據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì),6月共有近50個(gè)半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目傳來簽約、開工、封頂、竣工/投產(chǎn)等新動(dòng)態(tài)。
根據(jù)圖表,項(xiàng)目主要涵蓋第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵,先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備、MEMS傳感器、IGBT等細(xì)分領(lǐng)域,其中不乏有很多明星企業(yè)的身影,如日月光、英飛凌、天岳先進(jìn)、容大感光、滬硅產(chǎn)業(yè)、晶盛機(jī)電、士蘭微、長飛先進(jìn)、芯聯(lián)集成等。
從已披露的項(xiàng)目投資金額上看,百億元項(xiàng)目共計(jì)6個(gè),分別是70億歐元(約544.24億元人民幣)的英飛凌馬來西亞居林的8英寸碳化硅(SiC)晶圓廠、預(yù)計(jì)超過200億元的長飛先進(jìn)武漢基地、20億歐元(約155.97億元人民幣)的世創(chuàng)電子新加坡12英寸硅晶圓廠、132億元的滬硅產(chǎn)業(yè)集成電路用300mm硅片產(chǎn)能升級(jí)項(xiàng)目、120億元的士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線、約100億元的奕斯偉半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目。
圖表來源:全球半導(dǎo)體觀察制表
大廠競爭激烈,碳化硅蒸蒸日上
碳化硅是第三代半導(dǎo)體功率器件代表之一,適用于新能源汽車、工業(yè)、光儲(chǔ)充、軌道交通等領(lǐng)域。從特性上看,與硅基器件相比,SiC功率器件高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等性能,能更好地滿足高壓快充需求,有利于新能源汽車延長續(xù)航里程、縮短充電時(shí)長、提高電池容量、實(shí)現(xiàn)車身輕量化,也因此成為新能源汽車的首選解決方案。據(jù)悉,目前,特斯拉、比亞迪、理想、蔚來、小米等全球多家車企的熱門車型均已搭載使用SiC器件。
此外,近期據(jù)業(yè)界消息,碳化硅將拓展一個(gè)新應(yīng)用領(lǐng)域,提高熱電池轉(zhuǎn)換效率。美國密西根大學(xué)開發(fā)的熱光伏電池,使用碳化硅(SiC)做為蓄熱材料,材料被銦、鎵和砷制成的半導(dǎo)體材料包圍。當(dāng)團(tuán)隊(duì)將材料加熱到1,435°C 時(shí),開始輻射各種能隙的熱光子,其中半導(dǎo)體材料能捕獲20%到30%能量。研究作者Stephen Forrest 表示:“我們還沒有達(dá)到這項(xiàng)技術(shù)的效率極限,相信在不久的將來,設(shè)備效率將超過44%,達(dá)到50%?!?/p>
整體來看,碳化硅市場正處于飛速增長期,據(jù)TrendForce集邦咨詢研究表示,盡管純電動(dòng)汽車(BEV)銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應(yīng)鏈,但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向,SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢,未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢,預(yù)估至2028年,全球SiC功率器件市場規(guī)模有望上升至91.7億美元。
從上述項(xiàng)目范圍來看,涉及碳化硅項(xiàng)目的居多,相比其他項(xiàng)目,資金投入最多的英飛凌和長飛先進(jìn),以及士蘭微、奕斯偉半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)等備受市場關(guān)注。
