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近日，elexcon2024和PCIM Asia兩大盛會(huì)齊聚深圳，眾多存儲(chǔ)和第三代半導(dǎo)體廠商聚集，紛紛展出最新產(chǎn)品技術(shù)，引起行業(yè)駐足，一起看看兩大展會(huì)有何亮點(diǎn)吧。
elexcon2024超20家存儲(chǔ)廠商亮相
本次備受矚目的存儲(chǔ)器廠商超20家，涉及時(shí)創(chuàng)意、康盈半導(dǎo)體、銓興科技、康芯威、紫光國(guó)芯、?？荡鎯?chǔ)、長(zhǎng)江萬(wàn)潤(rùn)半導(dǎo)體、普冉股份、宇瞻科技、東芯半導(dǎo)體、喻芯半導(dǎo)體、威剛科技等等，產(chǎn)品系列包括SSD/LPDDR/DDR/eMMC等。
兆易創(chuàng)新的核心產(chǎn)品線(xiàn)為存儲(chǔ)器(Flash、利基型DRAM)、32位通用型MCU、智能人機(jī)交互傳感器、模擬產(chǎn)品及整體解決方案。
存儲(chǔ)領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新SPI NOR Flash累計(jì)出貨量超237億顆，提供512Kb到2Gb的容量范圍，支持1.2V、1.8V、3V、1.65~3.6V以及1.8V VCC&1.2V VIO多種供電類(lèi)型，并針對(duì)不同市場(chǎng)應(yīng)用需求分別提供高性能、低功耗、高可靠性、小封裝等多個(gè)產(chǎn)品系列。其中，GD25/55X和GD25/55LX系列符合JEDECxSPI標(biāo)準(zhǔn)，數(shù)據(jù)吞吐量達(dá)400MB/s，適合用于車(chē)載、物聯(lián)網(wǎng)和其他需要將大容量代碼快速讀取、保證系統(tǒng)上電后即時(shí)響應(yīng)的應(yīng)用。并且GD25/55全系列產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q100車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證。
NAND Flash，采用了38nm和24nm的成熟工藝節(jié)點(diǎn)，提供從1Gb至16Gb的主流容量產(chǎn)品，支持1.8V和3V電壓，為需要大容量、高可靠性代碼存儲(chǔ)的嵌入式應(yīng)用提供了完善的解決方案。目前，GS5F全系列SPI NAND Flash均已通過(guò)AEC-Q100車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證。
兆易創(chuàng)新利基型DRAM產(chǎn)品，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，推出了DDR3L、DDR4不同容量、不同工作溫度范圍的系列產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新于2021年6月推出了首額4Gb DDR4產(chǎn)品GDQ28FAA系列，標(biāo)志著正式公司邁入利基型DRAM市場(chǎng)。
銓興科技
銓興科技此次向外展示了最新研發(fā)的AI訓(xùn)推一體機(jī)LLM本地化部署解決方案以及一系列中高端存儲(chǔ)產(chǎn)品。
銓興科技展示的高端存儲(chǔ)產(chǎn)品，涵蓋消費(fèi)級(jí)、工規(guī)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)、企業(yè)級(jí)在內(nèi)。企業(yè)級(jí)產(chǎn)品包括U.2 PCle 5.0 QLC SSD、ES33H01 U.3 NVMe SSD、DRR4 R-DIMM。其中，ES33H01 U.3 NVMe SSD產(chǎn)品，支持業(yè)界最新U.3接口，可完全向后兼容U.2插槽，采用PCle Gen 4和NVMe 1.4，最高可實(shí)現(xiàn)7400/6900 MB/s的順序讀寫(xiě)和1750K/480K IOPS的隨機(jī)讀寫(xiě)，為數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供高性能、低延遲、高可靠。
AI產(chǎn)品方面，銓興AI訓(xùn)推一體機(jī)主要由銓興添翼AI擴(kuò)容卡、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)、服務(wù)器內(nèi)存等核心組件組成，包括銓興添翼AI擴(kuò)容卡、DDR5 R-DIMM、SATA/NVMe eSSD等。此方案可顯著降低大模型訓(xùn)練的門(mén)檻，實(shí)現(xiàn)70B-180B超大模型、高精度、全參微調(diào)，對(duì)Llama、Mistral、千問(wèn)、智普等主流開(kāi)源大模型實(shí)現(xiàn)了完美支持，成本不到100萬(wàn)元，節(jié)省超85%，大幅降低大模型的微調(diào)成本。銓興科技透露，目前已經(jīng)與多家國(guó)產(chǎn)CPU、國(guó)產(chǎn)GPU、軟件服務(wù)商、AI服務(wù)器整機(jī)廠商、廈門(mén)大學(xué)等高校以及政府部門(mén)建立了合作關(guān)系，共同推動(dòng)AI技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。
