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2023年，為提升國內(nèi)芯片企業(yè)在全球范圍的影響力，促進和記錄國內(nèi)芯片的技術(shù)、市場應(yīng)用進程，芯師爺特別策劃《2023年硬核芯產(chǎn)業(yè)專題報告》。
本篇為系列專題報告之《深耕中小容量市場，存儲芯片靜待產(chǎn)業(yè)回暖--2023年國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)業(yè)概述及產(chǎn)品選型參考》。以下為報告全文。
存儲芯片分類概述?
半導(dǎo)體存儲器作為電子系統(tǒng)的基本組成部分，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最為廣泛的電子器件之一。存儲芯片種類繁多，大類上，根據(jù)數(shù)據(jù)是否會在斷電時消失，半導(dǎo)體存儲器被分為易失性存儲器（Volatile memory）和非易失性存儲器（non-volatile memory）兩大類。
其中，由于讀寫速度更快，易失性存儲器通常被用以輔助CPU工作，即“內(nèi)存”；非易失性存儲器則為“外存”，主要用于存儲大量的數(shù)據(jù)文件。
在內(nèi)存這個類別中，最重要的是DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），因為其常年占據(jù)全球存儲類芯片市場半壁江山。綜合來看，DRAM結(jié)構(gòu)簡單，能夠擁有非常高的密度，單位體積的容量較高，成本較低。再往下，領(lǐng)導(dǎo)標準機構(gòu)JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會）將DRAM定義為標準DDR、移動DDR、圖形DDR三個類別，分別對應(yīng)電腦內(nèi)存、手機運存、顯卡顯存。
與DRAM相對的是SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），兩者的存儲原理、結(jié)構(gòu)不同，特性完全相反。除了能夠應(yīng)用在緩存中，SRAM一般還會用在FPGA內(nèi)，不過SRAM價格昂貴，全球市場規(guī)模占比也始終較小。在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，DRAM和SRAM各有專長，可以適用不同應(yīng)用場景。
在非易失性存儲器領(lǐng)域，持續(xù)涌現(xiàn)新技術(shù)，目前技術(shù)成熟且擁有一定規(guī)模市場的外存共有三種：NAND Flash、NOR Flash、EEPROM。其中，市場規(guī)模最大的是NAND Flash。
NAND Flash屬于數(shù)據(jù)型閃存芯片，可以實現(xiàn)大容量存儲、高寫入和擦除速度，多應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲。擁有SLC、MLC、TLC、QLC四種不同存儲技術(shù)，依次代表每個存儲單元存儲的數(shù)據(jù)分別為1位、2位、3位與4位。其中SLC和MLC/TLC/QLC形成了截然不同兩個賽道，因為SLC技術(shù)較老但壽命、可靠性最優(yōu)的。從SLC到QLC，存儲密度逐步提升，單位比特（Bit）成本隨之降低。但相對的，性能、功耗、可靠性與P/E循環(huán)（擦寫循環(huán)次數(shù)，即壽命）會下降。
目前提升NAND Flash性能的技術(shù)路徑有兩個：其一，提升制程節(jié)點；其二，通過縱向疊加NAND Flash層數(shù)獲取高密度和大容量，即3D NAND Flash。一般來說，SSD固態(tài)硬盤、U盤、手機閃存、SD卡均屬大容量3D NAND Flash范疇。
NAND Flash和DRAM占據(jù)了全球存儲市場的超九成，是最具代表性的存儲產(chǎn)品，其行情變動具有風(fēng)向標意義。
NOR Flash屬于代碼型閃存芯片，用來存儲代碼及部分數(shù)據(jù)，是終端電子產(chǎn)品種不可或缺的重要元器件，具備隨機存儲、可靠性高、讀取速度快、可執(zhí)行代碼等特性，在中低容量應(yīng)用時具備性能和成本上的優(yōu)勢。
EEPROM則是一種支持電可擦除和即插即用的非易失性存儲器，具有體積小、接口簡單、數(shù)據(jù)保存可靠、可在線改寫、功耗低等特點。
新型存儲器方面，目前主要有4種，分別是：阻變存儲器（ReRAM/RRAM）、相變存儲器（PCRAM）、鐵電存儲器（FeRAM/FRAM）、磁性存儲器（MRAM，第二代為STT-RAM）。據(jù)Yole統(tǒng)計，預(yù)計2026年新型存儲器在全球市場份額的占比將上升到3%[1]。
資料來源：Yole，果殼硬科技
存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈概述
存儲產(chǎn)業(yè)鏈上下游概述
