臺(tái)積電美國(guó)晶圓廠4月試產(chǎn)，明年Q1量產(chǎn)

臺(tái)積電宣布，將于明年第一季度在美國(guó)亞利桑那州投產(chǎn)其第一家半導(dǎo)體代工廠，試生產(chǎn)已經(jīng)在進(jìn)行中。

臺(tái)積電還重申了其正在建設(shè)的另外兩家工廠引入2納米以下工藝技術(shù)的計(jì)劃，這表明在美國(guó)生產(chǎn)的半導(dǎo)體可能會(huì)更昂貴。

4月19日，IT雜志《Toms Hardware》報(bào)道稱(chēng)，“臺(tái)積電已決定為其美國(guó)工廠提供的代工服務(wù)附加'溢價(jià)'”，考慮到投資成本，這是一個(gè)可以理解的選擇。

臺(tái)積電在第一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上分享了其對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠的投資細(xì)節(jié)。

在此之前，美國(guó)政府最近確認(rèn)向臺(tái)積電提供66億美元的補(bǔ)貼，臺(tái)積電對(duì)此做出了回應(yīng)，提出了總共建設(shè)三家新工廠的計(jì)劃。

臺(tái)積電表示，臺(tái)積電亞利桑那州首家半導(dǎo)體工廠將于明年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)。

臺(tái)積電將原定于今年年底開(kāi)始運(yùn)營(yíng)的時(shí)間推遲到2025年，但沒(méi)有透露具體時(shí)間。但是，該公告證實(shí)該計(jì)劃并未被顯著推遲。

臺(tái)積電表示，臺(tái)積電已于4月在其亞利桑那州工廠開(kāi)始試生產(chǎn)4nm半導(dǎo)體晶圓。這意味著明年年初的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作將順利進(jìn)行。

媒體推測(cè)，臺(tái)積電美國(guó)工廠可能在年內(nèi)投產(chǎn)，理由是從試制到建立量產(chǎn)體系大約需要半年時(shí)間。

臺(tái)積電CEO魏哲家還宣布計(jì)劃于2028年在其位于亞利桑那州的第二家半導(dǎo)體工廠開(kāi)始量產(chǎn)2nm半導(dǎo)體。最初計(jì)劃引入3nm，但它是引入更先進(jìn)的技術(shù)。

新宣布的第三家工廠將致力于2nm以下的晶圓代工，在2030年之前進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

魏哲家表示，“我們相信，美國(guó)亞利桑那州工廠的半導(dǎo)體質(zhì)量和穩(wěn)定性將與中國(guó)臺(tái)灣工廠相同，，對(duì)日本和德國(guó)半導(dǎo)體工廠的投資也在按計(jì)劃進(jìn)行。”

不過(guò)，魏哲家表示，考慮到成本負(fù)擔(dān)，臺(tái)積電將為中國(guó)臺(tái)灣以外制造的半導(dǎo)體支付更高的價(jià)格。

如果客戶(hù)想要確保特定地區(qū)生產(chǎn)的半導(dǎo)體數(shù)量，就必須分擔(dān)成本增加的負(fù)擔(dān)。

基于臺(tái)積電的4nm微工藝半導(dǎo)體，美國(guó)生產(chǎn)的晶圓價(jià)格可能比中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)的晶圓高出20~30%。

這可能會(huì)減輕臺(tái)積電因設(shè)施投資和勞動(dòng)力成本等成本增加而造成的盈利負(fù)擔(dān)。

行業(yè)人士認(rèn)為，客戶(hù)不會(huì)歡迎這樣的變化，但有充分的理由將供應(yīng)給美國(guó)政府的半導(dǎo)體或?qū)ΥS單位成本不高的產(chǎn)品委托給臺(tái)積電的美國(guó)工廠。

即使是英偉達(dá)的人工智能（AI）半導(dǎo)體等產(chǎn)品，在整體價(jià)格中所占的代工成本比例也相對(duì)較小，因此臺(tái)積電的漲價(jià)需求在一定程度上是可以接受的。

魏哲家強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電將與代工廠所在國(guó)的政府密切合作，以確保其獲得支持，以保持其技術(shù)領(lǐng)先地位和競(jìng)爭(zhēng)力，這是其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手難以匹敵的。

不過(guò)，行業(yè)人士指出，臺(tái)積電能否在美國(guó)等海外工廠獲得穩(wěn)定的晶圓代工良率還有待觀察。