中韓存儲(chǔ)芯片差距縮至三代！

根據(jù)三星電子10月8日在臨時(shí)業(yè)績(jī)公告中發(fā)布了單獨(dú)的說(shuō)明材料，并表示“業(yè)績(jī)受到中國(guó)存儲(chǔ)器公司傳統(tǒng)產(chǎn)品供應(yīng)增加的影響”。這是第一次專(zhuān)門(mén)提及中國(guó)存儲(chǔ)器企業(yè)的進(jìn)展。這意味著中國(guó)的增長(zhǎng)非同尋常。事實(shí)上，以CX存儲(chǔ)為代表的中國(guó)內(nèi)存企業(yè)正在積極投資、招募人才，以實(shí)現(xiàn)擊敗三星電子成為全球第一內(nèi)存公司的目標(biāo)。業(yè)內(nèi)人士分析，不僅是產(chǎn)能，技術(shù)也在快速進(jìn)步。

CX存儲(chǔ)今年主要生產(chǎn)17nm DRAM，占全部生產(chǎn)產(chǎn)品的53%占領(lǐng)。去年的主要產(chǎn)品是19nm DRAM，占產(chǎn)量的87%。這意味著該技術(shù)在短短一年內(nèi)通過(guò)快速工藝變更成功升級(jí)。

更令人驚訝的是，明年預(yù)計(jì)將發(fā)生急劇的技術(shù)變革。CX存儲(chǔ)從今年第三季度開(kāi)始量產(chǎn)第一款“16nm DRAM”，預(yù)計(jì)明年該產(chǎn)品的生產(chǎn)率將提高至33%。

納米（Nano）在指存儲(chǔ)半導(dǎo)體時(shí)使用，是指 DRAM 中包含的晶體管的線(xiàn)寬。線(xiàn)寬越小，一顆芯片上可以安裝的存儲(chǔ)元件就越多。以三星電子為例，其目標(biāo)是在今年內(nèi)批量生產(chǎn) 10 納米級(jí)第六代 (1c) DRAM。據(jù)了解，第五代DRAM，即上一代，線(xiàn)寬為12納米，1c DRAM的線(xiàn)寬為11納米。中國(guó)企業(yè)與三星電子、SK海力士等韓國(guó)企業(yè)相比，仍存在三代左右的差距。

這是因?yàn)?PC 和移動(dòng)市場(chǎng)對(duì)舊 DRAM 的需求充足。這與中國(guó)顯示器產(chǎn)業(yè)過(guò)去從液晶顯示器（LCD）產(chǎn)品開(kāi)始逐漸搶走韓國(guó)市場(chǎng)份額的情況類(lèi)似。中國(guó)企業(yè)正在瞄準(zhǔn)這一需求。一位業(yè)內(nèi)人士表示，“據(jù)我了解，由于經(jīng)營(yíng)狀況惡化和中國(guó)企業(yè)的遺留目標(biāo)，三星電子的 DRAM 庫(kù)存大幅增加。SK 海力士正在用高端 DRAM 追趕三星電子，并且中國(guó)公司正在蠶食中低端市場(chǎng)?！?/p>

CX存儲(chǔ)產(chǎn)能增加40%

三星電子在DRAM行業(yè)確保了無(wú)與倫比的產(chǎn)能。以12英寸計(jì)算，每月可投入68萬(wàn)片晶圓,占全球DRAM晶圓投入的37%。

CX存儲(chǔ)正在挑戰(zhàn)三星的據(jù)點(diǎn)。2022年產(chǎn)能僅為每月5萬(wàn)張，隨著北京第二工廠(chǎng)今年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)第四季度產(chǎn)能將迅速增至每月21萬(wàn)片。預(yù)計(jì)明年數(shù)量將增至30萬(wàn)片，增幅約為40%。這相當(dāng)于第三大 DRAM 生產(chǎn)商美光科技每月 335,000 片的產(chǎn)能水平。

中國(guó)產(chǎn)能的進(jìn)步也體現(xiàn)在NAND產(chǎn)業(yè)上。CJ存儲(chǔ)去年已量產(chǎn) 232 層 NAND 閃存，明年將確保每月投入 135,000 片晶圓的產(chǎn)能。雖然與NAND市場(chǎng)排名第一的三星電子相比還有一定距離，但在競(jìng)爭(zhēng)比DRAM更激烈的NAND行業(yè)中，評(píng)價(jià)其規(guī)模足以發(fā)揮影響力。

中國(guó)能克服半導(dǎo)體設(shè)備嗎？

這是因?yàn)樵?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/492192.html">半導(dǎo)體制造設(shè)備方面占據(jù)領(lǐng)先地位的美國(guó)正在實(shí)施高強(qiáng)度的出口限制，以對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體造成壓力。2022年10月，美國(guó)商務(wù)部對(duì)中國(guó)出口14納米以下系統(tǒng)半導(dǎo)體、18納米以下DRAM、128層以上NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備實(shí)施管制。三星電子和 SK 海力士為 DRAM 制造推出的 ASML 極紫外 (EUV) 曝光設(shè)備自 2019 年以來(lái)已受到監(jiān)管。

盡管如此，中國(guó)正在通過(guò)材料、零部件和設(shè)備的快速?lài)?guó)際化，用自己的設(shè)備填充當(dāng)?shù)氐拇鎯?chǔ)器工廠(chǎng)。