由于布圖設(shè)計與晶圓制造的技術(shù)結(jié)合緊密，目前主流存儲廠商三星、美光、SK海力士等仍采用 IDM 的經(jīng)營模式。一款存儲產(chǎn)品的上市，需要經(jīng)過產(chǎn)業(yè)鏈的多個環(huán)節(jié)。首先，在晶圓制造環(huán)節(jié)，存儲晶圓的設(shè)計及制造標準化程度較高，出品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面技術(shù)規(guī)格上也趨同。不過，在應(yīng)用上，終端客戶由于需求場景不同，在容量、帶寬、時延、壽命、尺寸、性價比等方面需要的技術(shù)規(guī)格相異，因此存儲原廠完成晶圓制造后，仍需開發(fā)大量應(yīng)用技術(shù)以實現(xiàn)從標準化存儲晶圓到具體存儲產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化。由于以上的產(chǎn)業(yè)特征，部分存儲原廠憑借晶圓優(yōu)勢向下游存儲產(chǎn)品領(lǐng)域滲透同時，無晶圓制造的存儲器廠商/獨立的存儲器供應(yīng)商/存儲模組供應(yīng)商應(yīng)運而生[2]。
其中，存儲晶圓廠商憑借 IDM 模式向下游存儲器產(chǎn)品領(lǐng)域滲透，其競爭重心在于創(chuàng)新晶圓IC設(shè)計、提升晶圓制程和市場占有率，在應(yīng)用領(lǐng)域主要聚焦通用化、標準化的存儲器產(chǎn)品，重點服務(wù)智能手機、個人電腦及服務(wù)器等行業(yè)的頭部客戶。除了這些通用型存儲器應(yīng)用外，仍存在極為廣泛的應(yīng)用場景和市場需求，包括細分行業(yè)存儲需求（如工業(yè)控制、商用設(shè)備、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、家用電器、影像監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)硬件等）以及主流應(yīng)用市場里中小客戶的需求。
無晶圓制造的存儲器廠商面向下游細分行業(yè)客戶的具體需求，進行介質(zhì)晶圓特性研究與選型、主控芯片選型與定制、固件開發(fā)、封裝設(shè)計與制造、芯片測試等，并提供后端的技術(shù)支持，將標準化存儲晶圓轉(zhuǎn)化為千端千面的存儲器產(chǎn)品，推動實現(xiàn)存儲晶圓的產(chǎn)品化和商業(yè)化，在存儲器產(chǎn)業(yè)鏈扮演承上啟下的重要角色[3]。
資料來源：江波龍招股書、網(wǎng)上公開資料
存儲產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)一覽
資料來源：果殼硬科技、企業(yè)官網(wǎng)
存儲芯片市場規(guī)模概述
據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，2023年第三季度，全球DRAM市場實現(xiàn)營收134.8億美元。其中，三星仍是全球最大的DRAM 供應(yīng)商，銷售額達到近52.5億美元，占全球市場份額的38.9%；SK海力士位列第二，DRAM 銷售額為46.26億美元，占據(jù)全球34.3%市場份額；美光是全球第三大DRAM供應(yīng)商，銷售額為30.75億美元，全球占比22.8%。DRAM賽道的頭三位玩家吃掉了全球DRAM市場96%的份額。
圖源：TrendForce集邦咨詢
在國產(chǎn)存儲芯片的細分領(lǐng)域中，DRAM是最需要攻堅的一環(huán)。目前，在DRAM賽道上，有相應(yīng)產(chǎn)品的國產(chǎn)芯企包括長/鑫存儲、紫光國芯、福建晉華、東芯半導(dǎo)體、北京君正。
中國DRAM技術(shù)與國外企業(yè)相比，大致落后5-6年，且技術(shù)差距還在擴大之中。目前國產(chǎn)存儲廠商的DRAM產(chǎn)品尚處于DDR4時代，而三星、SK海力士、美光在近兩年都相繼宣布DDR5 DRAM開發(fā)成功。
與DRAM相比，SRAM市場規(guī)模極小。據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2022-2027年中國SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）行業(yè)市場深度調(diào)研及發(fā)展前景預(yù)測報告》顯示，2021年，全球SRAM市場規(guī)模約為4億美元。2022年，北京君正的SRAM產(chǎn)品收入在全球市場中位居第二位。據(jù)悉，北京君正擁有的SRAM 產(chǎn)品品類豐富，從傳統(tǒng)的 Synch SRAM、Asynch SRAM 產(chǎn)品到行業(yè)前沿的高速 QDR SRAM 產(chǎn)品均擁有自主研發(fā)的知識產(chǎn)權(quán)。
據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，2023年第三季度，全球NAND Flash市場實現(xiàn)營收約92.29億美元。其中，排名前三的分別是三星、SK海力士和西部數(shù)據(jù)，分別占據(jù)全球NaND Flash市場31.4%、20.2%和16.9%的份額。另外，鎧俠和美光分別占據(jù)14.5%和12.5%的市場份額，位列第四和第五。相較DRAM，NAND Flash的市場集中度沒那么高，前三的存儲廠商占據(jù)68.5%市場份額，前五的存儲廠商占據(jù)96%的市場份額。
