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作者：暢秋
處理器，無(wú)論是CPU、GPU、FPGA，還是NPU，要想正常運(yùn)行，都離不開RAM，特別是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)（PC，手機(jī)，數(shù)據(jù)中心等）中內(nèi)存的代名詞。
根據(jù)應(yīng)用不同，系統(tǒng)對(duì)芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM被分成標(biāo)準(zhǔn)DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）、LPDDR、GDDR等，當(dāng)然，主要就是這三類。其中，DDR是相對(duì)于SDR（單數(shù)據(jù)速率）而言的，將I/O時(shí)鐘加倍了，主要為PC和數(shù)據(jù)中心的CPU服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到DDR5；LPDDR是低功耗的DDR，主要用于手機(jī)等便攜式設(shè)備；GDDR則是GPU專用DRAM。
在高性能計(jì)算（HPC）和AI發(fā)展如火如荼的當(dāng)下，一個(gè)很大的瓶頸就是處理器與DRAM之間的通信速度，越來(lái)越跟不上應(yīng)用需求的前進(jìn)腳步。對(duì)此，人們想出了多種方法，以提升通信帶寬，如不斷提升DRAM本身的接口性能，以及存算一體等，但從實(shí)際應(yīng)用情況來(lái)看，只提升接口性能是不夠用的，而存算一體短期內(nèi)還無(wú)法實(shí)現(xiàn)。在這種情況下，推出更好的DRAM與CPU、GPU等處理器的結(jié)合形式，也就是不斷讓封裝技術(shù)進(jìn)步，成為了業(yè)界提升通信帶寬的普遍共識(shí)。
?01、DRAM的常用封裝技術(shù)
DRAM封裝技術(shù)幾經(jīng)變遷，從雙列直插封裝DIP、J型引腳小外形封裝SOJ、薄型小尺寸封裝TSOP、底部引線塑料封裝BLP、焊球陣列封裝BGA（F-BGA、W-BGA），發(fā)展到芯片級(jí)封裝CSP、堆疊封裝等高性能封裝方式。在成本允許的條件下，可盡量采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，以提升DRAM性能。
目前，堆疊封裝技術(shù)，特別是系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP），可以在有限的空間內(nèi)成倍提高存儲(chǔ)器容量，或?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)計(jì)功能，解決空間、互連受限等問(wèn)題。此外，由于封裝設(shè)計(jì)的變化，引線鍵合封裝因具有靈活性、可靠性和低成本的優(yōu)點(diǎn)而備受青睞。倒裝（Flip Chip，F(xiàn)C）芯片于2016年開始進(jìn)軍DRAM封裝，由于高帶寬需求的推動(dòng)，倒裝芯片在PC、服務(wù)器中的采用率不斷增加。目前，系統(tǒng)對(duì)高帶寬、高性能、低延遲的綜合要求很高，硅通孔（TSV）很適合高帶寬內(nèi)存封裝需求。
在便攜式電子設(shè)備應(yīng)用中（如手機(jī)），DRAM的封裝尺寸會(huì)直接影響到產(chǎn)品的體積大小，所以，封裝技術(shù)要向輕、薄、短、小方向發(fā)展。
不同應(yīng)用的產(chǎn)品尺寸、性能、形態(tài)等存在差異，采用的封裝形式也不同。其中，移動(dòng)終端DRAM（LPDDR）多以WB-FBGA為主，PC和服務(wù)器用的標(biāo)準(zhǔn)型DDR則以FBGA、FC為主。
以DDR為例，F(xiàn)BGA線長(zhǎng)較短，信號(hào)傳輸好且成本較低，曾經(jīng)被三星、SK海力士和美光等主流廠商廣泛采用，隨著內(nèi)存條產(chǎn)品發(fā)展到DDR4，三星、SK海力士的很多產(chǎn)品開始轉(zhuǎn)向FC封裝，其傳輸路徑更短，電性能表現(xiàn)更好。盡管FC的成本比FBGA高，但得益于規(guī)模效應(yīng)，兩者成本基本持平?，F(xiàn)在的高端產(chǎn)品，如DDR5，性能要求很高，目前多采用TSV堆疊封裝。TSV采用縱向穿越結(jié)構(gòu)，通過(guò)導(dǎo)線將不同層的芯片相互連接起來(lái)，這種連接方式不僅提供了更高的信號(hào)帶寬，還減少了電阻和電感，提高了芯片的整體性能。通過(guò)TSV把多芯片的I/O連接，同時(shí)實(shí)現(xiàn)多芯片堆疊來(lái)擴(kuò)容并實(shí)現(xiàn)更小的信號(hào)損失。
