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    • 利潤暴跌,裁員降本 存儲市場跌成啥樣了
    • 業(yè)績?nèi)绱穗y看,存儲市場到底跌成啥樣了?
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存儲芯片,壓得韓國喘不過氣

2023/03/25
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受去年終端需求持續(xù)低迷的影響,嚴(yán)重依賴芯片出口的韓國經(jīng)濟最近有些“崩潰”。

芯片滯銷,韓國芯片庫存創(chuàng)26年新高,出口持續(xù)下滑,2月出口額更是暴跌41.5%,其中對華半導(dǎo)體出口額下滑了24.2%,這是連續(xù)第9個月的下滑,要知道中國是韓國最大的芯片出口國,巔峰時占了韓國芯片出口額的一半。

韓國財長對前景表示擔(dān)憂,如果半導(dǎo)體行業(yè)不能復(fù)蘇,韓國在短期內(nèi)也無法擺脫目前的低迷狀態(tài)。

存儲芯片又是韓國支柱性半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(非內(nèi)存芯片僅占5%),今年韓國存儲芯片出口額持續(xù)腰斬,不僅如此,存儲芯片的價格持續(xù)暴跌,跌無可跌,拖累韓國出口貿(mào)易。

韓國出口持續(xù)低迷拉響全球經(jīng)濟乃至半導(dǎo)體低迷警報,存儲芯片的表現(xiàn)為何如此慘烈?回顧每個階段的半導(dǎo)體市場,為什么存儲芯片總是最慘的?

利潤暴跌,裁員降本 存儲市場跌成啥樣了

存儲芯片兩大主要產(chǎn)品DRAM和NAND廠商的表現(xiàn),從市占率較高的寡頭身上體現(xiàn)得淋漓盡致。

DRAM目前被三星、海力士和美光這三家巨頭壟斷,占比約96%,兩家韓企三星電子SK海力士分別占據(jù)41.8%和18.5%的份額。NAND也呈現(xiàn)集中度較高的局面,三星、鎧俠和SK海力士合計占比達65%。

被認(rèn)為是驅(qū)動三星電子增長的兩駕馬車DRAM和NAND閃存(市占分別為50%和30%),最近的表現(xiàn)卻一敗涂地。

近日媒體報道,傳三星存儲業(yè)務(wù)今年Q1或虧損4萬億韓元(約合31億美元),消息人士指出,三星晶圓代工業(yè)務(wù)雖然獲利,但目前規(guī)模仍小,尚不足以彌補存儲器的巨大虧損。三星去年Q4的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)業(yè)績已經(jīng)很難看,由于客戶繼續(xù)處理大量庫存,去年Q4芯片部門利潤驟降96.9%至2700億韓元(約合2.2億美元)。

三星的庫存年增長率創(chuàng)下歷史新高,去年Q4 52.2萬億韓元(約399億美元)的庫存里,其中29.1萬億韓元(約223億美元)的庫存來自內(nèi)存、IC和晶圓代工業(yè)務(wù)所在的DS業(yè)務(wù)部門,年增長76%。

老二韓國SK 海力士,去年Q4開始業(yè)績開始從盈利轉(zhuǎn)虧損,營業(yè)虧損約1.7萬億韓元,凈虧損約3.5萬億韓元,這是2012年Q3以來SK 海力士首次出現(xiàn)季度營業(yè)虧損。DART數(shù)據(jù)顯示,SK 海力士的庫存增至15.7萬億韓元,年增長率為75%。此外,SK 海力士表示2023年投資額會比2022年的19兆韓元減少一半以上。

大洋彼岸的美光,其2023財年第一季度財報收入40.9億美元,環(huán)比下降 38.4%,同比下降 46.8%。美光預(yù)估2023年第三季度(本季)的利潤將會低于預(yù)估。2022年年末,美光一系列降本措施不斷刷屏,包括裁員10%、暫停股票回購、削減高管工資、不支付獎金等。到今年美光再次表示還沒裁夠,將加強力度,裁員15%。

