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三星電子開始投資可大規(guī)模生產(chǎn)的“1c” DRAM。據(jù)了解，近期已向相關(guān)合作伙伴訂購了生產(chǎn)設(shè)備，安裝工作將于明年2月左右開始。
由于1c DRAM是決定三星電子下一代HBM4競爭力的關(guān)鍵要素，因此看來正在為及時量產(chǎn)該產(chǎn)品做好準備。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士12月9日透露，三星電子最近開始訂購設(shè)備，用于在平澤第四園區(qū)（P4）建設(shè)1c DRAM量產(chǎn)線。
三星平澤P4工廠是三星電子的一個重要半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期建設(shè)。第一期為NAND閃存生產(chǎn)，第二期原計劃為邏輯代工，但現(xiàn)已調(diào)整策略，三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)，將三期和四期專注于DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)?，每一期總投資超30萬億韓元（1521億元人民幣）。
1c DRAM 是第六代 10 納米 DRAM。電路線寬約為 11 至 12 納米 (nm)，是比目前商業(yè)化的最新一代1b（第5代）DRAM領(lǐng)先一代的產(chǎn)品，預(yù)計從明年開始全面商業(yè)化。
因此，三星電子也一直在重點開發(fā)1c DRAM。去年第三季度，取得了明顯的成果，例如首次獲得了1c DRAM的“好芯片”（正常運行的芯片）。
此外，三星電子已經(jīng)開始準備量產(chǎn)1c DRAM。最近發(fā)現(xiàn)P4內(nèi)的新DRAM生產(chǎn)線已投資用于量產(chǎn)1c DRAM的設(shè)備。到目前為止，1c DRAM 僅在試生產(chǎn)線上生產(chǎn)。
因此，主要設(shè)備公司的設(shè)備預(yù)計將于明年第一季度開始引進，按投資規(guī)模計算產(chǎn)能約為每月15000片。雖然目前規(guī)模不大，但據(jù)報道正在討論追加投資的事宜。
半導(dǎo)體行業(yè)的一位人士表示，“曾討論過每月投資約 30000片，但三星電子最近確認的采購訂單 (PO) 規(guī)模約為每月 15,000片?！?/p>
三星電子的1c DRAM在供應(yīng)下一代HBM（高帶寬存儲器）HBM4（第六代HBM）的競爭中也具有重要意義。
三星電子一直使用1a（第4代）DRAM，直至HBM3E（第5代HBM），但計劃在HBM4中使用1c DRAM。主要競爭對手 SK 海力士和美光在 HBM3E 之后在 HBM4 中保留 1b DRAM。
HBM 是多個 DRAM 垂直堆疊的存儲器。因此，核心芯片DRAM的性能對HBM的性能有重大影響。這就是為什么人們預(yù)計，如果三星電子成功地將1c DRAM應(yīng)用于HBM4，它將能夠重新獲得在下一代HBM市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
不過，目前還很難確定三星電子是否能夠成功量產(chǎn)1c DRAM和HBM4。盡管三星電子正在全力開發(fā)1c DRAM，但尚未能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的良率。
另一位人士表示，“三星電子的目標是在明年下半年量產(chǎn)HBM4，因此似乎正在為此進行設(shè)備投資。關(guān)鍵在于DRAM和HBM的良率能多快提高。”