康盈半導(dǎo)體
康盈半導(dǎo)體在此次展會(huì)以“向芯而行，智儲(chǔ)無(wú)界”為主題，發(fā)布2024自研存儲(chǔ)新產(chǎn)品，3大自研新品分別是，星河之芯小精靈——自研主控eMMC嵌入式存儲(chǔ)芯片、速影之芯小木星——自研主控microSD移動(dòng)存儲(chǔ)卡、隨存之芯小金剛PSSD——便攜式磁吸移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)。
據(jù)介紹，星河之芯小精靈eMMC，采用自主研發(fā)的eMMC主控芯片，兼容各主流平臺(tái)，多容量選擇，4GB至256GB，支持更多場(chǎng)景應(yīng)用；速影之芯小木星microSD，采用自主研發(fā)的主控解決方案，支持DDR200模式，極速讀寫(xiě)，搭載先進(jìn)的S.M.A.R.T.功能，容量包含32GB-1TB多種選擇；隨存之芯小金剛PSSD，最高讀取速度高達(dá)2000MB/s，最高寫(xiě)入速度高達(dá)1800MB/s，具有磁性吸附功能，支持ProRes視頻錄制，實(shí)現(xiàn)隨拍隨存。
目前，康盈半導(dǎo)體在嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品線(xiàn)工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品陣營(yíng)日趨壯大，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于智能終端、智能穿戴、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)通信、工控設(shè)備、車(chē)載電子、智慧安防、智慧醫(yī)療等領(lǐng)域。
東芯半導(dǎo)體
本次elexcon2024展會(huì)上，東芯半導(dǎo)體展示了全系列包含NAND、NOR、DRAM，以及MCP產(chǎn)品。
其中，東芯半導(dǎo)體SLC NAND Flash主要分為SPI NAND、PPI NAND。該類(lèi)產(chǎn)品聚焦平面型SLC NAND Flash的設(shè)計(jì)與研發(fā)，主要產(chǎn)品采用浮柵型工藝結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)容量覆蓋512Mb至32Gb，可靈活選擇SPI或PPI類(lèi)型接口，搭配3.3V/1.8V兩種電壓，可滿(mǎn)足客戶(hù)在不同應(yīng)用領(lǐng)域及應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
NOR Flash存儲(chǔ)容量覆蓋64Mb至1Gb，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、DTR傳輸模式和多種封裝方式。普遍應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、可穿戴設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域。
DRAM方面，目前主要是DDR3(L）和LPPDDR1/2/4X。其中LPPDDR1/2/4X系列產(chǎn)品具有低功耗和高傳輸速度等特點(diǎn)，最大時(shí)鐘頻率可達(dá)2133MHz，適用于智能終端、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品。
時(shí)創(chuàng)意
本次時(shí)創(chuàng)意展示了以UFS 3.1、LPDDR5、eMMC5.1、ePOP為代表的高性能嵌入式存儲(chǔ)芯片及應(yīng)用案例。
其中，時(shí)創(chuàng)意的UFS3.1針對(duì)AI及旗艦智能手機(jī)，時(shí)創(chuàng)意全面量產(chǎn)512GB UFS3.1高性能嵌入式閃存芯片，順序讀寫(xiě)速度分別高達(dá)2100MB/s、1700MB/s，理論帶寬達(dá)2.9GB/s，尺寸僅為11.5×13.0×1.0mm，具有高速率、穩(wěn)定兼容、耐用可靠等特點(diǎn)；LPDDR5傳輸速率6400Mbps，帶寬高達(dá)51GB/s，工作電壓低至0.5V，相較LPDDR4/4X整體性能提升50%、功耗降低達(dá)30%，兼?zhèn)涓咝阅芘c低功耗優(yōu)勢(shì)；eMMC5.1基于時(shí)創(chuàng)意自研固件算法，順序讀取、寫(xiě)入速度分別高達(dá)320MB/s、200MB/s，256GB大容量存儲(chǔ)，具有體積小、高集成度、高可靠性等特點(diǎn)。
