當前,在半導(dǎo)體存儲芯片領(lǐng)域,人工智能AI已經(jīng)成為各大廠商業(yè)績增長的重要推手之一。
當?shù)貢r間7月5日,韓國半導(dǎo)體廠商三星電子公布第二季度初步財報。數(shù)據(jù)顯示,三星電子上季營業(yè)獲利大幅增長,遠超市場預(yù)期。
依據(jù)K-IFRS的綜合收益估計,三星電子預(yù)計,其二季度合并營收為74萬億韓元,較去年同期增長23%,營業(yè)利潤將達10.4萬億韓元,較去年同期的6700億韓元激增近15倍,大幅超越市場預(yù)期的8.8萬億韓元。
盡管各部門的具體收益細節(jié),三星將在本月稍后公布,但業(yè)界認為,三星電子營業(yè)利潤大幅增長,主要是得益于全球半導(dǎo)體市場的回暖,尤其是受到數(shù)據(jù)中心和人工智能AI熱潮推動,促使存儲芯片需求加快復(fù)蘇,并帶動價格回升。
HBM推動,存儲廠商業(yè)績水漲船高
事實上,HBM市場競爭主要集中在SK海力士、三星和美光三大廠商中,而在AI浪潮推動下,上述廠商的業(yè)績也水漲船高。
三星方面,拋開尚未完全公布的第二季度初步財報,回溯一季度業(yè)績,三星電子在當季實現(xiàn)營收71.92萬億韓元,同比增長13%,營業(yè)利潤6.61萬億韓元,同比猛增931.87%。從部門營收來看,負責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案(DS)部門營收為23.14萬億韓元,同比增長68%,其中存儲業(yè)務(wù)營收17.49萬億韓元,漲幅高達96%。
三星電子在財報中表示,預(yù)計今年下半年芯片需求將保持強勁,這在很大程度上是因為各行各業(yè)對生成式人工智能的需求。
美光方面,其當?shù)貢r間6月26日公布的最新一季財報顯示,3-5月,其實現(xiàn)營收68.11億美元,環(huán)比增長17%,同比增長81.5%;凈利潤7.02億美元,環(huán)比增長47%,其中,DRAM營收約47億美元,環(huán)比增長13%。美光預(yù)計,2024財年將從HBM中獲得數(shù)億美元收入,到2025財年這一數(shù)字將達到數(shù)十億美元。
至于SK海力士,其在4月底公布截至3月31日的2024財年第一季度財報顯示,其當季營收創(chuàng)歷史同期新高,達12.4296萬億韓元,同比增長144%,環(huán)比增長10%,營業(yè)利潤2.886萬億韓元,同比扭虧為盈,環(huán)比大幅增長734%,凈利潤為1.917萬億韓元,同比和環(huán)比均實現(xiàn)扭虧為盈。
SK海力士表示,公司當季營業(yè)利潤環(huán)比增長734%,主要是憑借HBM等面向AI的存儲器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力,公司提升了面向AI服務(wù)器的產(chǎn)品銷量,同時持續(xù)實施以盈利為主的經(jīng)營活動。
搶奪HBM產(chǎn)能,廠商“各顯神通”
為應(yīng)對AI人工智能帶來的HBM存儲器需求不斷增長這一趨勢,SK海力士、三星、美光三大廠商無論在產(chǎn)品研發(fā)、出貨以及產(chǎn)能擴充等方面都開始摩拳擦掌,各顯神通。
其中,SK海力士已決定加大于今年3月開始生產(chǎn)的HBM3E產(chǎn)品供應(yīng),并拓展其產(chǎn)品的客戶群。同時,為進一步擴大產(chǎn)能,SK還計劃將韓國清州的M15X廠定為DRAM生產(chǎn)基地并加速建設(shè),并且順利推進龍仁半導(dǎo)體集群和美國印第安納州先進封裝工廠等中長期投資項目。
此外,SK海力士還計劃在2028年前投資103萬億韓元發(fā)展芯片業(yè)務(wù),其中到2026年將確保80萬億韓元的資金,將用于投資高帶寬內(nèi)存芯片(HBM),以及為股東回報提供資金,并對超過175家的子公司進行精簡。
三星方面,近期有消息稱,三星電子新設(shè)了一個HBM芯片開發(fā)團隊。據(jù)韓聯(lián)社近日報道,為奪回人工智能(AI)半導(dǎo)體市場的主導(dǎo)權(quán),三星電子新設(shè)立了一個專注于開發(fā)高帶寬存儲器(HBM)的團隊。
報道稱,新團隊由三星電子副總裁、高性能DRAM設(shè)計專家Sohn Young-soo負責(zé)領(lǐng)導(dǎo),將專注于下一代HBM4產(chǎn)品以及HBM3和HBM3E產(chǎn)品的研發(fā)。此外,為鞏固地位,三星電子還重組了先進封裝團隊和設(shè)備技術(shù)實驗室,以提高整體技術(shù)競爭力。
至于美光,其正在全球多個生產(chǎn)基地擴建(或計劃擴建)HBM產(chǎn)線,目標是在2025年將全球HBM市場份額擴大至20%-25%。
HBM比重提升,預(yù)估Q3 DRAM價格將續(xù)漲8~13%
從三星、SK海力士、以及美光三大廠商的新廠規(guī)劃來看,三星現(xiàn)有廠房2024年底產(chǎn)能大致滿載,新廠房P4L規(guī)劃于2025年完工,同時Line15廠區(qū)將進行制程轉(zhuǎn)換,由1Ynm轉(zhuǎn)換至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年產(chǎn)能預(yù)計擴大,M15X同樣亦規(guī)劃于2025年完工,并于明年底量產(chǎn)。美光臺灣地區(qū)廠區(qū)將于明年恢復(fù)至滿載,后續(xù)產(chǎn)能擴張將以美國廠為主,Boise廠區(qū)預(yù)期于2025年完工并陸續(xù)移機,并計劃于2026年量產(chǎn)。
全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢在5月21日發(fā)布的研報中表示,盡管三大原廠的新廠將于2025年完工,但部分廠房后續(xù)的量產(chǎn)時程尚未有明確規(guī)劃,需依賴2024年的獲利,才得以持續(xù)擴大采購機臺,這也進一步推動三大原廠堅守存儲器價格今年漲勢。
進入第三季,集邦咨詢6月底發(fā)布的最新研報認為,由于通用型服務(wù)器(General Server)需求復(fù)蘇,加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進一步拉高,使供應(yīng)商將延續(xù)漲價態(tài)度,預(yù)計第三季DRAM均價將持續(xù)上揚,DRAM價格漲幅達8~13%。