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MRF5S9101NR1，MRF5S9101NBR1 EDGE橫向N溝道射頻功率MOSFET

2023/04/25
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射頻功率場效應晶體管 N溝道增強型橫向MOSFET 設計用于頻率在869至960 MHz范圍內(nèi)的GSM和GSM EDGE基站應用。適用于多載波放大器應用。

GSM應用

  • 典型的GSM性能：VDD = 26伏特，IDQ = 700毫安培，Pout = 100瓦連續(xù)波，全頻帶（869-894 MHz和921-960 MHz） 功率增益 - 17.5 dB 漏極效率 - 60% GSM

EDGE應用 典型的GSM

  • EDGE性能：VDD = 28伏特，IDQ = 650毫安培，Pout = 50瓦平均功率，全頻帶（869-894 MHz和921-960 MHz） 功率增益 - 18 dB 400 kHz偏移處的譜重構 = -63 dBc 600 kHz偏移處的譜重構 = -78 dBc EVM = 2.3% 均方根誤差
  • 能夠承受10:1的駐波比，@ 26 V直流電壓，960 MHz，100瓦連續(xù)波輸出功率

特點

  • 使用等效大信號阻抗參數(shù)進行特性化
  • 內(nèi)部匹配，易于使用
  • 最大32 VDD操作合格化
  • 集成ESD保護
  • 200°C耐溫塑料封裝 。
  • N后綴表示無鉛引線。符合RoHS標準。
  • 帶有膠帶和卷軸。R1后綴=每個44 mm、13英寸卷軸500個單位。

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
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XAL6030-222MEC 1 Coilcraft Inc General Purpose Inductor, 2.2uH, 20%, 1 Element, Composite-Core, SMD, 2526, CHIP, 2526

ECAD模型

下載ECAD模型
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10RC-10 1 Thomas & Betts Ring Terminal, ROHS COMPLIANT
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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。收起

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