圖源：TrendForce集邦咨詢
技術(shù)路線方面，主要存儲原廠在激烈競爭中不斷提升NAND Flash存儲密度。三星電子 2013年率先開發(fā)出可商業(yè)應(yīng)用的24層3D NAND，2022年，各大NAND Flash廠商競相將3D堆疊的層數(shù)推到200層以上。其中，SK海力士在2022年8月宣布成功研發(fā)了238層NAND閃存；2022年11月，三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其236層3D NAND 閃存芯片，也就是第8V-NAND。2022年12月，美光宣布232層NAND客戶端SSD正式出貨。
在NAND Flash賽道，長/江存儲是國內(nèi)鮮有的可與國際廠商同臺競技的企業(yè)。據(jù)悉，其于2018年發(fā)布其研發(fā)的3D NAND獨家技術(shù)Xtacking，隨后分別于2018年和2019年第三季度分別實現(xiàn)32層和64層3D NAND 量產(chǎn)，并在2020年推出128層QLC 3D NAND 閃存。截至2020年末長/江存儲取得全球接近1%市場份額，成為五大國際原廠以外市場份額最大的NAND Flash晶圓原廠。不過，由于眾所周知的原因，目前發(fā)展充滿挑戰(zhàn)。
目前，占據(jù)全球存儲市場九成以上份額的DRAM和NAND Flash賽道，都呈現(xiàn)高度壟斷且相對穩(wěn)定的局面，早已入局的巨頭豎起重重高墻，后發(fā)者難以取得突破。
不過，在大廠基本退出的中小容量EEPROM、NOR Flash、SLC NAND Flash領(lǐng)域，國內(nèi)存儲廠商呈現(xiàn)出“做大做強”之勢。在EEPROM領(lǐng)域，賽迪顧問數(shù)據(jù)統(tǒng)計顯示，2019年，國內(nèi)存儲企業(yè)聚辰半導(dǎo)體拿下EEPROM全球市場的9.9%份額，占比排名第三，僅次于意法半導(dǎo)體（31%）和微芯科技（22.1%）。
聚辰半導(dǎo)體在2022年年報中表示，在工業(yè)級EEPROM領(lǐng)域，目前公司已在智能手機攝像頭、液晶面板、計算機及周邊等細分領(lǐng)域奠定了領(lǐng)先優(yōu)勢；在汽車級EEPROM領(lǐng)域，公司整體規(guī)模和市場份額目前與國際競爭對手尚存在一定差距。在NOR Flash領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新是全球排名第三的NOR Flash公司，全球市場份額超過20%，產(chǎn)品覆蓋消費、工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。此外，兆易創(chuàng)新表示，致力于成為具有全系列 NOR Flash 產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商，2023年，公司NOR Flash產(chǎn)品將繼續(xù)推進新工藝制程迭代，助力大容量產(chǎn)品競爭力進一步提升。在SLC NAND Flash領(lǐng)域，IT研究與顧問咨詢公司Gartner數(shù)據(jù)表示，2021年SLC NAND 全球市場規(guī)模為21.37億美元。目前，鎧俠、華邦電子、旺宏電子等企業(yè)在該領(lǐng)域占據(jù)較高的市場份額。國內(nèi)在該領(lǐng)域發(fā)力的存儲企業(yè)包括東芯半導(dǎo)體、兆易創(chuàng)新、復(fù)旦微電等。
2023年存儲芯片市場行情概述
2022年，存儲芯片市場轉(zhuǎn)向周期下行。據(jù)閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2021年，全球存儲芯片市場銷售規(guī)模為1629億美元，同比增長31%；2022年，全球存儲器市場規(guī)模下降15%，結(jié)束了連續(xù)兩年的上漲，其中NAND Flash市場規(guī)模大概是600億美元，DRAM市場規(guī)模約為790億美元。從全球市場總生產(chǎn)量來看，2022年全球NAND總生產(chǎn)量達到6100億GB當(dāng)量，DRAM則約為1900億GB當(dāng)量，漲幅分別是6%和2%，創(chuàng)歷史新低。
2023年則延續(xù)2022年的市場跌勢。2023年第一季度，NAND市場極其疲弱的狀況仍然持續(xù)，需求疲軟以及供應(yīng)商和OEM存貨居高不下，導(dǎo)致bit出貨量和平均售價下滑。因多家供應(yīng)商的平均售價大幅下降以及存貨減記，所有NAND供應(yīng)商在2023年第一季度都出現(xiàn)運營虧損[4]。
為了減緩跌價趨勢，2023年存儲原廠繼續(xù)加大減產(chǎn)力度。其中，美光6月底進一步擴大DRAM和NAND減產(chǎn)幅度至近三成；SK海力士7月底再將NAND Flash減產(chǎn)幅度下修5~10%；三星電子也于去年四月宣布加入減產(chǎn)行列，表示“正在大幅降低存儲芯片的產(chǎn)量”。