面對慘淡的經(jīng)營情況,鎧俠表示將持續(xù)減產(chǎn),2022財年第三財季鎧俠營收為2782億日元(約合19.64億美元),環(huán)比下滑28.9%,同比下滑30.9%。鎧俠和西部數(shù)據(jù)合并談判重啟,兩家存儲巨頭正嘗試抱團取暖。

壟斷寡頭業(yè)績下滑明顯,其他廠商在慘淡的大背景下也難逃波及。華邦電子2023年1月合并營收較前一個月減少24.58%,較前一年同期減少43.78%;南亞科1月營收為22.51億元,較前一個月減少6.20%,較前一年同期減少66.76%;旺宏1月合并營收為22.12億元,月減14.34%,年減40.51%,為自2019年5月以來、近45個月低點。

業(yè)績?nèi)绱穗y看,存儲市場到底跌成啥樣了?

價格方面,根據(jù)TrendForce的最新數(shù)據(jù),DRAM的價格在2022年Q4暴跌34.4%,比上個季度更過分。NAND的表現(xiàn)雖然略好一些,但也在2022年的Q3、Q4創(chuàng)下了2006年以來情況最惡劣的跌價紀(jì)錄。存儲這一輪的下跌時長已經(jīng)超過18個月,已經(jīng)快跌無可跌了。

有業(yè)內(nèi)人士表示:“現(xiàn)在價格基本上到底了,倒掛太久了。以前拿一單貨至少幾百萬美金,現(xiàn)在用不了那么多,五折是普遍現(xiàn)象,更有甚者,四折也可以拿到貨?!?/p>

價格賣不動,需求也沒有,可以說存儲目前正處于量價齊跌的狀態(tài)。

前幾日,DrameExchange公布了2022年Q4全球DRAM市場以及NAND市場的數(shù)據(jù),簡單來說,整個存儲器市場在最近半年里跌沒了一半......


來源:半導(dǎo)體綜研

這輪跌價主要受到新冠特殊需求減弱以及全球通貨膨脹的影響。

2020年全球新冠疫情爆發(fā),居家需求猛漲,PC、手機等電子設(shè)備出貨量明顯增長,對于存儲的需求也同步增加,廠商開始擴產(chǎn)。但供不應(yīng)求,2021年開始的“缺芯潮”又引發(fā)了眾多廠商囤貨備貨、超額下單。

但是,2022年之后,新冠的影響減弱,人們開始回歸正常生活,對居家辦公的消費電子需求開始走弱。加之俄烏沖突、通貨膨脹,經(jīng)濟不景氣,消費意愿大不如前,需求持續(xù)低迷,之前的存貨積壓過剩,已經(jīng)擴產(chǎn)的廠商又停不下來,存儲芯片變得供遠(yuǎn)大于求。于是,高樓崩塌。

存儲芯片為什么總是那么慘?

我們都知道半導(dǎo)體行業(yè)有其獨特的“硅周期”,也就是每隔3-4年左右就會出現(xiàn)一次繁榮和蕭條的交替。目前正處于半導(dǎo)體行業(yè)的下行階段,但是以存儲為主要業(yè)務(wù)的廠商,他們的財報要比其他半導(dǎo)體廠商更難看。而此類現(xiàn)象,并不是今年獨有。

由于DRAM市場更集中、并且利潤率更高,所以一般以DRAM的價格追蹤存儲周期。

來源:雪球財經(jīng)@Jack研究

從TrendForce的數(shù)據(jù)來看,DRAM基本遵循了4年一個周期的特征。2022年的“同款暴跌”分別在2012年、2016年、2020年左右出現(xiàn)。此前價格觸底時,都同比下跌超過40%,目前的下跌幅度已經(jīng)接近于往年紀(jì)錄。

為什么大家都不好過的時候,存儲過得尤其慘?

