性能。相較于CoWoS方案，InFO則采用RDL代替硅中介層，無須TSV，性價(jià)比更高。

標(biāo)準(zhǔn)封裝具有核心基板，先進(jìn)集成扇出每側(cè)都有 2 至 5 層重新分布層 (RDL)，臺(tái)積電的InFO_oS 將這一概念提升到了一個(gè)新的水平。InFO_oS 利用 InFO 技術(shù)具有更高密度的 2/2μm RDL 線寬/間距，它提供多達(dá) 14 個(gè)重新分布層 ，可實(shí)現(xiàn)芯片之間非常復(fù)雜的布線。在芯片附近的基板上還有一層更高密度的布線層。Info_LSI技術(shù)是InFO_oS的升級(jí)版，此種封裝使用硅橋（RDL L/S：0.4/0.4μm）以及RDL層代替整塊硅達(dá)到了性能與成本的平衡。

InFO 用在了蘋果 iPhone和Mac系列產(chǎn)品、在特斯拉的Dojo超算以及AMD巨獸級(jí)芯片MI300上。iPhone 15 Pro 搭載 A17 Pro APL1V02 應(yīng)用處理器即采用鋁作為再分布層 (RDL)。Tesla ?D1 小芯片包含3個(gè)窄RDL層和 3個(gè)厚RDL層。

在這個(gè)全球加速轉(zhuǎn)變的時(shí)代，同時(shí)應(yīng)對(duì)惡霸的步步蠶食，三星正在針對(duì)AI、5G及HPC的成本/算力/性能/延遲/帶寬/功能迭代集成解決方案。其中 I-CubeE采用集成硅橋的RDL中介層，對(duì)比現(xiàn)有硅中介層降低22%封裝成本，且能夠利用嵌入 FO-PLP 中間并用作接口的硅橋的小 L/S 優(yōu)勢硅芯片之間。除了提供信號(hào)與電源完整性，支持大于掩模板（Reticle）4倍以上的大尺寸封裝。

R-Cube??是三星電子的低成本 2.5D RDL 中介層技術(shù)，該技術(shù)通過高密度 RDL實(shí)現(xiàn)邏輯到邏輯和邏輯到 HBM（高帶寬內(nèi)存）模塊的連接，相比H-Cube/X-Cube，更具備成本低、快速的周轉(zhuǎn)時(shí)間、設(shè)計(jì)靈活性和信號(hào)完整性。Samsung Foundry 正在開發(fā)一款 2.5D 無硅通孔 RDL 中介層技術(shù)，配備 2/2um 的L/S，以及集成了 4 個(gè) HBM 模塊的大型中介層（約為 1600mm2）。

三星半導(dǎo)體半導(dǎo)體先進(jìn)封裝（AVP）業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)正在致力于開發(fā)基于RDL、硅中介層/硅橋接和TSV堆疊技術(shù)的下一代2.5D和3D高級(jí)封裝解決方案。據(jù)悉，三星計(jì)劃明年推出其解決方案，并將其稱為SAINT的高級(jí)互連技術(shù)（SAINT S、SAINT D、SAINT L），以與臺(tái)積電廣受歡迎的CoWoS封裝技術(shù)競爭。

當(dāng)前，三星正在爭奪大量 HBM 內(nèi)存訂單，這些訂單將繼續(xù)為NVIDIA 的下一代 Blackwell AI GPU提供動(dòng)力。還贏得了 AMD 下一代 Instinct 加速器的訂單，但與臺(tái)積電深度綁定的 NVIDIA 控制90%人工智能市場相比，該訂單比例不足為傲。

正是這項(xiàng)技術(shù)的興起，使得封裝廠能夠在扇出封裝技術(shù)方面與頭部晶圓代工廠展開競爭。包括 ASE、Amkor 和JCET在內(nèi)的 OSAT提供多種具有先進(jìn) RDL 工藝的封裝類型。