據(jù)悉，時(shí)創(chuàng)意還帶來(lái)了新產(chǎn)品SSP24 Pro移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)，該產(chǎn)品基于3D TLC NAND顆粒，支持USB 3.2 Gen2x2高速傳輸標(biāo)準(zhǔn)，順序讀寫(xiě)速度高達(dá)2000MB/S、1800MB/S、3.5倍于普通固態(tài)移動(dòng)硬盤(pán)的傳輸速度，可以滿(mǎn)足高速存儲(chǔ)和大型文件傳輸?shù)热蝿?wù)，極大節(jié)省加載時(shí)間。該產(chǎn)品重量70g，支持Windows/Mac OS/OS/Linux等主流系統(tǒng)，采用可正反盲插的Type一C接口，隨配雙Type-C數(shù)據(jù)線(xiàn)，可連接手機(jī)、iPad Pro、電腦、游戲機(jī)、相機(jī)等。
紫光國(guó)芯
紫光國(guó)芯在elexcon2024深圳國(guó)際電子展上，帶來(lái)了多款前沿產(chǎn)品和創(chuàng)新方案，面向汽車(chē)電子、人工智能、高性能計(jì)算、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。
內(nèi)存方面，紫光國(guó)芯的新一代車(chē)規(guī)級(jí)低功耗動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器LPDDR4/LPDDR4X等多款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高可靠車(chē)規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)品和解決方案，可應(yīng)用于激光雷達(dá)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)終端、抬頭顯示、液晶儀表、車(chē)輛動(dòng)態(tài)控制系統(tǒng)、行車(chē)記錄儀、駕駛員監(jiān)測(cè)系統(tǒng)等汽車(chē)電子控制系統(tǒng)領(lǐng)域。此次，紫光國(guó)芯帶來(lái)的LPDDR4 DRAM（第四代低功耗同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），主要為滿(mǎn)足智能網(wǎng)聯(lián)化對(duì)車(chē)載電子系統(tǒng)的性能和可靠性要求而設(shè)計(jì)。目前，該產(chǎn)品已通過(guò)研發(fā)驗(yàn)證及AEC-Q100可靠性認(rèn)證，處于量產(chǎn)階段。
存儲(chǔ)SSD產(chǎn)品方面，紫光國(guó)芯展出了面向行業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā)的高端SSD產(chǎn)品「CTD700」、「BTD300」和「ATK110」，以及面向消費(fèi)市場(chǎng)的國(guó)潮SSD產(chǎn)品「T5-新紀(jì)」。
模組產(chǎn)品方面，紫光國(guó)芯展出了RDIMM和U/SO-DIMM等產(chǎn)品，公司全系列模組產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、PC等主流市場(chǎng)以及網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制等利基市場(chǎng)。據(jù)悉，紫光國(guó)芯開(kāi)發(fā)的新一代DDR5 RDIMM在容量、功耗、總線(xiàn)效率等方面有顯著提升，速率可達(dá)5600Mbps，滿(mǎn)足了企業(yè)級(jí)應(yīng)用在性能和質(zhì)量方面的更高要求，可為國(guó)產(chǎn)CPU平臺(tái)以及英特爾第5代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器Emerald Rapids等平臺(tái)提供內(nèi)存解決方案。
德明利
此次德明利展示了嵌入式存儲(chǔ)系列、固態(tài)硬盤(pán)存儲(chǔ)系列、內(nèi)存條存儲(chǔ)系列、移動(dòng)存儲(chǔ)系列，包括PCIE GEN5、LPDDR5/4X、LPCAMM2等新品在內(nèi)。