LPDDR與處理器緊密集成在一起，或者焊接在主板上，靠近CPU，或者直接在處理器（在這種情況下，通常是SoC）的頂部以 package-on-package封裝的形式出現(xiàn)，這種形式越來(lái)越常見。緊密的集成可減少將內(nèi)存連接到處理器的長(zhǎng)導(dǎo)線中的電阻，從而降低功耗。
總體來(lái)看，引線鍵合是主要的封裝方法，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)存儲(chǔ)器，其次是倒裝芯片封裝，其在DRAM市場(chǎng)不斷拓展。
?02、HBM帶動(dòng)封裝技術(shù)再創(chuàng)新
目前，AI服務(wù)器對(duì)HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求量越來(lái)越大，因?yàn)镠BM大大縮短了走線距離，從而大幅提升了AI處理器運(yùn)算速度。
HBM經(jīng)歷了幾代產(chǎn)品，包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3，最新的HBM3e剛出樣品。HBM是一種應(yīng)用于CPU和GPU的新型內(nèi)存，它將多個(gè)DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，主要通過(guò)TSV技術(shù)進(jìn)行芯片堆疊，通過(guò)貫通所有芯片層的柱狀通道傳輸信號(hào)、指令和電流，以增加吞吐量并克服單一封裝內(nèi)帶寬的限制，實(shí)現(xiàn)了大容量、高帶寬的DDR組合陣列。HBM3帶寬可以達(dá)到819GB/s。
目前，全球三大存儲(chǔ)芯片廠商都在開發(fā)HBM技術(shù)和產(chǎn)品，其中，三星和SK海力士已經(jīng)量產(chǎn)了HBM3，主要用于英偉達(dá)的H100、H800和AMD的MI300系列GPU，三星預(yù)計(jì)于2024年第一季度送樣HBM3e，下半年量產(chǎn)，SK海力士則于近期給英偉達(dá)送去了HBM3e樣品，其最新的GPU芯片H200已經(jīng)標(biāo)配了HBM3e。美光（Micron）則相對(duì)落后，該公司選擇跳過(guò)HBM3，直接開發(fā)HBM3e。
傳統(tǒng)封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足HBM的需求，而臺(tái)積電的CoWoS（chip-on-wafer-on-substrate）封裝則是較為理想的方案。
CoWoS是一種集成邏輯和HBM芯片的2.5D封裝技術(shù)，在這種封裝中，處理器和HBM在硅中介層上并排鍵合，以形成具有細(xì)間距和器件之間高密度互連布線的晶圓上芯片（CoW）。每個(gè)HBM都由帶有微凸塊的DRAM和一個(gè)帶有TSV的邏輯基座組成，然后完成在基板上具有較大凸塊的TSV中介層的組裝。
多年來(lái)，CoWoS一直在追求不斷增加硅中介層尺寸，以支持封裝中的處理器和HBM堆棧。目前，CoW是倒裝芯片鍵合最常用的組裝方法，它采用了一種稱為混合鍵合方法的無(wú)凹凸技術(shù)。
CoWoS產(chǎn)能不足是近期AI芯片出貨量的主要瓶頸，以臺(tái)積電為代表的廠商正在擴(kuò)充相關(guān)產(chǎn)能，以滿足市場(chǎng)需求。
?03、先進(jìn)封裝大戰(zhàn)
臺(tái)積電在2011年就開始布局CoWoS了，并陸續(xù)獲得多個(gè)客戶訂單，但由于報(bào)價(jià)昂貴，加上相應(yīng)的需求有限，因此，前些年的產(chǎn)能沒(méi)有明顯增加，但是，進(jìn)入2023年以來(lái)，特別是AIGC需求爆發(fā)，臺(tái)積電開始大幅擴(kuò)建CoWoS產(chǎn)線。
目前，除了臺(tái)積電，英特爾、三星等芯片制造大廠也在加大先進(jìn)封裝投入力度。
英特爾方面，預(yù)計(jì)該公司最新先進(jìn)封裝服務(wù)將在2026年投入量產(chǎn)。不同于其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手主要采用硅制程的中間層技術(shù)，英特爾選擇用玻璃基板，其成本會(huì)相對(duì)較高，業(yè)界采用該方案的廠商較少。
對(duì)于趕超臺(tái)積電HBM先進(jìn)封裝技術(shù)最為積極的是三星。
2021年，三星推出了2.5D封裝技術(shù)H-Cube。今年9月，據(jù)Etnews報(bào)道，為了追上臺(tái)積電AI芯片的先進(jìn)封裝，三星將推出名為FO-PLP的2.5D封裝技術(shù)。
據(jù)悉，F(xiàn)O-PLP可將處理器和HBM整合到硅中介層。據(jù)悉，F(xiàn)O-PLP的基板是方形，而臺(tái)積電的CoWoS是圓形基板，F(xiàn)O-PLP不會(huì)有邊緣基板損耗問(wèn)題，但由于要將芯片由晶圓移植到方形基板，其作業(yè)較為復(fù)雜。