ASE 集團(tuán)為內(nèi)存、微處理器和圖形處理器等各種應(yīng)用提供廣泛的 RDL 技術(shù)解決方案。其 VIPack 先進(jìn)封裝平臺(tái)，利用先進(jìn)的重布線層制程、嵌入式整合以及2.5D/3D 封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)超高密度和性能設(shè)計(jì)的三維異質(zhì)封裝結(jié)構(gòu)。其中FOCoS-CF 和 FOCoS-CL解決方案具備高層數(shù)（>6 層）和細(xì)線/間距（L /S = 1μm/1μm），適用于需要高密度芯片間連接、高輸入/輸出計(jì)數(shù)和高速信號(hào)傳輸?shù)膽?yīng)用。

FOCoS（Fan-Out Chip on Substrate）?封裝技術(shù)可實(shí)現(xiàn)小芯片與多達(dá)五層的多個(gè) RDL 互連、1.5/1.5μm 的較小 RDL L/S 以及 34x50mm2?的大扇出模塊尺寸的集成。它還提供廣泛的產(chǎn)品組合集成，例如具有高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的專用集成電路 (ASIC) 和具有 Serdes 的 ASIC，涵蓋 HPC、網(wǎng)絡(luò)、人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí) (AI/ML) 和云端。此外，由于消除了硅中介層并降低了寄生電容，F(xiàn)OCoS 比 2.5D Si TSV 表現(xiàn)出更好的電氣性能和更低的成本。

FOCoS-CF 由兩個(gè)面朝下的 ASIC 小芯片組成，通過 Cu 過孔直接與 RDL 連接，并且 Si 芯片和扇出 RDL (L/S 2/2 um) 之間沒有微凸塊；FOCoS-CL 由并排配置的三個(gè)小芯片（1 個(gè) ASIC 芯片和 2 個(gè) HBM）構(gòu)建而成。ASIC 芯片和 2 個(gè) HBM 通過 RDL (L/S 2/2 um) 和 Cu 微凸塊連接。

FOCoS-Bridge是一種 2.5D 封裝，它具有 ASIC和 HBM 兩個(gè)芯片，兩者通過嵌入 RDL 的硅橋芯片實(shí)現(xiàn)超細(xì)間距互連，硅橋芯片 (L/S 0.6/0.6 um) 嵌入扇出 RDL 層 (L/S 10/10 um)，用于在 ASIC 和 HBM 之間建立連接。

扇出基板橋接芯片 (FOCoS-B) 原理圖（上圖）和橫截面圖（下圖）可實(shí)現(xiàn)比 RDL 更小的芯片到芯片連接 (0.8μm)。資料來源：ASE/IEDM

日月光看好人工智能驅(qū)動(dòng)的長期半導(dǎo)體需求，正在擴(kuò)大馬來西亞檳城工廠的產(chǎn)能。到今年底，日月光將有46座智能工廠，占全球半導(dǎo)體后段專業(yè)封測代工（OSAT）產(chǎn)業(yè)出貨量比重約32%，占臺(tái)灣地區(qū)OSAT出貨量比重超過50%。

安靠科技是一家全球半導(dǎo)體封裝和測試服務(wù)提供商。Amkor Technology 為傳感器、MEMS 器件和功率器件等各種應(yīng)用提供廣泛的 RDL 技術(shù)解決方案。

安靠的硅片集成扇出技術(shù) ( SWIFT /HDFO) 旨在在更小的占地面積內(nèi)提供更高的 I/O 和電路密度。SLIM及SWIFT方案均采用TSV-less工藝，其中SWIFT是Amkor的最先進(jìn)的高密度扇出結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn) 2/2 μm 線/間距特性，從而實(shí)現(xiàn)通常使用2.5D TSV 的SoC 分區(qū)和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用所需的非常高密度的芯片到芯片連接。細(xì)間距芯片微凸塊為應(yīng)用處理器和基帶設(shè)備等先進(jìn)產(chǎn)品提供高密度互連。SLIM利用前道代工，在硅片表面的無機(jī)介質(zhì)層上制作1μm，甚至亞微米金屬布線，L/S小于 2um。