其中，德明利M.2 2280 PCle Gen5.0x4 NVMe SSD，采用PCIe 5.0接口，具備8通道主控和外置DRAM，可實(shí)現(xiàn)接近15GB/s的極速讀取，并引入了NVMe 2.0協(xié)議以及SLC緩存技術(shù)，可確保設(shè)備處理高分辨率圖形和復(fù)雜場(chǎng)景時(shí)，增強(qiáng)玩家的沉浸式體驗(yàn)，同時(shí)保持設(shè)備的便攜性和電池續(xù)航；LPCAMM2專(zhuān)為高性能計(jì)算、AI處理、超薄筆記本和移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)，數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)到7500Mbps，運(yùn)行功耗降低58%，待機(jī)功耗降低80%，通過(guò)模塊化設(shè)計(jì)減少60%空間；LPDDR5/LPDDR4X嵌入式存儲(chǔ)，速率可達(dá)6400Mbps，穩(wěn)定傳輸速度可達(dá)4266Mbps，容量2GB-8GB。
?？荡鎯?chǔ)
?？荡鎯?chǔ)帶來(lái)了旗下的消費(fèi)級(jí)和行業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品，以嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)為核心，展示的產(chǎn)品主要面向服務(wù)器、車(chē)載應(yīng)用、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
目前，海康存儲(chǔ)嵌入式存儲(chǔ)已經(jīng)覆蓋eMMC、LPDDR、DDR4、SPI NAND、Parallel NAND等產(chǎn)品系列，滿(mǎn)足電力、網(wǎng)通、交通、移動(dòng)終端、智能家居等細(xì)分市場(chǎng)的需求。
車(chē)載存儲(chǔ)方面，?？荡鎯?chǔ)車(chē)規(guī)級(jí)eMMC支持eMMC 5.1數(shù)據(jù)傳輸模式，具有高可靠性、高PE、高性能的特點(diǎn)，能確保在-40℃~105℃的極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，同時(shí)提供40GB/80GB/128GB多種容量選擇；車(chē)載專(zhuān)用固態(tài)硬盤(pán)CZS01系列采用高品質(zhì)3D NAND Flash顆粒和自主研發(fā)的固件，確保視頻數(shù)據(jù)寫(xiě)入流暢穩(wěn)定，-25°C~85°C的工作溫度范圍可輕松應(yīng)對(duì)四季用車(chē)場(chǎng)景；車(chē)規(guī)級(jí)固態(tài)USB閃存盤(pán)HD200采用一體封裝技術(shù)，符合車(chē)規(guī)Grade3溫度標(biāo)準(zhǔn)，支持OTA在線(xiàn)升級(jí)以及項(xiàng)目深度定制，已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，并與多家國(guó)內(nèi)一線(xiàn)新能源汽車(chē)品牌達(dá)成合作。
金泰克
金泰克在展會(huì)上展示了其渠道全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品，包括DDR內(nèi)存和SSD固態(tài)硬盤(pán)兩大類(lèi)，覆蓋消費(fèi)類(lèi)、工控級(jí)及針對(duì)中小型企業(yè)的KT-B900系列。
消費(fèi)類(lèi)存儲(chǔ)產(chǎn)品，從前瞻性的產(chǎn)品如"戰(zhàn)虎G5"內(nèi)存，頻率高達(dá)8000MHz，以及"戰(zhàn)虎G7000"固態(tài)硬盤(pán)，讀速高達(dá)7000MB/s，為大型3A游戲和專(zhuān)業(yè)創(chuàng)作提供流暢體驗(yàn)，到性?xún)r(jià)比極高的"速虎武曲星"和"速虎白月光"內(nèi)存，均能滿(mǎn)足不同用戶(hù)的需求。
工控級(jí)產(chǎn)品，包括DDR5、DDR4、DDR3內(nèi)存和PCIE3.0、PCIE4.0，以穩(wěn)定性和可靠性著稱(chēng)，適應(yīng)嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境，廣受市場(chǎng)好評(píng)。
KT-B900系列，專(zhuān)為中小型企業(yè)設(shè)計(jì)，提供高效穩(wěn)定的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案，優(yōu)化數(shù)據(jù)處理流程，提升工作效率。
喻芯半導(dǎo)體
喻芯半導(dǎo)體展出了多款存儲(chǔ)產(chǎn)品，包括高性能的基于長(zhǎng)存最新3D NAND的嵌入式存儲(chǔ)eMMC、SPI NAND、內(nèi)存顆粒DDR3L/DDR4/LPDDR4x、閃存顆粒Raw NAND、高速閃存卡micro SD，消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)SATA/mSATA/M.2 SSD、PCIe3.0/4.0 SSD等以及各種存儲(chǔ)解決方案。