首先,由于存儲市場具有明顯的買方市場特性,因此行業(yè)情況主要受下游需求端的影響。從目前存儲器的下游需求分布來看,手機、服務(wù)器和PC市場構(gòu)成了存儲行業(yè)近90%的需求。

此輪半導(dǎo)體行情走跌,首先發(fā)生變化的就是智能手機和PC。受全球性通貨膨脹等影響,最終消費趨冷,而約60%的下游需求的嚴(yán)重下滑,也使存儲市場受到了極大的影響。

其次,存儲芯片具備大宗商品特征,短期內(nèi)供需錯配導(dǎo)致其價格周期性波動明顯。存儲芯片的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化程度高,各個廠商的同類產(chǎn)品之間有較高的可替代性。存儲芯片廠商很難通過差異化形成客戶粘性,以獲得更多的溢價。因此,存儲的價格一般都是買方與賣方“周旋”的結(jié)果,基本上,市場的供需情況決定了價格的高低。

此外,由于存儲市場呈現(xiàn)高度集中的情況,因此寡頭們的動作可以對市場造成顯著影響。一個大廠的的產(chǎn)能調(diào)整會迅速引起其他廠商“跟風(fēng)”,加劇存儲市場的產(chǎn)能過剩或者產(chǎn)能不足,也就導(dǎo)致了存儲市場的強周期性波動。

存儲龍頭既是存儲周期的主要影響者,又是周期變化的共同承受者。而存儲芯片也因其強周期性以及高度集中的特點,呈現(xiàn)“大開大合”的局面。

再慘也要卷技術(shù)

雖然市場還很慘淡,但是存儲大廠們還沒有停下“內(nèi)卷”步伐。

NAND Flash領(lǐng)域,想要繼續(xù)霸占市場,就要不斷擴展存儲密度和降低成本。大約每兩年,NAND Flash行業(yè)就能夠大幅提高存儲密度。對于NAND來說,層數(shù)越多,容量就越高。在3D NAND技術(shù)進入市場之后,就開始了層數(shù)的“內(nèi)卷”。老大三星電子在2022年年末已經(jīng)宣布量產(chǎn)236層的第8代V-NAND。美光也在去年宣布量產(chǎn)232層NAND閃存芯片。

在DRAM領(lǐng)域,要想進入到10nm工藝以下,EUV不可不爭。目前,三星電子基于極紫外(EUV)光刻技術(shù)的1z-nm工藝的DRAM已于去年2月份完成了量產(chǎn),并且三星表示在下一代DRAM中還將繼續(xù)增加EUV步驟。EUV現(xiàn)在只有ASML能做,每年產(chǎn)能有限,據(jù)說排隊已經(jīng)排到好幾年之后了。

然而,即使用上了EUV,也不能確保滿足未來十年所需的位密度改進。在傳統(tǒng)DRAM架構(gòu)面臨性能與工藝極限的情況下,DRAM大廠們正在考慮將單片3D DRAM(類似 3D NAND)作為長期擴展的潛在解決方案。

韓廠在2021年正式開卷,2021年三星建立了下一代工藝開發(fā)團隊,開始對3D DRAM進行實質(zhì)性工程研究。但是美光更有效率,已獲得30多項3D DRAM專利技術(shù),相比韓國廠商有明顯優(yōu)勢。存儲芯片當(dāng)然也在摩爾定律的范圍之內(nèi),要想緊跟時代需求,“內(nèi)卷”的步伐不能停下。

最近,ChatGPT人工智能開始爆火,國內(nèi)外大廠紛紛入局,激烈的競爭也將帶動對高性能和大容量存儲半導(dǎo)體的需求增加,外加各存儲大廠已紛紛下調(diào)產(chǎn)能計劃,有機構(gòu)指出,存儲價格有望逐漸接近下行周期底部,并看好2023年下半年存儲板塊迎來止跌。

人工智能的熱火,會驅(qū)散存儲行業(yè)的寒冬嗎?

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