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    • 美光1γ DRAM開啟EUV試產(chǎn)
    • EUV:存儲大廠引領(lǐng)先進DRAM技術(shù)的關(guān)鍵
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存儲市場吹響EUV光刻機集結(jié)號

07/05 15:04
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AI浪潮下,存儲市場DRAM芯片正朝著更小、更快、更好的方向發(fā)展,EUV光刻機擔(dān)當(dāng)重任。三大DRAM原廠中有兩家已經(jīng)引進EUV光刻機生產(chǎn)DRAM芯片,美光相對保守,不過也于今年將在1γ(1-gamma)制程進行EUV技術(shù)試產(chǎn),三大原廠集結(jié),存儲市場EUV光刻機時代開啟。

美光1γ DRAM開啟EUV試產(chǎn)

與其他半導(dǎo)體大廠相比,美光并不急于為DRAM芯片生產(chǎn)導(dǎo)入EUV(極紫外光)設(shè)備,其DRAM芯片產(chǎn)品皆采用DUV(深紫外光)光刻機制造。

近期,媒體報道美光計劃于2024年開始在其10納米級的1γ制程技術(shù)上進行EUV光刻技術(shù)的試生產(chǎn),預(yù)計該制程技術(shù)于2025年進入大規(guī)模量產(chǎn)的階段。

今年6月26日,美光最新(2024年3-5月)財報顯示,該季公司營收68.11億美元,環(huán)比增長17%,同比增長81.5%;Non-GAAP下,美光經(jīng)營利潤9.41億美元;凈利潤7.02億美元,環(huán)比增長47%。其中,DRAM收入約47億美元,環(huán)比增長13%,營收占比約69%。

美光CEO Sanjay Mehrotra在財報會議上表示,1γ制程DRAM試產(chǎn)進展順利, 符合量產(chǎn)計劃。現(xiàn)階段,美光正在日本廣島工廠開發(fā)采用EUV光刻技術(shù)的1γ DRAM制造技術(shù),這也是首批1γ存儲器的試產(chǎn)地。

美光DRAM技術(shù)路線圖顯示,1γ之后,美光也將在1δ工藝中采用EUV技術(shù),同時美光在未來幾年將發(fā)展3D DRAM的架構(gòu),以及用于DRAM生產(chǎn)的High-NA EUV光刻技術(shù)。

業(yè)界透露,High NA EUV技術(shù)是EUV技術(shù)的進一步發(fā)展。NA代表數(shù)值孔徑,表示光學(xué)系統(tǒng)收集和聚焦光線的能力。數(shù)值越高,聚光能力越好。通過升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統(tǒng),High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率,從而有助于晶體管的進一步微縮。

EUV:存儲大廠引領(lǐng)先進DRAM技術(shù)的關(guān)鍵

當(dāng)前,DRAM先進制程不斷朝10nm級別邁進,生產(chǎn)難度與生產(chǎn)設(shè)備也隨之升級,因而存儲大廠開始瞄準(zhǔn)EUV光刻機。

據(jù)悉,DUV光刻使用193納米波長,而EUV光刻使用13.5納米波長,波長改善有助于繪制更精細的電路,從而可以在相同的表面積中存儲更多的數(shù)據(jù)。使用EUV工藝制造的芯片尺寸雖小但功能強大,處理能力和生產(chǎn)率更強,從而使得智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備服務(wù)器等應(yīng)用中的多功能性進一步提高。

得益于半導(dǎo)體制造技術(shù)和專業(yè)技能的積累,三星在部署EUV光刻機方面具備先發(fā)優(yōu)勢,是三大DRAM原廠中率先引用EUV光刻機生產(chǎn)DRAM芯片的廠商。

三星于2020年宣布已交付100萬個基于EUV技術(shù)的10納米級 (D1x) DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM,同年,三星正式啟動華城廠區(qū)極紫外光刻(EUV)專用V1生產(chǎn)線。2021年10月,三星宣布開始量產(chǎn)14nm EUV DDR5 DRAM。隨后,三星一直批量生產(chǎn)使用EUV技術(shù)的特定產(chǎn)品。

進入2024年,媒體報道三星計劃進一步擴大EUV工藝,今年年底前實現(xiàn)1c nm(對應(yīng)美光1γ nm)制程的量產(chǎn),這有望提升EUV使用量,在減小線寬、提升速率同時帶來更好能效。

結(jié) 語

存儲產(chǎn)業(yè)中,DRAM制程技術(shù)正不斷向10nm級別靠近,甚至未來有望突破10nm以下,這一過程中,EUV光刻技術(shù)也將在未來發(fā)揮更加重要的作用。隨著美光1γ DRAM開啟EUV時代,三星等存儲大廠繼續(xù)深耕EUV,未來EUV光刻機有望在DRAM生產(chǎn)中迎來屬于它的高光時刻。

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