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又一先進封裝項目泡湯

11小時前
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三星電子預計將加快在美國的投資和代工業(yè)務。這是一項戰(zhàn)略決定,旨在回應人們對特朗普第二任期后美國政策也將發(fā)生變化的擔憂。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士12月23日透露,美國商務部與三星電子簽署了最終合同,將支付47.45億美元的直接補貼,但是與去年5月初步交易備忘錄(PMT)時宣布的補貼(64億美元)相比,補貼金額減少了26%。

由于三星電子決定減少此前計劃的在美國的投資,補貼也隨之減少。在簽署初步交易備忘錄時,三星電子表示,到2030年將在美國投資440億美元。

不過,美國商務部表示,“三星電子未來幾年將投資超過370億美元,總投資額減少70億美元,約減少16%?!?/p>

最初,三星電子宣布將在泰勒市建設兩座 4nm(納米)和 2nm 代工工廠、一座先進技術(shù)研發(fā)(R&D)設施以及一座用于 3D 高帶寬存儲器(HBM)和 2.5D 封裝先進封裝設施.

然而,最終合同不包括對先進封裝設施的投資。代工工廠也從4納米改為“兩個2納米或更高的代工廠”。

三星電子減少在美投資分析原因是代工業(yè)績不佳導致投資速度調(diào)整、特朗普政府第二任期上任導致全球不確定性增加以及高匯率影響。2021年,三星電子開始建設泰勒工廠,目標于2024年投產(chǎn)。但由于難以穩(wěn)定代工良率和爭取客戶,啟動日期被推遲至2026年。韓國平澤園區(qū)新鑄造生產(chǎn)線的建設步伐也已開始。

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