喻芯半導(dǎo)體指出，使用搭載了喻芯最新F800系列SSD產(chǎn)品（PCIe4.0 X4）的PC電腦進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)跑分實(shí)測(cè)，并與觀眾進(jìn)行了最新款3A大制作游戲《黑神話(huà)·悟空》火熱互動(dòng)和體驗(yàn)，游戲畫(huà)面流暢、性能優(yōu)異、SSD讀寫(xiě)速度超過(guò)7000MB/s，跑分系統(tǒng)實(shí)測(cè)喻芯F800系列SSD的性能行業(yè)領(lǐng)先。
康芯威
康芯威全面展示自主研發(fā)的嵌入式存儲(chǔ)芯片，包括eMMC5.1產(chǎn)品。該產(chǎn)品支持目前規(guī)范高的HS400標(biāo)準(zhǔn)，在固件中加入斷電保護(hù)、壞塊監(jiān)測(cè)等算法，大大提高了產(chǎn)品可靠性，采用更為先進(jìn)的LDPC糾錯(cuò)算法，容錯(cuò)率相較傳統(tǒng)算法提升三倍以上，可全方位覆蓋4~256GB容量的產(chǎn)品以及2D/3D閃存。
康芯威銷(xiāo)售副總蘇俊杰表示，隨著AI手機(jī)、AIPC、AI服務(wù)器需求迅速增長(zhǎng)，以及智能電視、機(jī)頂盒等市場(chǎng)逐漸復(fù)蘇，存儲(chǔ)芯片需求將會(huì)增加?？敌就劢褂谇度胧酱鎯?chǔ)領(lǐng)域，正逐漸實(shí)現(xiàn)全領(lǐng)域布局。其中，eMMC存儲(chǔ)器在消費(fèi)電子、工控、車(chē)載等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)，產(chǎn)品進(jìn)入中興、九聯(lián)、海信、康佳、星網(wǎng)銳捷、浪潮、保隆汽車(chē)等品牌供應(yīng)鏈，累計(jì)銷(xiāo)量超過(guò)5000萬(wàn)顆（數(shù)據(jù)截止至2024年7月）。
長(zhǎng)江萬(wàn)潤(rùn)半導(dǎo)體
長(zhǎng)江萬(wàn)潤(rùn)半導(dǎo)體帶來(lái)了SSD、PSSD、eMMC、DDR、LPDDR等產(chǎn)品，包括2100MB/s讀速的PSSD移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)，高集成度小體積封裝BGA SSD和高性能嵌入式eMMC，以及5600MHz高頻UDIMM、SODIMM系列產(chǎn)品。
其中，長(zhǎng)江萬(wàn)潤(rùn)半導(dǎo)體PCIe Gen4×4 SSD固態(tài)硬盤(pán)MC7000，采用的是原廠自封GOOD Die顆粒和行業(yè)主流存儲(chǔ)控制器。MC7000 SSD隨機(jī)性能（IOPS）1088K，閃存接口速率超過(guò)2400MB/s，讀速度高達(dá)7400MB/s，不僅可以加快數(shù)據(jù)傳輸速率、減少延遲，從而實(shí)現(xiàn)更高的性能、更快的數(shù)據(jù)訪問(wèn)和增強(qiáng)的數(shù)據(jù)可靠性，可以滿(mǎn)足AI和大語(yǔ)言模型、云端的服務(wù)器等場(chǎng)景。
據(jù)了解，長(zhǎng)江萬(wàn)潤(rùn)半導(dǎo)體的UDIMM、SODIMM系列產(chǎn)品，采用原廠顆粒，有多種頻率和容量可選，兼容市面主流操作系統(tǒng)，為游戲發(fā)燒友和電競(jìng)玩家提供高效、可靠的內(nèi)存運(yùn)行支撐，縮短加載時(shí)間，同時(shí)確保游戲畫(huà)面和并行計(jì)算任務(wù)的流暢執(zhí)行，可顯著提升電腦性能和運(yùn)行效率。
朗科科技
此次展會(huì)，朗科科技展示了SSD、DDR內(nèi)存、移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)、閃存盤(pán)、存儲(chǔ)卡等多個(gè)品類(lèi)產(chǎn)品，覆蓋日常辦公、娛樂(lè)游戲、差旅出行等眾多應(yīng)用場(chǎng)景。其中，絕影NV7000、絕影RGB內(nèi)存、Z2S移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)等明星產(chǎn)品備受關(guān)注。
朗科科技的NV7000絕影系列固態(tài)硬盤(pán)，容量是2TB，采用M.2 2280規(guī)格，使用M.2 Socket 3接口，傳輸模式PCIe 4.0x4，支持NVMe協(xié)議。由于自帶散熱馬甲的關(guān)系，整體厚度達(dá)到了11.25mm。
而Z2S移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)具備近乎5倍移動(dòng)硬盤(pán)的傳輸速度，1G電影文件，大概2-3秒就能傳輸完畢，極大提升工作娛樂(lè)效率。支持電腦手機(jī)多設(shè)備直連，玻璃鏡面機(jī)身，輕便易攜。
