DDR3

DDR3是一種雙倍數(shù)據(jù)率三代同步動態(tài)存儲器技術(shù)，它是上一代DDR2的升級版本。DDR3內(nèi)存可以提供更快的速度、更低的能耗和更高的容量。

1.DDR3設(shè)計要點(diǎn)

DDR3內(nèi)存的設(shè)計主要考慮以下要點(diǎn)：

• 高速度：DDR3內(nèi)存的時鐘速度可以達(dá)到800 MHz至2133 MHz之間。
• 低功耗：DDR3內(nèi)存采用了低電壓（1.5V）工作模式，相比于DDR2降低了40%的功耗。
• 高帶寬：DDR3內(nèi)存具有更高的帶寬，相比于DDR2提高了近30%的帶寬。
• 大容量：DDR3內(nèi)存最大可支持8GB的單條內(nèi)存容量。

2.DDR3性能特點(diǎn)

與DDR2相比，DDR3具有以下主要的性能特點(diǎn)：

• 頻率更高：DDR3內(nèi)存可以以更高的頻率運(yùn)行，從而提供更快的讀寫速度和更高的帶寬。
• 更低的延遲：DDR3內(nèi)存通過改變和優(yōu)化其存儲器架構(gòu)，從而獲得更低的延遲。
• 更低的功耗：DDR3內(nèi)存采用了低電壓（1.5V）工作模式，從而比DDR2內(nèi)存降低了40%的功耗。

3.DDR3發(fā)展歷史

下面是DDR3發(fā)展的主要?dú)v程：

• 2005年11月：JEDEC制定了DDR3標(biāo)準(zhǔn)。
• 2007年：首批支持DDR3內(nèi)存的芯片組和處理器發(fā)布。
• 2008年：DDR3內(nèi)存開始商用。
• 2014年：DDR3內(nèi)存退出市場，取而代之的是DDR4內(nèi)存。