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從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發(fā)展方向。
3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點？大廠布局情況？
如何理解3D DRAM？
DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數(shù)字電子設備。
DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度，但隨著線寬進入10nm范圍，電容器電流泄漏和干擾等物理限制顯著增加，為了防止這種情況，業(yè)界引入了高介電常數(shù)（高K）沉積材料和極紫外（EUV）設備等新材料和設備。但從芯片制造商角度上看，微型化制造10nm或更先進的芯片仍是目前技術研發(fā)的巨大挑戰(zhàn)。此外，近期尤其是2nm及以下制程的先進制程角逐戰(zhàn)異常激烈。
在技術節(jié)點不斷更新迭代以及芯片整體面積不斷縮小的情況下，半導體業(yè)界將目光看向NAND的技術演變，為了克服尺寸限制，將晶體管從平面轉換為3D架構，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量，由此3D DRAM的架構設想正式面向公眾視野。通俗來講，傳統(tǒng)DRAM的結構是晶體管集成在一個平面上，3D DRAM則將晶體管堆疊為n層，從而分散晶體管。業(yè)界稱，采用3D DRAM結構可以擴大晶體管之間的間隙，減少泄漏電流和干擾等。
從原理上理解，3D DRAM技術打破了內存技術陳舊的范式，它其實是一種將存儲單元（Cell）堆疊至邏輯單元上方的新型存儲方式，以在單位晶圓面積上實現(xiàn)更高的容量。
從差異性上看，傳統(tǒng)的DRAM在讀取和寫入數(shù)據(jù)時需要經過復雜的操作流程，而3D DRAM可直接通過垂直堆疊的存儲單元讀取和寫入數(shù)據(jù)，極大地提高了訪問速度。3D DRAM優(yōu)勢不僅在于大容量、數(shù)據(jù)訪問速度快，同時還具有低功耗、高可靠性等特點，滿足各種應用場景需要。
從應用領域上看，3D DRAM具備高速度和大容量，將有助于提升高性能計算的效率和性能；3D DRAM因具有小巧體積和大容量的特點，成為移動設備的理想內存解決方案；3D DRAM的大容量和低功耗特性可滿足物聯(lián)網領域實時處理和傳輸數(shù)據(jù)的需求。
此外，自ChatGPT開啟了AI大浪潮時代，AI應用技術爆火，AI服務器有望成為存儲需求長期增長的強勁驅動力。據(jù)美光測算，AI服務器中DRAM數(shù)量是傳統(tǒng)服務器的8倍，NAND是傳統(tǒng)的3倍。
業(yè)界持續(xù)發(fā)力3D DRAM
DRAM市場高度集中，目前主要由三星電子、SK海力士和美光科技等廠商主導，值得一提的是，這三家共同占據(jù)了DRAM整個市場的93%以上。
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，在2023年第三季度DRAM市場中，三星的市占率為38.9%，居位全球第一、其次是SK海力士（34.3%）、美光科技（22.8%）。
據(jù)業(yè)界人士預計，3D DRAM市場將在未來幾年快速增長，到2028年將達到1000億美元。
目前，3D DRAM處于早期研發(fā)階段，包括三星等各方正在加入研發(fā)戰(zhàn)局，競爭激烈，以引領這一快速增長的市場。
三星：4F2 DRAM
三星從2019年開始了3D DRAM的研究，并在這一年的10月宣布開發(fā)出業(yè)界首個12層 3D-TSV（硅通孔）技術。2021年，三星在其DS部門內建立了下一代工藝開發(fā)研究團隊，專注該領域研究。
在2022年的SAFE論壇上，三星列出了Samsung Foundry 的整體3DIC歷程，并表示將準備用一種邏輯堆棧芯片SAINT-D，來處理DRAM堆疊問題，其設計目的是想將八個HBM3芯片集成到一個巨大的中介層芯片上。
圖片來源：三星官網
2023年5月，據(jù)《The Elec》引用知情人士消息稱，三星電子在其半導體研究中心內組建了一個開發(fā)團隊，以量產4F2結構DRAM，其目標是將4F2應用于10納米或以下節(jié)點的DRAM制程，因為以目前的技術預計會面臨線寬縮減的極限。報道稱，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節(jié)點的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。