HDFO高密度扇出性封裝是基于SWIFT?開發(fā)而成的異構(gòu)芯片封裝方案, 先將有微凸塊的芯片貼合至RDL預(yù)布線的介質(zhì)層，也就是中段組裝流程，切單后再倒裝至FCBGA 基板以完成異構(gòu)芯片封裝。該技術(shù)保持了高密度連線，出色的信號(hào)質(zhì)量，無需TSV，在GPU 和FPG、服務(wù)器市場上進(jìn)一步降低封裝成本。

10月份，總投資16億美元的安靠越南芯片封測工廠開始運(yùn)營。Amkor正在提高先進(jìn)封裝生產(chǎn)能力，2023年初為3000晶圓/月，預(yù)計(jì)到2024年上半年，2.5D封裝量將達(dá)到5000個(gè)晶片/月。到2024年，英偉達(dá)預(yù)計(jì)將占安靠2.5D封裝產(chǎn)量的70-80%。

在RDL技術(shù)能力上，長電科技擁有國內(nèi)領(lǐng)先的XDFOI?平臺(tái)，該平臺(tái)是一種基于 RDL 的高性價(jià)比小芯片封裝解決方案，專為異構(gòu)集成量身定制?？蓪?shí)現(xiàn)線寬和線距低至 2 微米的多個(gè)重新分布層 (RDL)。此外，極窄的凸點(diǎn)間距互連技術(shù)和大封裝尺寸允許集成多個(gè)芯片或小芯片、高帶寬存儲(chǔ)器和無源元件。

XDFOI?將一個(gè)或多個(gè)邏輯芯片（CPU/GPU等）、I/O芯片和/或高帶寬內(nèi)存芯片（HBM）放置在RDL堆棧中介層（RSI）上，形成高度集成的異構(gòu)封裝。XDFOI?可以將高密度fcBGA基板“小型化”，將部分分布層轉(zhuǎn)移到RSI基板上，利用RSI線寬和線距縮小至2微米的優(yōu)勢，減少芯片互連間距，實(shí)現(xiàn)更高效率以及靈活的系統(tǒng)集成。另外，部分SoC互連可以轉(zhuǎn)移到RSI，實(shí)現(xiàn)基于Chiplet的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新和芯片的高性能和低成本。

目前長電科技XDFOI?已有穩(wěn)定量產(chǎn)的2.5D RDL高性能封裝方案，并持續(xù)推進(jìn)多樣化方案的研發(fā)及量產(chǎn)，向國內(nèi)外客戶提供面向小芯片架構(gòu)的高性能先進(jìn)封裝解決方案，在行業(yè)技術(shù)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)均居于領(lǐng)先。從產(chǎn)能布局，長電科技是國內(nèi)最大參與者之一。長電科技臨港工廠是國內(nèi)首個(gè)大規(guī)模專業(yè)生產(chǎn)車規(guī)級(jí)芯片成品的先進(jìn)封裝基地。公司計(jì)劃在2025年上半年實(shí)現(xiàn)設(shè)備進(jìn)廠，然后進(jìn)入到量產(chǎn)的階段。

通富微電有面向高性能計(jì)算研發(fā)和量產(chǎn)的? VisionS 2.5D/3D Chiplet方案，自建2.5D/3D產(chǎn)線全線通線，1+4產(chǎn)品及4層/8層堆疊產(chǎn)品研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)；基于ChipLast工藝的Fan-out技術(shù)，實(shí)現(xiàn)5層RDL超大尺寸封裝（65×65mm）；超大多芯片F(xiàn)CBGA MCM技術(shù)，實(shí)現(xiàn)最高13顆芯片集成及100×100mm以上超大封裝。在FO系列中，提供Chip First和Chip last兩種方案， 重分布L/S為2/2um，應(yīng)用于MIC、RF、CPU、GPU和網(wǎng)絡(luò)。

