2023年4月10日,富士經(jīng)濟(jì)公布了碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。根據(jù)該公司的預(yù)測(cè),在汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域的推動(dòng)下,到2035年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將達(dá)到13.4302萬億日元,是2022年的5.0倍。
下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2035年內(nèi)超過5萬億日元
此次調(diào)查針對(duì)使用SiC(碳化硅),GaN(氮化鎵),Ga2O3(氧化鎵)和金剛石的下一代功率半導(dǎo)體,以及硅基功率半導(dǎo)體。此外,還調(diào)查了與功率半導(dǎo)體相關(guān)的構(gòu)成部件和制造設(shè)備市場(chǎng)。調(diào)查時(shí)間為2022年11月至2023年2月。
富士經(jīng)濟(jì)表示,由于汽車/電氣設(shè)備領(lǐng)域的需求增加,以及信息和通信技術(shù)設(shè)備和工業(yè)領(lǐng)域的穩(wěn)定需求,硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在2022年擴(kuò)大。盡管消費(fèi)設(shè)備領(lǐng)域的需求已經(jīng)穩(wěn)定,但汽車/電氣設(shè)備領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)推動(dòng)市場(chǎng),從2022年增長(zhǎng)11.0%至2023年的2.7833萬億日元,到2035年增長(zhǎng)3.2倍至7.9817萬億日元。
下一代功率半導(dǎo)體方面,2022年除了SiC功率半導(dǎo)體大幅增長(zhǎng)外,GaN功率半導(dǎo)體的需求也很旺盛,比前一年增長(zhǎng)了2.2倍。預(yù)計(jì)市場(chǎng)將繼續(xù)以高增長(zhǎng)率擴(kuò)大,從2022年增長(zhǎng)34.5%至2023年的2354億日元,到2035年增長(zhǎng)31.1倍至5.4485萬億日元。
全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè),來源:Fuji Keizai
僅SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模就將超過5萬億日元
富士經(jīng)濟(jì)還提到了下一代功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景。
SiC功率半導(dǎo)體是SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管),SiC-FET和SiC功率模塊,隨著它們被迅速采用,市場(chǎng)正在迅速擴(kuò)大,主要在中國和歐洲。2022年,除了數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源等信息通信設(shè)備領(lǐng)域和太陽能發(fā)電等能源領(lǐng)域的需求增加外,汽車和工業(yè)領(lǐng)域(包括電動(dòng)汽車(EV)的充電站和牽引逆變器)表現(xiàn)良好,市場(chǎng)增長(zhǎng)顯著。富士經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè),2023年市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng),比2022年增長(zhǎng)34.3%至2293億日元。
之后,除了可再生能源的普及和汽車電動(dòng)化的進(jìn)展外,由于通過投資增加了產(chǎn)能、晶圓直徑的增加以及加工技術(shù)改進(jìn)帶來的更低價(jià)格,SiC功率模塊在電動(dòng)汽車牽引逆變器中的應(yīng)用將全面展開,預(yù)計(jì)到2035年市場(chǎng)將擴(kuò)大到5.33萬億日元,是2022年的31.2倍。
GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)在2023年將增長(zhǎng)32.6%至57億日元,因?yàn)樗絹碓蕉嗟乇粩?shù)據(jù)中心的AC適配器和服務(wù)器電源等高速充電所采用。除了擴(kuò)大以這些應(yīng)用為中心的市場(chǎng)外,預(yù)計(jì)到2035年市場(chǎng)將增長(zhǎng)17.2倍,達(dá)到740億日元,因?yàn)轭A(yù)計(jì)車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等EV輔助系統(tǒng)中的采用將擴(kuò)大。
由于計(jì)劃開始量產(chǎn)SBD,預(yù)計(jì)2023年氧化鎵市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到4億日元。此外,由于FET的實(shí)際應(yīng)用計(jì)劃在2025年左右,Si和SiC功率半導(dǎo)體的替代有望取得進(jìn)展,市場(chǎng)有望擴(kuò)大,主要集中在消費(fèi)和信息通信領(lǐng)域。從中長(zhǎng)期來看,市場(chǎng)預(yù)計(jì)將擴(kuò)展到工業(yè)和能源領(lǐng)域,未來還將擴(kuò)展到汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域,預(yù)計(jì)到2035年將增長(zhǎng)到445億日元。
由于零部件采購困難,組成材料和制造設(shè)備的產(chǎn)能放緩
此外,由于對(duì)晶圓、前端材料和后端材料的需求增加,功率半導(dǎo)體相關(guān)成分材料市場(chǎng)在2022年同比增長(zhǎng)30.9%至2711億日元。盡管2023年市場(chǎng)將繼續(xù)擴(kuò)大,但由于零部件制造商的產(chǎn)能有限,預(yù)計(jì)增長(zhǎng)將放緩,從2022年增長(zhǎng)11.5%至3023億日元。富士經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè),未來,隨著SiC功率半導(dǎo)體的增長(zhǎng),汽車/電氣元器件領(lǐng)域的需求增加以及燒結(jié)接合材料和氮化硅電路板的采用增加,預(yù)計(jì)將有助于市場(chǎng)擴(kuò)張。預(yù)計(jì)到2035年將增長(zhǎng)到12020億日元,是2022年的4.4倍。
2022年,由于海外功率半導(dǎo)體制造商(主要在中國)的積極資本投資,制造設(shè)備市場(chǎng)同比大幅增長(zhǎng)39.3%。雖然由于材料采購困難導(dǎo)致交貨時(shí)間延長(zhǎng),市場(chǎng)增長(zhǎng)將放緩,但由于中國和其他海外國家的積極資本投資以及對(duì)8英寸SiC晶圓的需求增加,預(yù)計(jì)2023年后市場(chǎng)將擴(kuò)大。預(yù)計(jì)2023年將比2022年增長(zhǎng)21.4%至4124億日元,到2035年,預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)2.4倍,達(dá)到8180億日元。