東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。該系列中五款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,十款產(chǎn)品于今日開始批量出貨。
新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品,其封裝支持柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接,有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響,從而提高高速開關(guān)性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%,關(guān)斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設(shè)備功率損耗。
使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設(shè)計(jì)已在東芝官網(wǎng)發(fā)布。
東芝將繼續(xù)擴(kuò)大自身產(chǎn)品線,進(jìn)一步契合市場趨勢,并助力用戶提高設(shè)備效率,擴(kuò)大功率容量。
使用新型SiC MOSFET的3相逆變器
使用SiC MOSFET的3相逆變器
簡易方框圖
- 應(yīng)用:
開關(guān)電源(服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等)
電動汽車充電站
光伏變頻器
- 特性:
4引腳TO-247-4L(X)封裝:
柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接,可降低開關(guān)損耗
第3代碳化硅MOSFET
低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷
低二極管正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)
- 主要規(guī)格:
(除非另有說明,Ta=25℃)
注:
[1] 截至2023年8月
[2] 截至2023年8月,東芝測量值(測量條件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25℃)