普冉股份
普冉股份展示了其在存儲(chǔ)器和MCU及模擬等領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品成果。普冉股份主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大非易失性存儲(chǔ)器芯片、微控制器芯片及模擬產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、智能手機(jī)及周邊、可穿戴、服務(wù)器、光模塊、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、安防等領(lǐng)域。
EEPROM方面，目前，普冉股份EEPROM產(chǎn)品全系列全容量均已完成AEC-Q100車(chē)規(guī)認(rèn)證，廣泛應(yīng)用于車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、駕駛輔助系統(tǒng)、數(shù)字儀表盤(pán)等多個(gè)領(lǐng)域。
NOR Flash方面，主要分為SPI NOR Flash、車(chē)規(guī)級(jí)Flash兩個(gè)系列。其中普冉股份全容量（4Mbit~1Gbit）的ETOX NOR Flash產(chǎn)品系列已經(jīng)通過(guò)AEC-Q100車(chē)規(guī)認(rèn)證。
宇瞻科技
宇瞻科技產(chǎn)品線(xiàn)包含存儲(chǔ)器模塊、工業(yè)用固態(tài)盤(pán)及消費(fèi)性電子產(chǎn)品。其中，存儲(chǔ)器模塊分為工業(yè)用DRAM、消費(fèi)性DRAM，前者面向工業(yè)臺(tái)式機(jī)專(zhuān)用，工業(yè)筆記本電腦專(zhuān)用，服務(wù)器專(zhuān)用，后者面向電競(jìng)，超頻，臺(tái)式機(jī)專(zhuān)用，筆記本電腦專(zhuān)用。
本次展會(huì)，宇瞻科技帶來(lái)了應(yīng)用于AI PC方面、以及其他應(yīng)用于消費(fèi)端、工控等的存儲(chǔ)解決方案。據(jù)相關(guān)負(fù)責(zé)人指出，應(yīng)用于AI PC的的存儲(chǔ)方案包括48GB DDR5 UDIMN、48GB DDR5 SODIMM、PDDRSX CAMM2、Anti-Sulfuration DDR5 SODlMN等。
SSD解決方案包括兩款不同功能的PH160-M280、以及PT160-25。此外，宇瞻科技還展示了其云系列SSD，旨在面向監(jiān)控和遠(yuǎn)程管理物聯(lián)網(wǎng)邊緣設(shè)備網(wǎng)絡(luò)的典型痛點(diǎn)。
PCIM Asia匯聚超30家三代半企業(yè)
本屆PCIM Asia匯聚了超30家第三代半導(dǎo)體企業(yè)，安森美、三菱電機(jī)、英飛凌、羅姆、賽米控丹佛斯、中國(guó)中車(chē)、博世、芯聯(lián)集成、安世半導(dǎo)體、士蘭微等齊聚一堂，展出的新產(chǎn)品、新技術(shù)覆蓋新能源汽車(chē)、充電樁、工業(yè)控制光伏和風(fēng)電、消費(fèi)電子、家電、通信等熱門(mén)應(yīng)用領(lǐng)域。
安森美onsemi
為應(yīng)對(duì)主驅(qū)逆變器高功率的需求，onsemi推出了高功率SiC B2S模塊，該模塊采用了塑封半橋工藝，具備低雜散電感和高可靠性特性。據(jù)悉，該模塊集成了最新的M3 SiC技術(shù)，并通過(guò)先進(jìn)的銀燒結(jié)實(shí)現(xiàn)了低熱阻和高性能。
另外，onsemi還在現(xiàn)場(chǎng)展示了采用了新的場(chǎng)截止第7代(FS7)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊(IPM)。據(jù)悉，SPM31 IPM能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而總體系統(tǒng)成本更低。
羅姆ROHM
PCIM現(xiàn)場(chǎng)，羅姆首次展出其今年最新發(fā)布的適用于車(chē)載引逆變器的新型二合一SiC功率模塊（TRCDRIVE pack）。
據(jù)羅姆(ROHM)半導(dǎo)體(上海)有限公司深圳分公司技術(shù)中心高級(jí)經(jīng)理蘇勇錦表示，TRCDRIVE packTM產(chǎn)品主要特點(diǎn)是小型化、高功率，具備四大優(yōu)勢(shì)：一、該系列內(nèi)置第四代SiC MOSFET，采用了溝槽工藝，達(dá)到業(yè)界超低的單位面積導(dǎo)通電阻；二、產(chǎn)品優(yōu)化了基板的布局，可以做到低寄生電感，開(kāi)關(guān)損耗比傳統(tǒng)的模塊降低一個(gè)等級(jí)；三、模塊采用了press fit pin和塑封工藝結(jié)合，小型化水平做到更低，實(shí)現(xiàn)了普通SiC封裝模塊1.5倍的業(yè)界超高密度；四、這款二合一的SiC模塊系列產(chǎn)品陣容，分為兩個(gè)耐壓級(jí)別：一個(gè)是750V，另外一個(gè)是1200V，分別對(duì)應(yīng)400V電壓平臺(tái)和800V的電壓平臺(tái)。滿(mǎn)足大功率輸出應(yīng)用場(chǎng)景，助力xEV逆變器小型化發(fā)展趨勢(shì)。