從產(chǎn)能建設(shè)上看,英飛凌計(jì)劃于今年8月正式啟用居林Module 3廠區(qū),并于2024年底開始生產(chǎn)SiC;長飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目投產(chǎn)后,可年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個(gè)功率器件模塊,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域;天岳先進(jìn)上海碳化硅基地全部達(dá)產(chǎn)后,SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬片/年;士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線分兩期建設(shè),兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。
半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia(安世半導(dǎo)體)剛于6月27日宣布,計(jì)劃投資2億美元(約合人民幣14.5億元)開發(fā)碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等下一代寬帶隙半導(dǎo)體(WBG),并在德國漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。據(jù)悉,從2024年6月開始,安世半導(dǎo)體三種工藝(SiC、GaN和Si)器件都將在德國開發(fā)和生產(chǎn),首批高壓GaN d-mode晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線已于本月投產(chǎn)。
而Wolfspeed的Building 10 Materials工廠已實(shí)現(xiàn)其8英寸晶圓的生產(chǎn)目標(biāo),預(yù)計(jì)到2024年底,其莫霍克谷SiC晶圓廠可借此將晶圓開工利用率提升至約25%。
下游強(qiáng)烈需求驅(qū)動(dòng)廠商們急需預(yù)先穩(wěn)定供應(yīng)鏈,上述大廠們爭先恐后的擴(kuò)產(chǎn)行為正體現(xiàn)出碳化硅產(chǎn)業(yè)目前正處于風(fēng)口浪尖上。而業(yè)界認(rèn)為,過去幾年中,襯底材料的供應(yīng)緊缺問題是限制SiC市場發(fā)展的主要因素,除了表中的天岳先進(jìn)、南沙晶圓旗下中晶芯源之外,天科合達(dá)、山西爍科晶體、三安光電、乾晶半導(dǎo)體等正加速布局,確保材料的供應(yīng)。
不過,TrendForce集邦咨詢認(rèn)為,瘋狂的產(chǎn)能擴(kuò)張背后亦蘊(yùn)藏著價(jià)格和產(chǎn)能過剩風(fēng)險(xiǎn),生產(chǎn)商們必須加以重視并積極調(diào)整應(yīng)對(duì)。在此情況下,Infineon等IDM大廠在確保穩(wěn)定的材料供應(yīng)后,已將更多注意力轉(zhuǎn)移到元件、封裝和應(yīng)用技術(shù)上,這是未來關(guān)鍵競爭力之所在。但總的來說,SiC正處于一個(gè)快速成長和高度競爭的市場,規(guī)模經(jīng)濟(jì)比任何其他因素更為重要。領(lǐng)先的IDM廠商紛紛一改過去保守、沉穩(wěn)的戰(zhàn)略姿態(tài),轉(zhuǎn)而激進(jìn)投資SiC擴(kuò)張計(jì)劃,期望建立領(lǐng)導(dǎo)地位??梢灶A(yù)見,未來隨著市場規(guī)模不斷擴(kuò)大,SiC領(lǐng)域的競爭將愈發(fā)激烈。
先進(jìn)封裝升溫,CoWoS送上熱榜
從表中看到,封裝項(xiàng)目包括日月光半導(dǎo)體K28工廠建設(shè)項(xiàng)目、中科智芯晶圓級(jí)先進(jìn)封裝項(xiàng)目、全芯微DFN QFN封裝項(xiàng)目、旺榮IGBT封裝和模組生產(chǎn)基地項(xiàng)目、立芯科技年產(chǎn)30億件射頻芯片封裝項(xiàng)目、紫光集電高可靠性芯片封裝測試項(xiàng)目、道銘微電子集成電路及功率器件系統(tǒng)集成封裝新建一期廠項(xiàng)目、興航科技高可靠高密度封裝項(xiàng)目等。
其中,日月光半導(dǎo)體K28工廠建設(shè)項(xiàng)目備受關(guān)注。該公司預(yù)計(jì)K28廠將于2026年第四季度完工,重點(diǎn)布局先進(jìn)封裝終端測試以及人工智能(AI)芯片高性能計(jì)算。興建完成后,由日月光半導(dǎo)體或子公司取得宏璟建設(shè)所屬產(chǎn)權(quán)的優(yōu)先承購權(quán)。
頎中科技合肥研發(fā)中心啟用,該中心引進(jìn)國內(nèi)首批全自動(dòng)金電鍍機(jī)機(jī)臺(tái)、國產(chǎn)頂尖SEM分析設(shè)備等,具備從材料到設(shè)備全鏈條國產(chǎn)化的基礎(chǔ)條件。該公司專注于集成電路高端先進(jìn)封裝測試服務(wù),2024年1月,頎中先進(jìn)封裝測試生產(chǎn)基地項(xiàng)目正式投產(chǎn),當(dāng)前預(yù)計(jì)產(chǎn)能為凸塊及晶圓測試每月1萬片,薄膜覆晶封裝每月約3000萬顆。