同年10月，三星電子在“內存技術日”活動上宣布,計劃在下一代10納米或更低的DRAM中引入新的3D結構，而不是現(xiàn)有的2D平面結構。該計劃旨在克服3D垂直結構縮小芯片面積的限制并提高性能，將一顆芯片的容量增加100G以上。
三星電子去年在日本舉行的“VLSI研討會”上發(fā)表了一篇包含3D DRAM研究成果的論文，并展示了作為實際半導體實現(xiàn)的3D DRAM的詳細圖像。
據(jù)《The Economictimes Times》報道，三星電子于近日稱已在美國硅谷開設了一個新的R&D研究實驗室，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該實驗室位于硅谷Device Solutions America（DSA）運營之下，負責監(jiān)督三星在美國的半導體生產，并致力于開發(fā)新一代的DRAM產品。
SK海力士：將IGZO作為3D DRAM的下一代通道材料
SK海力士認為，3D DRAM可以解決帶寬和延遲方面的挑戰(zhàn)，并已在2021年開始研究。
據(jù)韓媒《BusinessKorea》去年報道，SK海力士提出了將IGZO作為3D DRAM的新一代通道材料。
IGZO是由銦、鎵、氧化鋅組成的金屬氧化物材料，大致分為非晶質-IGZO和晶化IGZO（c-IGZO），其中，c-IGZO是一種物理、化學穩(wěn)定的材料，在半導體工藝過程中可保持均勻的結構，SK海力士研究的正是這種材料。
據(jù)業(yè)界人士表示，IGZO 的最大優(yōu)勢是其低待機功耗，這種特點適合要求長續(xù)航時間的DRAM芯晶體管。通過調節(jié)In、Ga、ZnO等三個成分的組成比，很容易實現(xiàn)。
NEO：3D X-DRAM密度可提高8倍
美國存儲器技術公司NEO Semiconductor推出其突破性技術 3D X-DRAM，為解決DRAM 容量瓶頸。
3D X-DRAM是第一個基于無電容器浮體單元（FBC）技術的類似3D NAND的DRAM單元陣列結構。其技術邏輯與3D NAND Flash類似，通過堆疊層數(shù)提高存儲器容量，類似3D NAND Flash芯片的FBC 技術，增加一層光罩就形成垂直結構，有良率高、成本低、密度大幅提升等優(yōu)點。
圖片來源：NEO Semiconductor官方截圖
據(jù) Neo 的估計，3D X-DRAM技術可以實現(xiàn) 230層128 Gb 密度，這是當今 DRAM 密度的 8 倍。NEO提出，每10年容量提升8倍的目標，將在2030到2035年間實現(xiàn)1Tb的容量，較現(xiàn)DRAM核心容量達64倍提升，滿足ChatGPT等AI應用對高性能和大容量存儲器半導體的增長需求。
NEO聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Andy Hsu認為，3D X-DRAM將是半導體行業(yè)未來絕對的增長動力。
日本研究團隊：BBCube 3D，比DDR5高30倍
日本東京理工大學研究團隊提出了一種名為BBCube的3D DRAM 堆棧設計技術，該技術可以讓處理單元和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)之間更好地集成。
BBCube 3D最顯著的方面是實現(xiàn)了處理單元和DRAM之間的三維而非二維連接。該團隊使用創(chuàng)新的堆疊結構，其中處理器管芯位于多層DRAM之上，所有組件通過硅通孔（TSV）互連。
BBCube 3D 的整體結構緊湊、沒有典型的焊料微凸塊以及使用 TSV 代替較長的電線，共同有助于實現(xiàn)低寄生電容和低電阻，在各方面改善了該器件的電氣性能。
圖片來源：東京工業(yè)大學官方截圖
該研究團隊評估了新體系結構的速度，并將其與兩種最先進的存儲器技術（DDR5和HBM2E）進行了比較。研究人員稱，BBCube 3D有可能實現(xiàn)每秒1.6兆字節(jié)的帶寬，比DDR5高30倍，比HBM2E高4倍。
此外，由于BBCube具有低熱阻和低阻抗等特性，3D集成可能出現(xiàn)的熱管理和電源問題可得到緩解，新技術在顯著提高帶寬的同時，比特訪問能量分別為DDR5和HBM2E的1/20和1/5。
結語
DRAM技術從1D到2D，再到如今結構各異的3D，為業(yè)界貢獻了解決行業(yè)痛點的多樣式方案，不過如何優(yōu)化和改善制造成本、耐久性和可靠性等仍是業(yè)界努力挑戰(zhàn)3D DRAM技術的難題。由于開發(fā)新材料的困難和物理限制，3D DRAM的商業(yè)化還需要一些時間。
從當前研究進度看，目前業(yè)界正在進行很多關于3D DRAM結構的研發(fā)，該結構還處于早期階段，據(jù)業(yè)內人士預測，3D DRAM將在2025年左右開始問世，而實際量產在2030年后成為可能。
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