轉(zhuǎn)入2023年四季度，存儲市場陸續(xù)有部分產(chǎn)品報價拉漲的消息傳來，閃存市場報價也連續(xù)數(shù)周顯示部分產(chǎn)品尤其NAND行情升溫，漲價行情甚至從NAND蔓延至DRAM。不過，閃存市場分析表示，此輪漲價行情乃基于供應(yīng)端減產(chǎn)漲價所致，終端的實際需求仍不夠清晰，在終端需求明顯回暖前，市況會受備貨動作的影響呈忽冷忽熱的波動。不過存儲已經(jīng)進入復(fù)蘇周期，預(yù)計會在持續(xù)博弈中走出行情低谷。
從長期來看，隨著第四季度庫存持續(xù)出清，供需關(guān)系得到改善，存儲芯片市場有望逐步復(fù)蘇。此外，新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計算、大數(shù)據(jù)和安防電子等新興領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展將持續(xù)引領(lǐng)市場增長。目前，應(yīng)用方面，智能手機、個人電腦、服務(wù)器市場雖然在下滑，但依舊是三大主力應(yīng)用。其中，數(shù)據(jù)中心已成為存儲器的必爭之地，2020年~2025年全球數(shù)據(jù)量保持20%的年復(fù)合增長率，其中企業(yè)級eSSD為9%，而數(shù)據(jù)中心利用率將從2020年的20%提升至55%。
同時，在汽車智能化升級、算力演進提升下，不斷增長的數(shù)據(jù)量要求汽車存儲芯片具有更快的數(shù)據(jù)處理速度、更大的數(shù)據(jù)存儲量，這將推動汽車成為存儲未來增長最快的市場之一，預(yù)計汽車存儲市場規(guī)模到2030年將超過200億美元。
這些應(yīng)用領(lǐng)域及終端產(chǎn)品的快速發(fā)展將進一步帶動存儲芯片需求的不斷增加，廣闊的新興市場為行業(yè)帶來新的發(fā)展契機。Yole表示，半導(dǎo)體存儲市場有望卷土重來，預(yù)計到2025 年將實現(xiàn)2000億美元收入[4]。
此外，值得一提的是，去年以來，生成式人工智能的浪潮席卷全球，帶動AI芯片需求大漲同時，面向AI服務(wù)器的存儲器需求以及AI存儲芯片需求也跟著水漲船高。其中，SK海力士得益于2023年第四季度DDR5 DRAM和HBM3的銷售額分別比上年同期增長了4倍和5倍以上，結(jié)束了持續(xù)一年的營業(yè)虧損，實現(xiàn)當(dāng)季營業(yè)利潤扭虧為盈。對于存儲產(chǎn)業(yè)來說，這也是復(fù)蘇的有力信號。
展望2024年市場行情，TrendForce集邦咨詢認為在市場需求展望仍保守的前提下，DRAM和NAND Flash產(chǎn)品的價格走勢均取決于供應(yīng)商產(chǎn)能利用率情況。其中，對于第一季價格趨勢，TrendForce集邦咨詢預(yù)測，DRAM合約價季漲幅約13~18%；NAND Flash則是18-23%。
國內(nèi)存儲芯片代表企業(yè)及產(chǎn)品選型攻略?
深圳康盈半導(dǎo)體科技有限公司
深圳康盈半導(dǎo)體科技有限公司系康佳集團旗下子公司，是集團半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。公司專注于嵌入式存儲芯片、模組、移動存儲等產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計和銷售。主要產(chǎn)品涵蓋eMMC、eMMC工業(yè)級、Small PKG. eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI NAND、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、Memory Card、內(nèi)存條等。廣泛應(yīng)用于智能終端、智能穿戴、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)通信、工控設(shè)備、車載電子、智慧醫(yī)療等領(lǐng)域。
KOWIN Small PKG. eMMC嵌入式存儲芯片
KOWIN Small PKG.eMMC嵌入式存儲芯片，體積更小，功耗更低。符合JEDEC eMMC5.1規(guī)范，并支持HS400高速模式。采用153Ball封裝，打造9mmx7.5mmx0.8mm的超小尺寸，另外還有8mm x8.5mm x 0.8mm 和7mmx12.5mmx0.74mm尺寸可供選擇，較normal eMMC體積更小，減少PCB板占用空間，適用于小/微型化智能終端設(shè)備。
最高容量32GB，且性能優(yōu)異，數(shù)據(jù)讀取速度高達280MB/s，寫入速度高達150MB/s，滿足終端小體積、大容量、高性能應(yīng)用需求。采用高性能閃存，保障系統(tǒng)操作的流暢性穩(wěn)定性。智能省電模式，有效提升終端設(shè)備續(xù)航能力，助力智能手環(huán)、智能手表、智能耳機等終端應(yīng)用微型化、低功耗設(shè)計。
KOWIN ePOP嵌入式存儲芯片
