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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

2023/09/04
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日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E,提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%,同時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%,該參數(shù)是650 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)。

Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程,涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進(jìn)高科技設(shè)備。隨著SiHP054N65E的推出,以及其他第四代600 V E系列器件的發(fā)布,Vishay可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)初期滿足提高能效和功率密度兩方面的要求,包括功率因數(shù)校正(PFC)和后面的DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。典型應(yīng)用包括服務(wù)器、邊緣計(jì)算數(shù)據(jù)存儲(chǔ);UPS;高強(qiáng)度放電(HID)燈和熒光鎮(zhèn)流器;太陽(yáng)能逆變器焊接設(shè)備;感應(yīng)加熱;電機(jī)驅(qū)動(dòng);以及電池充電器。

SiHP054N65E采用Vishay先進(jìn)的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù),10V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.051 Ω,從而提高額定功率支持 2 kW以上的各種應(yīng)用,器件滿足符合開放計(jì)算項(xiàng)目Open Rack V3(ORV3)標(biāo)準(zhǔn)的需求。此外,這款MOSFET超低柵極電荷下降到 72nC。器件的FOM 為3.67 Ω*nC,比同類接近的競(jìng)品MOSFET 低1.1 %。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開關(guān)損耗降低,從而達(dá)到節(jié)能效果,提高能效。器件滿足服務(wù)器電源鈦效應(yīng)的特殊要求,或通信電源達(dá)到96%的峰值效率。

日前發(fā)布的MOSFET有效輸出電容 Co(er) 和Co(tr) 典型值分別僅為115 pF和 772 pF,可改善硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開關(guān)性能,如PFC、半橋和雙開關(guān)順向

設(shè)計(jì)。器件的電阻與 Co(tr) 乘積FOM低至5.87 W*pF達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。SiHP054N65E采用TO-220AB封裝,提高了dv/dt耐用性,符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn),無鹵素,耐受雪崩模式下電壓瞬變,并保證極限值100 %通過UIS測(cè)試。

SiHP054N65E現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),關(guān)于供貨周期的信息,請(qǐng)與當(dāng)?shù)劁N售部聯(lián)系。

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