近期，三星還推出了最新的封裝技術(shù)SAINT，包括SAINT S（垂直堆疊內(nèi)存和CPU），SAINT D（用于CPU、GPU和內(nèi)存的垂直封裝），SAINT L（用于堆疊應(yīng)用處理器）。
消息人士稱，SAINT S已經(jīng)通過(guò)了驗(yàn)證測(cè)試，在與客戶進(jìn)行進(jìn)一步測(cè)試后，三星將于2024年推出相應(yīng)的商業(yè)服務(wù)。
最近，三星HBM3及其封裝服務(wù)通過(guò)了AMD的質(zhì)量測(cè)試，后者計(jì)劃將這些芯片和服務(wù)用于其最新的GPU芯片Instinct MI300X。
此前，AMD曾考慮使用臺(tái)積電的封裝服務(wù)，但由于后者的CoWoS產(chǎn)能嚴(yán)重供不應(yīng)求，AMD不得不改變計(jì)劃。
據(jù)韓國(guó)消息人士透露，三星還在與英偉達(dá)進(jìn)行HBM3芯片技術(shù)驗(yàn)證，并提供封裝服務(wù)。一旦工作完成，預(yù)計(jì)三星將負(fù)責(zé)英偉達(dá)H100 與HBM3的封裝，據(jù)悉，這兩家公司簽署了一項(xiàng)服務(wù)和供應(yīng)協(xié)議。
今年6月，三星成立了多芯片集成聯(lián)盟，目的是與存儲(chǔ)芯片公司、外包半導(dǎo)體封裝和測(cè)試公司（OSAT），以及芯片設(shè)計(jì)公司共同推進(jìn)封裝技術(shù)。
在先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)方面，沒(méi)有芯片工廠的AMD也是不遺余力，特別是在HBM和GPU、CPU封裝方面。
在ISSCC 2023國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)上，AMD提出了多種新的封裝設(shè)想，其中之一是在服務(wù)器CPU模塊內(nèi)部，直接堆疊內(nèi)存，而且是多層堆疊。一種方式是將CPU模塊和內(nèi)存模塊并排封裝在硅中介層上，另一種方式是在計(jì)算模塊上方直接堆疊內(nèi)存，有點(diǎn)像手機(jī)SoC。
AMD表示，這種設(shè)計(jì)可以讓計(jì)算核心以更短的距離、更高的帶寬、更低的延遲訪問(wèn)內(nèi)存，還能降低功耗。
如果堆疊內(nèi)存容量足夠大，主板上的DIMM插槽都可以省了。
AMD甚至考慮在Instinct系列GPU已經(jīng)整合封裝HBM的基礎(chǔ)上，繼續(xù)堆疊DRAM，但只有一層，容量不會(huì)太大。這樣做的最大好處是一些關(guān)鍵算法可以直接在此DRAM內(nèi)執(zhí)行，不必在CPU和獨(dú)立內(nèi)存之間往復(fù)通信，從而提升性能、降低功耗。
AMD還設(shè)想在2D/2.5D/3D封裝內(nèi)部，集成更多模塊，包括內(nèi)存、統(tǒng)一封裝光網(wǎng)絡(luò)通道物理層、特定域加速器等，并引入高速標(biāo)準(zhǔn)化的芯片間接口通道（UCIe）。
?04、結(jié)語(yǔ)
3D封裝是未來(lái)發(fā)展方向，這種多層結(jié)構(gòu)有很多優(yōu)點(diǎn)：一、它通過(guò)增加芯片層次和連接方式，實(shí)現(xiàn)了更高的芯片集成度和功能密度；二、多層堆疊結(jié)構(gòu)減小了整個(gè)芯片的體積，使得電子設(shè)備變得更加輕薄便攜；三、多層堆疊提供了更高的性能和效率，可進(jìn)一步優(yōu)化電子設(shè)備的處理速度和能耗。
HBM所涉及的封裝已經(jīng)是當(dāng)下最先進(jìn)的內(nèi)存封裝技術(shù)了，不過(guò)，技術(shù)進(jìn)步的腳步一直沒(méi)有停歇，在擴(kuò)充現(xiàn)有先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)線的基礎(chǔ)上，各大廠商還在研發(fā)更具前瞻性的技術(shù)。
據(jù)悉，三星電子先進(jìn)封裝（AVP）事業(yè)組正在研發(fā)新一代內(nèi)存技術(shù)“Cache DRAM”，目標(biāo)是在2025年開始量產(chǎn)。與HBM相比，Cache DRAM功耗效率可改善60%，延遲將減少50%。
封裝技術(shù)方面，Cache DRAM與HBM也有很大區(qū)別，HBM是水平連接至GPU，Cache DRAM則是與GPU垂直連接。
當(dāng)然，不止三星，英特爾、臺(tái)積電、日月光等大廠都在開發(fā)新的內(nèi)存封裝技術(shù)，但具體情況還不得而知。
在研發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù)的道路上，需要解決的難題也很多，例如，隨著堆疊層數(shù)的增加，熱量的管理問(wèn)題越來(lái)越凸出，因?yàn)樵诰o密堆疊的芯片中，熱量散發(fā)變得更加困難。對(duì)此，科學(xué)家們正在不斷尋找解決方案，以保持芯片高性能工作狀態(tài)的穩(wěn)定性和可靠性。
下載ECAD模型