中科智芯晶圓級(jí)先進(jìn)封裝項(xiàng)目投資額17.5億元,計(jì)劃用地40畝。項(xiàng)目位于杭紹臨空示范區(qū),主要建設(shè)晶圓級(jí)先進(jìn)封裝,包括超薄芯片制備、凸點(diǎn)、芯片規(guī)模封裝、扇出型封裝、系統(tǒng)集成封裝、三維堆疊封裝等。
另外從先進(jìn)封裝上看,目前,先進(jìn)封裝主要朝兩個(gè)方向發(fā)展,第一是向上游晶圓制程領(lǐng)域發(fā)展(晶圓級(jí)封裝),直接在晶圓上實(shí)施封裝工藝,主要技術(shù)有Bumping、TSV、Fan-out、Fan-in 等;第二是向下游模組領(lǐng)域發(fā)展(系統(tǒng)級(jí)封裝),將處理器、存儲(chǔ)等芯片以及電容、電阻等集成為一顆芯片,壓縮模塊體積,提升芯片系統(tǒng)整體功能性和靈活性,主要技術(shù)包括采用了倒裝技術(shù)(FC)的系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品。
先進(jìn)封裝產(chǎn)能緊缺驅(qū)使著多家大廠快馬加鞭布局,除了上述提到企業(yè),此前美光、三星、臺(tái)積電等紛紛對(duì)外宣布先進(jìn)封裝擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。隨著AI需求的提升,業(yè)界表示,AI加速器不采最前瞻先進(jìn)制程,但卻需依靠先進(jìn)封裝技術(shù),國際半導(dǎo)體廠誰能從臺(tái)積掌握更多先進(jìn)封裝產(chǎn)能,就決定市場滲透率與掌握度。
據(jù)業(yè)界信息顯示,主流的一些先進(jìn)封裝技術(shù)包括晶圓級(jí)封裝(WLP,Wafer level packaging)、晶圓級(jí)扇入扇出型(Fan-out/Fan in)封裝、2.5D以及3D IC集成,以及高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM)以及CoWos先進(jìn)封裝、3D 疊動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) (3DS)、嵌入式硅橋(embedded Si bridges)、TSV硅通孔(Through Silicon Via)、批量回流模制底部填充(MR-MUF:Mass Reflow-Molded Underfill)先進(jìn)封裝等。
目前,擁有CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)的臺(tái)積電具備絕對(duì)的競爭優(yōu)勢,目前CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能供不應(yīng)求。據(jù)悉,臺(tái)積電增添CoWoS相關(guān)設(shè)備預(yù)估第三季到位,并要求設(shè)備廠增派工程師全面進(jìn)駐龍?zhí)禔P3、竹南AP6、中科AP5 等廠,除竹南廠AP6C,中科廠原只進(jìn)行后段oS,也將陸續(xù)轉(zhuǎn)成CoW 制程,嘉義則在整地階段,進(jìn)度將超前銅鑼。
TrendForce集邦咨詢表示,屬Blackwell平臺(tái)的B100等,其裸晶尺寸(die size)是既有H100翻倍,估計(jì)臺(tái)積電(TSMC)2024年CoWos總產(chǎn)能年增來到150%,隨著2025年成為主流后,CoWos產(chǎn)能年增率將達(dá)7成,其中NVIDIA需求占比近半。
結(jié)語
此前業(yè)界認(rèn)為,2024年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入新的轉(zhuǎn)折階段。其實(shí)從今年開始,可以很明顯地看到產(chǎn)業(yè)的變化,大多廠商對(duì)市場前景都保持積極的態(tài)度,與此同時(shí),隨著第三代半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體材料、AI相關(guān)芯片等增長領(lǐng)域的帶動(dòng),企業(yè)布局舉動(dòng)漸漸頻繁,這都將有利于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,加速產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的步伐。