8英寸SiC時(shí)代奔涌而來(lái)，現(xiàn)場(chǎng)羅姆還展示了其8英寸SiC Wafer和8英寸SiC襯底工藝。蘇勇錦表示，2025年，羅姆第五代SiC MOSFET將會(huì)在8英寸SiC晶圓上量產(chǎn)。而在SiC器件開(kāi)發(fā)商，2025年羅姆也將推出推出第5代SiC MOSFET，同時(shí)其第6代及第7代產(chǎn)品的市場(chǎng)投入計(jì)劃也將同步實(shí)施。
另外，現(xiàn)場(chǎng)羅姆的重要合作伙伴海姆?？埔舱故玖瞬捎昧_姆SiC裸片封裝的各種功率模塊。羅姆表示，供應(yīng)鏈上的不同廠商擁有各自的優(yōu)勢(shì)，與下游伙伴的密切合作可以使羅姆的碳化硅產(chǎn)品觸達(dá)更多用戶(hù)，覆蓋更大的市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)多贏。
三菱電機(jī)
三菱電機(jī)在本次PCIM中設(shè)置了電動(dòng)汽車(chē)展區(qū)，其中特別展示了電動(dòng)汽車(chē)用8英寸SiC晶圓以及電動(dòng)汽車(chē)用J3系列EV T-PM。另外，現(xiàn)場(chǎng)我們還看到了其J3系列SiC EV T-PM、新型3.3kV Unifull系列SiC-MOSFET模塊、工業(yè)用NX封裝全SiC-MOSFET模塊重磅產(chǎn)品。
據(jù)悉，8英寸SiC晶圓是三菱電機(jī)制造戰(zhàn)略中的關(guān)鍵舉措之一。為積極開(kāi)展產(chǎn)能建設(shè)，促進(jìn)實(shí)現(xiàn)中期增長(zhǎng)，三菱電機(jī)計(jì)劃以翻番的投資數(shù)額用以建造8英寸SiC晶圓工廠以及相關(guān)設(shè)施，同時(shí)加強(qiáng)行業(yè)垂直合作，共同開(kāi)發(fā)高質(zhì)量8英寸SiC襯底。通過(guò)穩(wěn)定供應(yīng)SiC功率半導(dǎo)體，以滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)等市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的需求。
官方消息顯示，繼3.3kV/185A、3.3kV/375A和3.3kV/750A全碳化硅模塊之后，三菱電機(jī)新開(kāi)發(fā)的Unifull系列SBD嵌入式SiC MOSFET模塊，規(guī)格為3.3kV/200A、3.3kV/400A和3.3kV/800A。新型模塊采用SiC MOSFET&SBD一體化芯片和LV100封裝，將有助于提高鐵路牽引系統(tǒng)、電力系統(tǒng)及大型工業(yè)變流系統(tǒng)的功率密度、效率和可靠性；另外，其工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊，額定電壓為1200V和1700V，額定電流為600A。該模塊采用了JFET摻雜技術(shù)的第二代SiC芯片，具有低損耗特性。與現(xiàn)有Si IGBT模塊相比，功率損耗降低約72%。新模塊采用了優(yōu)化的疊層結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了9nH的內(nèi)部雜散電感，與現(xiàn)有的Si IGBT模塊相比，內(nèi)部雜散電感減少約47%。
英飛凌
英飛凌展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)展出了多款CoolSiCTM碳化硅系列產(chǎn)品新品，包括：1200V增強(qiáng)型CoolSiCTMMOSFET EasyDUALTM3半橋模塊、采用2000V CoolSiCTMM1H芯片的62mm半橋模塊、1200V CoolSiCTMMOSFET EasyDUALTM3B半橋模塊等。
官方資料顯示，英飛凌全新的CoolSiCTMMOSFET 650V和1200V Generation 2技術(shù)，與上一代產(chǎn)品相比，在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，MOSFET的主要性能指標(biāo)（e.g.能量損耗和存儲(chǔ)電荷）優(yōu)化了20%。結(jié)合先進(jìn)的.XT封裝技術(shù)，使芯片的瞬態(tài)熱阻降低了25%甚至更高，使用壽命延長(zhǎng)了80%，進(jìn)一步提升了基于CoolSiCTMG2的設(shè)計(jì)潛力，從而實(shí)現(xiàn)更高效率、更低功耗。