公司通過在多芯片組件、集成扇出封裝、2.5D/3D等先進(jìn)封裝技術(shù)方面的提前布局，并且完成高層數(shù)再布線技術(shù)開發(fā)，不斷強(qiáng)化與客戶的深度合作，滿足客戶AI算力等方面需求。

華天科技三維晶圓級(jí)封裝平臺(tái)3D Matrix 旗下有eSiFO和eSinC。在高密度晶圓級(jí)扇出型封裝技術(shù)L/S為2/2um，RDL Layer為 6 P5M，封裝尺寸15×15mm。eSiFO通過在硅基板上刻蝕凹槽，將芯片正面向上放置且固定于凹槽內(nèi)，芯片表面和硅圓片表面構(gòu)成了一個(gè)扇出面，在這個(gè)面上進(jìn)行多層再布線，并制作引出端焊球，最后進(jìn)行切割、分離和封裝。

eSinC將多顆芯片集成，用硅基取代塑封料，實(shí)現(xiàn)的封裝尺寸最大可以達(dá)到40mm×40mm,未來RDL線寬線距越來越小，層數(shù)會(huì)越來越多。eSinC技術(shù)結(jié)合fine pitch RDL、hybrid bond、高級(jí)基板等平臺(tái)技術(shù)，可以進(jìn)一步提升封裝密度，建立完整的Chiplet封裝平臺(tái)。

華天科技正在大力發(fā)展高端芯片的晶圓和成品測試業(yè)務(wù)，積極擴(kuò)充高端測試產(chǎn)能規(guī)模。華天上海華天南京華天江蘇三大工廠新封裝項(xiàng)目明年起將陸續(xù)迎來量產(chǎn)。

甬矽電子正在積極布局先進(jìn)封裝相關(guān)領(lǐng)域，通過實(shí)施Bumping項(xiàng)目掌握的RDL及凸點(diǎn)加工能力，為公司后續(xù)開展晶圓級(jí)封裝、扇出式封裝及2.5D/3D封裝奠定了工藝基礎(chǔ)。公司致力于不斷縮小線寬，目前最小線寬可達(dá)5um，最小線間距可達(dá)5um。公司運(yùn)用于量產(chǎn)產(chǎn)品上的細(xì)線寬為最小線寬8um，最小線間距8um。

云天半導(dǎo)體開發(fā)了濾波器三維封裝、新型扇出封裝技術(shù)、玻璃通孔技術(shù)以及IPD技術(shù)，在玻璃通孔方向，用大馬士革工藝在玻璃基表面制備三層RDL堆疊；采用無機(jī)薄膜材料作為介質(zhì)層進(jìn)行制備；實(shí)現(xiàn)更細(xì)更高精度的金屬布線。2.5D TGV 將現(xiàn)有的5層 RDL L/S ?5um 推進(jìn)至 2024年的 7層? L/S ?5um，廣泛應(yīng)用在射頻組件、光電集成、MEMS。相關(guān)技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，為國內(nèi)眾多合作企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)提供了高效代工服務(wù)。

珠海天成先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)能力上，2.5D TSV硅轉(zhuǎn)接基板上，集成產(chǎn)品 RDL L/S可做到 3μm，正面4層RDL,硅基TSV轉(zhuǎn)接板最大尺寸30×50mm，可實(shí)現(xiàn)GPU、CPU、多層存儲(chǔ)器的高密度、高速、高可靠集成；在3D TSV 堆疊可實(shí)現(xiàn)8層RDL ?L/S 1μm；且可以實(shí)現(xiàn)芯片晶圓直接加工TSV互連、TSV硅轉(zhuǎn)接基板堆疊、多芯片TSV晶圓埋置堆疊。公司規(guī)劃總投資超30億元，其中一期總投資約16.5億元，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬片12英寸TSV立體集成晶圓產(chǎn)品，于2024年底實(shí)現(xiàn)通線。