KOWIN ePOP嵌入式存儲芯片，集成eMMC和LPDDR，采用在主芯片上（package on package）貼片的封裝方式，節(jié)省PCB占用空間，進一步精簡產(chǎn)品尺寸。目前容量組合有8GB+8Gb、16GB+8Gb、32GB+8Gb、32GB+16Gb，最小厚度僅有0.8mm，并搭配低功耗模式，有效提升終端設(shè)備的續(xù)航能力。其中，NAND Flash采用高性能閃存芯片，順序讀取速度最高可達290MB/s，順序?qū)懭胨俣茸罡呖蛇_200MB/s，DRAM速率最高可達4266Mbps。將性能、耐用性、穩(wěn)定性的平衡得恰到好處，實現(xiàn)1+1大于2的效果。
ePOP滿足設(shè)備對于儲存及緩存數(shù)據(jù)需求，面對集成度較高的設(shè)備，均能輕松面對，更適用于智能穿戴、教育電子等對小型化、低功耗有更高要求的終端應(yīng)用。
KOWIN nMCP嵌入式存儲芯片
智慧物聯(lián)核芯小精靈—KOWIN nMCP嵌入式存儲芯片，采用先進的生產(chǎn)設(shè)備和領(lǐng)先的晶圓封測技術(shù)，包括晶圓研磨，疊層和引線鍵合技術(shù)等，極大程度地降低了存儲芯片的厚度，最小厚度僅為0.8mm。該系列芯片集成了 SLC NAND 和 LPDDR4X，可減少系統(tǒng) PCB 設(shè)計開發(fā)時間。容量組合包括 4Gb+2Gb、4Gb+4Gb和8Gb+4Gb , 滿足多種容量組合需求。該系列芯片中NAND電壓1.8V，DRAM電壓為1.8V/1.1V/0.6V，符合低功耗產(chǎn)品標準，可兼容各大主流平臺。LPDDR4X傳輸速率高達3,733Mbps，性能優(yōu)異，提高系統(tǒng)運行的流暢性。產(chǎn)品均通過嚴格的可靠性測試，有效保障數(shù)據(jù)信息安全和持久性，可滿足產(chǎn)品的100,000次壽命擦除和10年數(shù)據(jù)保持能力要求。同時nMCP系列芯片具有體積小、功耗低、速度快、低延時、壽命長等諸多優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)模塊、通信模塊等領(lǐng)域。
深圳市江波龍電子股份有限公司
深圳市江波龍電子股份有限公司（以下簡稱“江波龍”）成立于1999年，主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體存儲應(yīng)用產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計與銷售。江波龍主要聚焦于存儲產(chǎn)品和應(yīng)用，形成固件算法開發(fā)、存儲芯片測試、封測設(shè)計與制造、存儲芯片設(shè)計等核心競爭力，為市場提供消費級、車規(guī)級、工規(guī)級存儲器以及行業(yè)存儲軟硬件應(yīng)用解決方案。
江波龍已形成嵌入式存儲、固態(tài)硬盤（SSD）、移動存儲及內(nèi)存條四大產(chǎn)品線，擁有行業(yè)類存儲品牌FORESEE和國際高端消費類存儲品牌Lexar（雷克沙）。存儲器產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能手機、智能電視、平板電腦、計算機、通信設(shè)備、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子等行業(yè)以及個人移動存儲等領(lǐng)域。
FORESEE XP2200 BGA SSD
XP2200 BGA SSD采用PCle Gen4×2接口規(guī)范與NVMe Express Revision 1.4協(xié)議，順序讀寫性能最高可達3500MB/s、3400MB/s，隨機讀寫性能最高可達678K IOPS、566K IOPS，目前容量提供128GB、256GB、512GB、1TB選擇，可支持-25～85℃、0～70℃兩種工作溫度方案，以及LDPC、智能溫控等功能，主要應(yīng)用于2 in 1電腦、超薄筆記本、VR虛擬現(xiàn)實、智能汽車、游戲娛樂領(lǐng)域。
FORESEE車規(guī)級UFS
FORESEE推出的中國大陸首款車規(guī)級UFS，涵蓋64GB/128GB兩個主流容量，工作溫度為-40℃～105℃（Grade2），并通過AEC-Q100可靠性標準。FORESEE 車規(guī)級UFS采用原廠車規(guī)級資源和高品質(zhì)器件，配合江波龍自研固件算法，以及嚴苛的可靠性標準驗證測試，能夠有效確保產(chǎn)品在-40℃~105℃的高低溫下長期、穩(wěn)定、可靠運行的同時，保障數(shù)據(jù)安全。
深圳佰維存儲科技股份有限公司
深圳佰維存儲科技股份有限公司（以下簡稱“佰維存儲”）成立于2010年，專注于存儲芯片研發(fā)與封測制造，是國家高新技術(shù)企業(yè)，國家級專精特新小巨人企業(yè)。
佰維存儲圍繞半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)鏈，構(gòu)筑了研發(fā)封測一體化的經(jīng)營模式，在存儲介質(zhì)特性研究、固件算法開發(fā)、存儲芯片封測、測試研發(fā)、全球品牌運營等方面具有核心競爭力，并積極布局芯片IC設(shè)計、先進封測、芯片測試設(shè)備研發(fā)等技術(shù)領(lǐng)域。
佰維GP303固態(tài)硬盤
