臺(tái)積電宣布,將于明年第一季度在美國(guó)亞利桑那州投產(chǎn)其第一家半導(dǎo)體代工廠,試生產(chǎn)已經(jīng)在進(jìn)行中。
臺(tái)積電還重申了其正在建設(shè)的另外兩家工廠引入2納米以下工藝技術(shù)的計(jì)劃,這表明在美國(guó)生產(chǎn)的半導(dǎo)體可能會(huì)更昂貴。
4月19日,IT雜志《Toms Hardware》報(bào)道稱(chēng),“臺(tái)積電已決定為其美國(guó)工廠提供的代工服務(wù)附加'溢價(jià)'”,考慮到投資成本,這是一個(gè)可以理解的選擇。
臺(tái)積電在第一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上分享了其對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠的投資細(xì)節(jié)。
在此之前,美國(guó)政府最近確認(rèn)向臺(tái)積電提供66億美元的補(bǔ)貼,臺(tái)積電對(duì)此做出了回應(yīng),提出了總共建設(shè)三家新工廠的計(jì)劃。
臺(tái)積電表示,臺(tái)積電亞利桑那州首家半導(dǎo)體工廠將于明年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)。
臺(tái)積電將原定于今年年底開(kāi)始運(yùn)營(yíng)的時(shí)間推遲到2025年,但沒(méi)有透露具體時(shí)間。但是,該公告證實(shí)該計(jì)劃并未被顯著推遲。
臺(tái)積電表示,臺(tái)積電已于4月在其亞利桑那州工廠開(kāi)始試生產(chǎn)4nm半導(dǎo)體晶圓。這意味著明年年初的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作將順利進(jìn)行。
媒體推測(cè),臺(tái)積電美國(guó)工廠可能在年內(nèi)投產(chǎn),理由是從試制到建立量產(chǎn)體系大約需要半年時(shí)間。
臺(tái)積電CEO魏哲家還宣布計(jì)劃于2028年在其位于亞利桑那州的第二家半導(dǎo)體工廠開(kāi)始量產(chǎn)2nm半導(dǎo)體。最初計(jì)劃引入3nm,但它是引入更先進(jìn)的技術(shù)。
新宣布的第三家工廠將致力于2nm以下的晶圓代工,在2030年之前進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
魏哲家表示,“我們相信,美國(guó)亞利桑那州工廠的半導(dǎo)體質(zhì)量和穩(wěn)定性將與中國(guó)臺(tái)灣工廠相同,,對(duì)日本和德國(guó)半導(dǎo)體工廠的投資也在按計(jì)劃進(jìn)行。”
不過(guò),魏哲家表示,考慮到成本負(fù)擔(dān),臺(tái)積電將為中國(guó)臺(tái)灣以外制造的半導(dǎo)體支付更高的價(jià)格。
如果客戶(hù)想要確保特定地區(qū)生產(chǎn)的半導(dǎo)體數(shù)量,就必須分擔(dān)成本增加的負(fù)擔(dān)。
基于臺(tái)積電的4nm微工藝半導(dǎo)體,美國(guó)生產(chǎn)的晶圓價(jià)格可能比中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)的晶圓高出20~30%。
這可能會(huì)減輕臺(tái)積電因設(shè)施投資和勞動(dòng)力成本等成本增加而造成的盈利負(fù)擔(dān)。
行業(yè)人士認(rèn)為,客戶(hù)不會(huì)歡迎這樣的變化,但有充分的理由將供應(yīng)給美國(guó)政府的半導(dǎo)體或?qū)ΥS單位成本不高的產(chǎn)品委托給臺(tái)積電的美國(guó)工廠。
即使是英偉達(dá)的人工智能(AI)半導(dǎo)體等產(chǎn)品,在整體價(jià)格中所占的代工成本比例也相對(duì)較小,因此臺(tái)積電的漲價(jià)需求在一定程度上是可以接受的。
魏哲家強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電將與代工廠所在國(guó)的政府密切合作,以確保其獲得支持,以保持其技術(shù)領(lǐng)先地位和競(jìng)爭(zhēng)力,這是其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手難以匹敵的。
不過(guò),行業(yè)人士指出,臺(tái)積電能否在美國(guó)等海外工廠獲得穩(wěn)定的晶圓代工良率還有待觀察。