芯德科技是一家快速成長的半導(dǎo)體高端封測科技新銳。擁有高密度重布線扇出結(jié)構(gòu)FOCT-R技術(shù)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了同質(zhì)異質(zhì)芯片間的互連；并且可以整合兩種具有不同特點(diǎn)的基板：高層數(shù)的基板，更精密的再布線轉(zhuǎn)接板（RDL Interposer）；還可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)更大的2.5D封裝，并降低基板層數(shù)。使用再布線和凸塊技術(shù)，實(shí)現(xiàn)最小2μm的線寬，2um間距的布線。芯德科技推出單芯片HPFO技術(shù)，采用Interposer來有效降低基板的制造層數(shù)。目前公司實(shí)現(xiàn)QFN、CSP、LGA/SIP、FCBGA、FCCS的量產(chǎn)。公司Chiplet揚(yáng)州工廠預(yù)計(jì)2024年完工；10月份，芯德科技完成6元融資持續(xù)助力CHIPLET等高端封測領(lǐng)域布局。

青島新核芯 Hyper 2D?是一種新封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行異質(zhì)整合，優(yōu)勢在于此結(jié)構(gòu)無需制備TSV interposer可使成本更具競爭力，其線寬限距可達(dá)2/2 um以下。主要制程均制作于載體基板上，可以壓縮制作時(shí)間并控制其良率，大大提升生產(chǎn)效率。另有FOStrip? 新型扇出型封裝技術(shù)，輕薄短小、性能好、散熱佳，封裝厚度減薄到0.6 mm以下，同時(shí)金屬線的跨距制作能力微縮到5um。

中科智芯產(chǎn)品主要集中在晶圓凸點(diǎn)/芯片規(guī)模封裝（WLCSP，Bumping）、扇出型封裝（Fanout WLP)、系統(tǒng)集成、三維堆疊封裝以及晶圓測試等高端封測業(yè)務(wù)。一期規(guī)劃兩個(gè)廠的晶圓級(jí)封裝產(chǎn)能為月產(chǎn)＞3萬片。實(shí)現(xiàn)重布線層與層、芯片之間高精度對(duì)位是公司晶圓級(jí)封裝的四大關(guān)鍵技術(shù)之一，晶圓級(jí)扇入封裝的重布線寬/線距 ≥ 5um/5um。

中科芯晶圓級(jí)封裝解決方案上，針對(duì)RDL向內(nèi)再布線，封裝體尺寸等于原來芯片尺寸，I/O數(shù)量一般小于200個(gè)；針對(duì)扇出型封裝RDL可以同時(shí)向內(nèi)/向外布線，封裝體尺寸大于原芯片尺寸，I/O數(shù)量可達(dá)10000個(gè)左右。目前，中科芯初步具備CoWoS-R工藝能力，RDL First，4P5M布線，最小線寬線距10μm，5層RDL，已開始生產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品。擁有自主JY12英寸晶圓級(jí)扇出型先進(jìn)封裝工藝線。從市場導(dǎo)入到產(chǎn)品交付，全周期質(zhì)量管控，具備一站式先進(jìn)封裝代工服務(wù)能力。

盛合晶微以先進(jìn)的12英寸高密度凸塊和再布線加工起步，致力于提供中段硅片制造和測試服務(wù)，SmartAiP?是世界首個(gè)超寬頻雙極化的5G毫米波天線芯片晶圓級(jí)集成封裝工藝，融合了多層雙面再布線(RDL)技術(shù)。3DFO是SmartPoser?技術(shù)平臺(tái)衍生出的晶圓級(jí)系統(tǒng)集成技術(shù)，具有高密度RDL和TIV特性。公司實(shí)現(xiàn)了近存計(jì)算芯片大尺寸全RDL走線封裝結(jié)構(gòu)的量產(chǎn)。成品尺寸達(dá)到1600mm2，采用了盛合晶微4層RDL再布線加工工藝。

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