又一條10nm產(chǎn)線！年底建成！

三星電子正在開發(fā)的1c DRAM（第六代10納米級DRAM）正在成為半導體行業(yè)的最大話題。1c DRAM是三星電子、SK海力士等預計明年開始量產(chǎn)的下一代存儲器。三星電子計劃在今年年底前建成第一條 1c DRAM 量產(chǎn)線。

1c DRAM 對于三星電子來說很重要，因為 HBM（高帶寬內存）正在引領半導體市場的增長。三星電子決定使用1c DRAM作為第六代HBM和HBM4的核心芯片，計劃于明年底發(fā)布。

三星電子遭遇了一些挫折，例如為主要客戶英偉達（Nvidia）生產(chǎn)前幾代產(chǎn)品（例如 HBM3 和 HBM3E）的時間被推遲。與競爭對手在 HBM3E 中使用 1b DRAM 不同，使用低一代的 1a DRAM 被指出是性能不佳的主要因素。

相反，對于HBM4，三星電子采用1c DRAM，SK海力士和美光采用1b DRAM。三星電子的策略是通過采用比競爭對手集成度更高的DRAM，快速提高一直落后的HBM的競爭力。

不過，業(yè)界對三星電子的 HBM 路線圖存在諸多擔憂。這是因為三星電子很有可能從HBM4開始顛覆DRAM和HBM開發(fā)的技術程序和實踐。

由于HBM是基于通用DRAM制作的，因此保證通用DRAM的穩(wěn)定性能非常重要。因此，業(yè)界首先開發(fā)了用于計算和移動的DRAM產(chǎn)品，然后經(jīng)歷了將其應用于HBM的過程。

不過，考慮到三星電子目前的舉動，這一流程被省略或減少的可能性很大。三星電子原計劃年內開始量產(chǎn)1c DRAM?？紤]到設備投資的時間安排，全面量產(chǎn)最快也要到明年上半年。這樣一來，距離HBM4的量產(chǎn)目標只剩下不到一年的時間了。

一位存儲半導體行業(yè)人士表示，“通常只有當計算作為核心并衍生于移動、HBM等時，DRAM才是穩(wěn)定的。三星這次是一次不尋常的嘗試”。

事實上，SK海力士去年8月成功開發(fā)出全球首款基于1c工藝的16Gb（千兆位）DDR5 DRAM，但并不適用于HBM4。據(jù)了解，更加注重穩(wěn)定性而非性能提升的決定是考慮到了市場情況。

本月，三星電子在 1c DRAM 開發(fā)過程中首次獲得了“好芯片”。好的芯片是指運行正常的半導體芯片。據(jù)說，公司內部給出了“希望出現(xiàn)了”的積極評價。

不過，有人指出，三星電子仍需要大量準備工作和程序才能穩(wěn)定量產(chǎn)1c DRAM。與晶圓投入相比，三星電子在此開發(fā)過程中獲得的優(yōu)質芯片數(shù)量非常少。換算成收益率的話，算下來還不到10%。

此外，半導體制程要商業(yè)化還必須經(jīng)過多個流程，例如工程樣品（ES）在獲得好芯片后完成芯片的封裝，以及客戶樣品（CS）為客戶完成質量認證。

一位業(yè)內人士表示，“三星電子在1c DRAM方面面臨著一箭雙雕的局面，包括盡快完成良率和性能穩(wěn)定性。”