GP303選用工業(yè)級主控IC和工業(yè)級NAND，采用優(yōu)化升級的硬件設(shè)計方案、先進的閃存管理固件算法，歷經(jīng)3000余項測試用例，并結(jié)合佰維存儲先進制造能力，產(chǎn)品兼具高可靠、長壽命、性能穩(wěn)定等特點，尤其適用于高低溫、異常斷電、潮濕、震動和沖擊等惡劣環(huán)境下的系統(tǒng)運行、數(shù)據(jù)保存等應(yīng)用場景。
佰維LPDDR4X工業(yè)級寬溫存儲芯片
佰維LPDDR4X工業(yè)級寬溫存儲芯片采用高品質(zhì)DRAM顆粒，采用超薄先進封裝，在提供超快速度的同時，能夠加快多任務(wù)處理速度并優(yōu)化用戶體驗，結(jié)合業(yè)內(nèi)先進的測試機臺保證了每顆產(chǎn)品都經(jīng)歷嚴苛的測試；結(jié)合佰維存儲先進制造測試能力，產(chǎn)品兼具高可靠、高性能、高耐用、長壽命等特點，容量覆蓋從2GB~8GB，主要面向工業(yè)類細分市場，寬溫工作能力達-40~85℃。
深圳市宏旺微電子有限公司
深圳市宏旺微電子有限公司成立于2004年，是一家專注于存儲芯片（國家戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)）設(shè)計、研發(fā)、封裝、測試、銷售服務(wù)的國家高新技術(shù)企業(yè)。擁有多項自主知識產(chǎn)權(quán)，致力為全球客戶提供FLASH和DRAM相關(guān)存儲產(chǎn)品，如嵌入式存儲(eMMC、eMCP、LPDDR、SPI NAND）等，總部位于深圳南山華僑城，在中國香港、韓國、美國、新加坡等地設(shè)有辦事機構(gòu)。
全資子公司諾思特半導(dǎo)體位于汕尾陸豐市，依托宏旺技術(shù)積累和研發(fā)能力，提供存儲芯片封裝、測試、產(chǎn)品制造一站式服務(wù)。
IMD512M16R4FCD8TB
該產(chǎn)品體積小、輕薄，最大可存儲512×16的數(shù)據(jù)。低能耗、高效能，無論使用智能終端游戲、辦公、還是基于數(shù)據(jù)存儲的海量數(shù)據(jù)，都能減少發(fā)熱引起的降頻現(xiàn)象。具備3200Mbps的工作頻率，能夠以出色的速度傳輸數(shù)據(jù)，更高的數(shù)據(jù)帶寬，更快、更輕松處理大量工作負載。具有內(nèi)糾錯碼（ECC）功能，提高了數(shù)據(jù)可靠性并減少了系統(tǒng)糾錯負擔(dān)，存儲更靠譜。
上海復(fù)旦微電子集團股份有限公司
上海復(fù)旦微電子集團股份有限公司（以下簡稱“復(fù)旦微電”）是國內(nèi)從事超大規(guī)模集成電路的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)（測試）和提供系統(tǒng)解決方案的專業(yè)公司。公司于1998年7月創(chuàng)辦，并于2000年在中國香港上市，2014年轉(zhuǎn)香港主板，是國內(nèi)成立最早、首家上市的股份制集成電路設(shè)計企業(yè)。2021年登陸上交所科創(chuàng)板，形成“A+H”資本格局。
復(fù)旦微電現(xiàn)已建立健全安全與識別芯片、非揮發(fā)存儲器、智能電表芯片、FPGA芯片和集成電路測試服務(wù)等產(chǎn)品線。產(chǎn)品行銷30多個國家和地區(qū)，廣泛應(yīng)用于金融、社保、汽車電子、城市公共交通、電子證照、移動支付、防偽溯源、智能手機、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、信號處理、智能計算等眾多領(lǐng)域。
FM25S01BI3
產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝，通過優(yōu)化編擦、擦除、回讀算法， 滿足6-8萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。
FM25S01BI3產(chǎn)品特點存儲器容量：1Gbit，工作電壓范圍：2.7V/3.6V，工作溫度范圍：-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃，SPI高速單/雙/四口：104MHz(3.3V)，支持內(nèi)置8 bit ECC，滿足客戶Error-Free。擦寫次數(shù)：6-8萬次，Data Retention：10年。封裝支持TDFN5X6/TDFN6X8等多種封裝形式。
東芯半導(dǎo)體股份有限公司
東芯半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“東芯半導(dǎo)體”）成立于2014年，總部位于上海，在深圳、南京、中國香港、韓國均設(shè)有分公司或子公司。
作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。
SLC NAND Flash
