2007
美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 解決方案為元宇宙應(yīng)用帶來高速率和低功耗特性
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布，其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用閃存 UFS 3.1 嵌入式解決方案現(xiàn)已通過高通 (Qualcomm Technologies, Inc.) 最新的擴展現(xiàn)實 (XR) 平臺——第二代驍龍? XR2 驗證。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸緊湊，提供更高速率、更優(yōu)性能和更低功耗，可靈活支持混合現(xiàn)實 (MR) 和虛擬現(xiàn)實 (VR) 設(shè)備。LPDDR5X 是目前美光最先進的低功耗內(nèi)存，通過創(chuàng)新的 1α 制程節(jié)點技術(shù)和 JEDEC 能效優(yōu)化實現(xiàn)更低功耗。
全球增強現(xiàn)實（AR）和虛擬現(xiàn)實（VR）市場規(guī)模從 2021 年[1]起，以 24% 的復(fù)合年均增長率增長，預(yù)計在 2030 年前 有望達到 2,000 億美元。美光嵌入式產(chǎn)品可為擴展現(xiàn)實應(yīng)用提供強大的即用解決方案，加速消費者普及，并不斷拓展市場潛力。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 能夠在多個應(yīng)用和傳感器間實現(xiàn)并行處理，通過無縫集成元宇宙中不斷變化的形態(tài)、位置和感知，為 VR 用戶打造真實的沉浸式體驗。
美光 LPDDR5X 可實現(xiàn)高達 8.533 Gbps 的峰值速率，同時向后兼容 6.4 Gbps 速率的 LPDDR5，在降低功耗的同時，為設(shè)備制造商提供了平臺集成的靈活性。
美光副總裁暨嵌入式市場總經(jīng)理 Chris Jacobs 表示：“元宇宙蘊藏著巨大潛力，將徹底改變我們的工作和娛樂方式。要將這種創(chuàng)新變?yōu)楝F(xiàn)實，我們需要高性能、低功耗的硬件，以滿足混合現(xiàn)實體驗對超快速度的要求。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 解決方案是下一代 XR 設(shè)備的理想之選，為開啟豐富的虛擬世界體驗提供所需的性能和功耗?！?/p>
今年9 月 27 日最新發(fā)布的第二代驍龍 XR2 處理器通過與 Meta 密切合作開發(fā)，已在 Meta 最新推出的頭顯 Meta Quest 3 上首次投入商用。第二代驍龍 XR2 平臺提供單芯片架構(gòu)，可在更輕薄、更舒適且無需外置電池組的頭顯中實現(xiàn)全新的沉浸式 MR 和 VR 體驗。Meta Quest 3 空間計算平臺能提供無延遲的體驗，帶來令人驚嘆的視覺效果和身臨其境的音效，使用戶感受到虛擬內(nèi)容與現(xiàn)實世界的融合，并實現(xiàn) MR 和 VR 體驗之間的無縫轉(zhuǎn)換。
與上一代產(chǎn)品相比，LPDDR5X 的功耗降低了 24%[2]，通過延長電池續(xù)航時間，實現(xiàn)了更出色的用戶體驗，是 MR 和 VR 頭顯設(shè)備的理想之選。美光 LPDDR5X 可實現(xiàn) 8.533 Gbps 的峰值數(shù)據(jù)傳輸速率，使元宇宙應(yīng)用的數(shù)據(jù)訪問速度提高了 33%[3]，從而縮短了響應(yīng)時間。美光基于 1α 制程節(jié)點的 LPDDR5X 內(nèi)存，可為擴展現(xiàn)實設(shè)備提供更出色的容量密度、性能和能效。
美光 UFS 3.1 客戶端存儲是全球首款采用美光 176 層 NAND 技術(shù)的 UFS，擁有緊湊的外形尺寸和高存儲密度，為 MR 和 VR 頭顯等小型設(shè)備提供更高的設(shè)計靈活性。
美光 128GB UFS 3.1 和 8GB LPDDR5X 現(xiàn)已通過高通驍龍平臺驗證，并由美光銷售渠道、經(jīng)銷商及合作伙伴向 MR 生態(tài)系統(tǒng)供貨。
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