現(xiàn)場(chǎng)我們還看到了英飛凌面向汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域的一大新技術(shù)——HybridPACKTMDrive G2 Fusion模塊和Chip Embedding功率器件。其中HybridPACKTMDrive G2 Fusion模塊融合了IGBT和SiC芯片，在有效減少SiC模塊成本的情況下同時(shí)顯著提升了模塊的應(yīng)用效率，而Chip Embedding則可以直接集成在PCB板中，做到極致小的雜散和極致高集成度的融合。
除了碳化硅相關(guān)產(chǎn)品，英飛凌還展出了其業(yè)內(nèi)首家雙向開(kāi)關(guān)概念器件產(chǎn)品——650V雙向開(kāi)關(guān)(BDS)氮化鎵產(chǎn)品。在拓?fù)涞葢?yīng)用領(lǐng)域，通過(guò)一顆CoolGaNTMBDS就可以實(shí)現(xiàn)之前四顆芯片才能完成的功能，簡(jiǎn)化客戶(hù)傳統(tǒng)的雙邊開(kāi)關(guān)復(fù)雜電路設(shè)計(jì)，大幅提升性能和優(yōu)化成本。
博世
PCIM現(xiàn)場(chǎng)，博世展出了其明星碳化硅產(chǎn)品系列，包括第二代碳化硅MOSFET裸片、先進(jìn)模塊、電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等。博世表示，能夠根據(jù)整車(chē)廠、一級(jí)供應(yīng)商和分銷(xiāo)商對(duì)于芯片布局、電氣性能和工藝方面的需求靈活定制SiC芯片。
賽米控丹佛斯
本次展會(huì)，賽米控丹佛斯帶來(lái)兩大新品，SEMITRANS 20和SKiiP 4 SiC，配備多源采購(gòu)的2kV SiC芯片。其中SEMITRANS 20實(shí)現(xiàn)了靈活的轉(zhuǎn)換器的開(kāi)發(fā)，而SKiiP 4 SiC則集成了功率模塊、驅(qū)動(dòng)器、電流傳感器和散熱器。據(jù)悉，通過(guò)兩個(gè)功率模塊平臺(tái)產(chǎn)品eMPack和DCM，他們可以為乘用車(chē)和商用車(chē)逆變器提供從100kW到750kW的高度可擴(kuò)展解決方案。
芯聯(lián)集成
芯聯(lián)集成在本次PCIM大會(huì)中展出了許多新品。聚焦新能源汽車(chē)市場(chǎng)，芯聯(lián)集成針對(duì)主驅(qū)逆變推出了750V 400A-1000A，1200V 500A-900A碳化硅功率模塊，功率范圍覆蓋150kW-300 kW。最新的平面柵SiC MOSFET芯片效率提升至99%，多款塑封和灌膠模組產(chǎn)品已量產(chǎn)，溝槽柵SiC MOSFET平臺(tái)預(yù)計(jì)2025年推出。
除了展示IGBT晶圓產(chǎn)品外，芯聯(lián)集成也在本次展會(huì)中展出8英寸碳化硅晶圓樣品。官方資料顯示，今年4月，芯聯(lián)集成國(guó)內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始投片，并實(shí)現(xiàn)了工程批下線(xiàn)，明年將進(jìn)入量產(chǎn)階段。
中國(guó)中車(chē)
中國(guó)中車(chē)在本次展會(huì)中主要展出了高壓SiC模塊、新能源汽車(chē)用功率產(chǎn)品等一系列代表性功率器件，其中應(yīng)用中車(chē)溝槽柵技術(shù)的SiC MOSFET晶圓（1200V/10mΩ）首次展出，作為行業(yè)先進(jìn)的新能源汽車(chē)主驅(qū)用SiC MOSFET芯片，引起行業(yè)關(guān)注。
士蘭微
士蘭微現(xiàn)場(chǎng)展出了基于自主研發(fā)的SiC MOS芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)的SSM1R7PB12B3DTFM六單元拓?fù)淠K。該模塊適用于純電動(dòng)汽車(chē)等應(yīng)用，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和高電流密度等特性。芯片方面優(yōu)化完成低界面態(tài)密度和高溝道遷移率的SiC/SiO2氧化工藝研發(fā)，單芯片導(dǎo)通電阻達(dá)到甚至優(yōu)于國(guó)外同級(jí)別器件水平；封裝方面攻克納米銀燒結(jié)、銅線(xiàn)鍵合技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
安世半導(dǎo)體
本次展會(huì)中，安世安世半導(dǎo)體設(shè)置了寬禁帶半導(dǎo)體的解決方案展臺(tái)，主要展出了全新寬禁帶（WBG）功率FET、從SOT23到LFPAK56的專(zhuān)業(yè)封裝技術(shù)、硅晶圓技術(shù)、一站式技術(shù)服務(wù)等最新解決方案。
下載ECAD模型