東芯半導(dǎo)體聚焦平面型 SLC NAND Flash的設(shè)計與研發(fā)，主要產(chǎn)品采用浮柵型工藝結(jié)構(gòu)，存儲容量覆蓋 512Mb 至 32Gb，可靈活選擇 SPI 或 PPI 類型接口，搭配 3.3V/1.8V兩種電壓，可滿足客戶在不同應(yīng)用領(lǐng)域及應(yīng)用場景的需求。NAND Flash 產(chǎn)品核心技術(shù)優(yōu)勢明顯，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單顆集成技術(shù)，將存儲陣列、ECC 模塊與接口模塊統(tǒng)一集成在同一芯片內(nèi)。同時產(chǎn)品在耐久性、數(shù)據(jù)保持特性等方面表現(xiàn)穩(wěn)定，不僅在工業(yè)溫控標準下單顆芯片擦寫次數(shù)已經(jīng)超過 10 萬次，同時可在-40℃-105℃的極端環(huán)境下保持數(shù)據(jù)有效性長達 10 年，已有產(chǎn)品通過AEC-Q100測試，可靠性逐步從工業(yè)級標準向車規(guī)級標準邁進。
聚辰半導(dǎo)體股份有限公司
聚辰半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“聚辰半導(dǎo)體”）于2009年成立于上海張江，2019年登陸上交所科創(chuàng)板，是一家全球化的芯片設(shè)計高新技術(shù)企業(yè)，在美國硅谷、中國香港、中國臺灣、深圳、南京、蘇州等地區(qū)設(shè)有子公司、辦事處或銷售機構(gòu)，客戶遍布全球。
聚辰半導(dǎo)體曾獲評2020年十大中國IC設(shè)計公司、2021年度上海市經(jīng)信委“專精特新”企業(yè)、2022年度國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，并被國家發(fā)改委、工信部列入國家鼓勵的重點集成電路設(shè)計企業(yè)清單。
GT25Q40D
GT25Q40D是聚辰半導(dǎo)體基于獨具特色的NORD工藝平臺開發(fā)的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的NOR Flash芯片，具備高可靠性和快速擦除性能，廣泛應(yīng)用于PC CAM、USB-TypeC、高端WIFI BLE 模組及新能源汽車BMS等領(lǐng)域，在功耗、數(shù)據(jù)傳輸速度、LU、ESD等關(guān)鍵性能指標方面達到國際前沿水平。
GT25D20E
GT25D20E是聚辰半導(dǎo)體基于獨具特色的NORD工藝平臺開發(fā)的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的NOR Flash芯片，支持DUAL SPI接口，廣泛應(yīng)用于車載攝像頭、BLE藍牙物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域，在功耗、數(shù)據(jù)傳輸速度、LU、ESD等關(guān)鍵性能指標方面達到國際前沿水平。
普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司
普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下簡稱“普冉半導(dǎo)體”）是業(yè)內(nèi)排名前列的存儲器芯片及其衍生芯片供應(yīng)商。自2016年成立以來，普冉半導(dǎo)體一直專注于非易失性存儲器芯片的研發(fā)創(chuàng)新，形成了以NOR Flash和EEPROM為核心的存儲器芯片產(chǎn)品矩陣，并基于存儲器技術(shù)優(yōu)勢，推出“存儲+”規(guī)劃和長期戰(zhàn)略，積極拓展通用微控制器和存儲結(jié)合模擬的全新產(chǎn)品線。
Flash存儲器芯片P25Q32SN
P25Q32SN是業(yè)界首家1.1V 6.5uW/Mbit新一代領(lǐng)先工藝、超低電壓超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存儲器芯片。P25Q32SN支持1.1V電源系統(tǒng)，具備寬電壓范圍1.05V~2.00V，可涵蓋1.1V、1.2V和1.8V AIOT系統(tǒng)；超低功耗，1.1V 80M STR 4IO 讀取功耗約2.86mW，80M DTR 4IO讀取功率約4.2mW；基于極低功耗，為音頻、圖像等多模態(tài)SoC智能主控芯片提供必要性存儲輔助，助力元宇宙的國產(chǎn)生態(tài)鏈完善。
恒爍半導(dǎo)體(合肥)股份有限公司
恒爍半導(dǎo)體(合肥)股份有限公司是專注先進半導(dǎo)體閃存芯片 (NOR Flash) 和微處理器 (MCU)工藝研發(fā)、芯片設(shè)計和產(chǎn)品銷售的高新技術(shù)企業(yè)，于2022年8月在上交所科創(chuàng)板上市。公司在合肥、蘇州和上海設(shè)有研發(fā)中心，在深圳等城市設(shè)有銷售及技術(shù)支持服務(wù)中心。銷售渠道遍布中國（含中國香港、中國臺灣）、韓國、日本、以色列、中東等國家和地區(qū)。
5Xnm NOR FLASH
恒爍5Xnm NOR Flash實現(xiàn)對1.65V-2V低電壓、2.3V-3.6V高電壓、1.65V-3.6V寬電壓全覆蓋，具有更好的高溫性能（支持105℃），超快的讀取頻率（最高單線CLK 133Mhz，4線532Mhz），支持OTP及擦除過程掛起功能，能更好的滿足客戶需要，已在手機、智能穿戴、電視機、智能電表、安防產(chǎn)品等下游終端獲得廣泛應(yīng)用，截至目前，已累計出貨數(shù)十億顆。
合肥大唐存儲科技有限公司
合肥大唐存儲科技有限公司（簡稱“大唐存儲”），長期致力于存儲控制器芯片及安全固件的研發(fā)，并提供技術(shù)先進的安全存儲解決方案，同時，大唐存儲擁有自主IC設(shè)計能力和底層固件研發(fā)能力，可根據(jù)用戶不同的行業(yè)需求進行差異化定制服務(wù)。
產(chǎn)品上，大唐存儲核心主控在存儲行業(yè)國際首家通過EAL5+，首家通過國密芯片二級，首家通過金融存儲芯片增強級檢測。產(chǎn)品分為企業(yè)級、商業(yè)級和安全加密級固態(tài)硬盤，可應(yīng)用于政務(wù)、金融、電信、能源、交通、醫(yī)療等行業(yè)領(lǐng)域。
DSS510芯片
DSS510芯片，采用28nm工藝制程，4核12通道、支持SATA和PCIe3.0接口，支持國密算法SM2/SM3/SM4；結(jié)合大唐存儲自研超聚合安全存儲技術(shù)，將金融級安全防護技術(shù)應(yīng)用于固態(tài)存儲控制器，實現(xiàn)多芯片合一，在加解密過程中不影響主控性能，使相關(guān)產(chǎn)品綜合性能大幅提升。在存儲行業(yè)國際首家通過EAL5+，獲國密二級、金融增強級芯片檢測，產(chǎn)品獲得自主原創(chuàng)設(shè)計證書，性能可達到國際大廠水平。
北京憶芯科技有限公司
北京憶芯科技有限公司為國內(nèi)較早從事高性能固態(tài)硬盤主控芯片研發(fā)的企業(yè)，致力于成為賦能大數(shù)據(jù)應(yīng)用的芯片全球領(lǐng)導(dǎo)者。經(jīng)過 8 年的發(fā)展，已成長為國內(nèi)領(lǐng)先的高端 PCle SSD主控芯片和成品盤供應(yīng)商，業(yè)務(wù)方向覆蓋消費級、工業(yè)級和企業(yè)級，為各行業(yè)的信息化發(fā)展提供高質(zhì)量芯片級底層保障。目前已成功完成4款SSD 主控芯片的流片，并通過百萬量級的市場出貨驗證，得到了眾多大廠客戶的充分認可。
STAR2000E
STAR2000E是憶芯科技自研的PCle4.0高性能企業(yè)級固態(tài)硬盤，搭載憶芯STAR2000新一代PCle4.0高端企業(yè)級SSD主控芯片。支持Gen4.0*4或雙端 Gen4.0*2接口，支持NVMe2.0協(xié)議，支持ZNS/NVMe Set/KV等先進企業(yè)級功能。提供強大穩(wěn)態(tài)順序讀寫和隨機讀寫性能，具有業(yè)界領(lǐng)先的憶芯第4代LDPC糾錯算法，支持3DWPD和1DWPD的耐久性，保證數(shù)據(jù)可靠性。主要面向數(shù)據(jù)中心、存儲服務(wù)器、云計算等市場，為企業(yè)級高性能應(yīng)用和功耗控制需求提供超高能效比。
芯盛智能科技有限公司
芯盛智能科技有限公司是領(lǐng)先的固態(tài)存儲控制器芯片及解決方案提供商。公司以自主知識產(chǎn)權(quán)為根基，推出全球首款基于RISC-V架構(gòu)的PCle4.0控制器、根據(jù)商密一級安全標準設(shè)計的PCle3.0控制器、企業(yè)級SATA3.0控制器及數(shù)十款固態(tài)存儲解決方案，產(chǎn)品覆蓋數(shù)據(jù)中心、邊緣計算、工業(yè)控制、消費類終端和汽車存儲等領(lǐng)域。憑借雄厚的技術(shù)研發(fā)實力與豐富的行業(yè)經(jīng)驗積累，芯盛智能承擔(dān)了多項省、市、區(qū)科研項目，形成多項擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵核心技術(shù)，被評為高新技術(shù)企業(yè)、專精特新企業(yè)和年度質(zhì)量信用A級企業(yè)。
XT8210
XT8210采用RISC-V開源架構(gòu)體系，前端具備PCle4.0×4高速接口，后端采用8通道閃存接口，支持NVMe1.4傳輸協(xié)議，順序讀寫可達7000/6000MBps，4K隨機讀寫可達1000K/900K IOPS，全面適配3D TLC和3D QLC顆粒，最大可支持16TB容量；XT8210是國內(nèi)第一款加碼安全的PCle4.0控制器芯片，通過商密二級認證，支持4K LDPC、RAID+、E2E、RAM ECC等，性能業(yè)界領(lǐng)先，因其出色的性能，已被應(yīng)用到數(shù)據(jù)中心、高性能桌面機等場景中，得到用戶的一致好評。
參考資料：
[1]國產(chǎn)存儲等待一場革命，果殼硬科技
[2]江波龍首次公開發(fā)行股票并在創(chuàng)業(yè)板上市招股說明書
[3]佰維存儲首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市招股說明書
[4]半導(dǎo)體市場動態(tài)速遞，Yole
注:因篇幅限制，本報告“代表企業(yè)及產(chǎn)品選型參考”中僅展示由所列舉企業(yè)提供的官方資料。如有更多該領(lǐng)域未提及的企業(yè)和芯片產(chǎn)品供市場選型，請將貴司簡介及聯(lián)系方式發(fā)送至郵箱:news@gsi24.com。收到企業(yè)資料后，我們將在后續(xù)更新的系列報告中展示該領(lǐng)域更多“代表企業(yè)及產(chǎn)品選型參考”。
