DDR3最后的漲聲？

作者：六千

不久前，有媒體報(bào)道三星和 SK 海力士最終將永久關(guān)閉各自的 DDR3 生產(chǎn)線，兩家韓國(guó)存儲(chǔ)制造商可能在今年下半年停止向市場(chǎng)供應(yīng) DDR3 內(nèi)存。隨后市場(chǎng)傳出DDR3產(chǎn)品漲價(jià)的消息。兩家公司做出這一改變的理由并不難理解，AI火熱的當(dāng)下，相關(guān)內(nèi)存供不應(yīng)求。為了利潤(rùn)率，搶占未來(lái)十年的市場(chǎng)，存儲(chǔ)巨頭們發(fā)力HBM和DDR5等產(chǎn)品也不難理解。

SK海力士的HBM供應(yīng)在2024年和2025年大部分時(shí)間都已售罄，這導(dǎo)致所有HBM（包括HBM2E、HBM3和HBM3E）內(nèi)存類型的價(jià)格明年預(yù)計(jì)上漲5%至10%。有媒體預(yù)測(cè)，到2025年，由于強(qiáng)烈的HBM需求，HBM市場(chǎng)份額將增加一倍以上，從2023年的2%增長(zhǎng)到2024年的5%，再到2025年的10%。值得一提的是，DDR5內(nèi)存也受到HBM需求的影響，據(jù)報(bào)道，其價(jià)格將上漲20%，因?yàn)榍叭蟠鎯?chǔ)制造商將生產(chǎn)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向HBM。至于服務(wù)器和個(gè)人電腦市場(chǎng)，早就不再使用DDR3了。

DDR3 真的垂暮了嗎？

DDR3于2007 年首次推出，已經(jīng)問(wèn)世17年。相對(duì)于 DDR2，DDR3 在邏輯 Bank 數(shù)量上，起步為 8 個(gè)且為未來(lái) 16 個(gè)做準(zhǔn)備（DDR2 只有 4Bank 和 8Bank 設(shè)計(jì)）。在封裝方面，引腳增加，有特定封裝規(guī)格且必須環(huán)保（8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝），與 DDR2 的多種封裝規(guī)格不同。在突發(fā)長(zhǎng)度上，預(yù)取為 8bit 導(dǎo)致突發(fā)傳輸周期固定為 8，還增加新模式且禁止突發(fā)中斷操作，比 DDR2 更靈活。在尋址時(shí)序上，CL 周期提升且范圍不同，附加延遲設(shè)計(jì)變化，還新增寫(xiě)入延遲參數(shù)，DDR2 的 CL 范圍與之不同。在新增功能上，具備重置功能可停止操作節(jié)約電力，以及新增 ZQ 校準(zhǔn)功能自動(dòng)校驗(yàn)相關(guān)電阻值，這是 DDR2 所沒(méi)有的。

對(duì)于內(nèi)存產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，迭代就像人類正常的新陳代謝。設(shè)計(jì)的進(jìn)步、工藝的突破讓產(chǎn)品的能耗越來(lái)越低，傳輸速度越來(lái)越快、存儲(chǔ)容量也越來(lái)越大。隨著DDR5的登場(chǎng)，DDR3是否真的要和時(shí)代說(shuō)再見(jiàn)了？

網(wǎng)絡(luò)通信、電視、監(jiān)控、機(jī)頂盒、工業(yè)、智慧家庭等領(lǐng)域，仍是廣泛應(yīng)用DDR3的場(chǎng)景。據(jù)中泰電子數(shù)據(jù)，2022/2021年，DDR3占DRAM比例為8%/8%，達(dá)75/74億美金。

DDR3用戶接口在設(shè)計(jì)與性能上展現(xiàn)出諸多顯著優(yōu)勢(shì)。相較前代產(chǎn)品，DDR3內(nèi)存模組在傳輸速率方面實(shí)現(xiàn)了大幅提升，從而顯著加快了數(shù)據(jù)的讀取和寫(xiě)入速度，有效滿足了多任務(wù)處理和大規(guī)模數(shù)據(jù)運(yùn)算的需求。同時(shí)，其低功耗特性顯著降低了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的能耗，進(jìn)一步提升了電池續(xù)航能力，為移動(dòng)設(shè)備用戶帶來(lái)了極大的便利。DDR3內(nèi)存模塊表現(xiàn)出高度的兼容性，可以適配臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦，服務(wù)器、工作站等設(shè)備上，確保系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性。這一廣泛的兼容性為用戶提供了更自由的選擇空間，無(wú)需擔(dān)心內(nèi)存模塊的兼容性問(wèn)題，從而大大減輕了用戶的困擾。

DDR3報(bào)價(jià)從2023年9月起陸續(xù)走揚(yáng)，DDR3 4Gb至11月累計(jì)漲幅近一成，DDR3 2Gb累計(jì)漲幅則有14%。

2023年年末之際，DDR3相關(guān)業(yè)者普遍持積極態(tài)度，對(duì)市況發(fā)展充滿信心。鈺創(chuàng)公司認(rèn)為，隨著庫(kù)存的逐步消化，行業(yè)已度過(guò)循環(huán)低谷，逐步邁向復(fù)蘇階段。晶豪科公司亦在推進(jìn)自車(chē)規(guī)用的利基型存儲(chǔ)產(chǎn)品，以滿足市場(chǎng)的多元化需求。供應(yīng)鏈透露，隨著產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)逾一年去庫(kù)存，近期終端消費(fèi)性電子訂單大增，帶動(dòng)DDR3芯片需求爆發(fā)，因應(yīng)客戶需求，華邦、鈺創(chuàng)向載板協(xié)力廠備貨量激增，晶豪科投片量也有上升趨勢(shì)，市況回溫以及價(jià)格反轉(zhuǎn)之際，業(yè)者都在備貨迎接盛況。

不難發(fā)現(xiàn)有相當(dāng)一部分半導(dǎo)體公司仍在DDR3市場(chǎng)上發(fā)力，主要關(guān)注的市場(chǎng)仍是物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。

華邦的DDR3定價(jià)在第二季度上漲了約 10%，主要是 2Gb 和 4GbDDR3報(bào)價(jià)。因此，華邦正全力以赴推進(jìn)DDR3規(guī)格DRAM市場(chǎng)的發(fā)展，位于高雄的工廠今年的產(chǎn)能已全面釋放，旨在抓住DDR3價(jià)格上漲這一有利的市場(chǎng)機(jī)遇。據(jù)預(yù)測(cè)，華邦今年DDR3產(chǎn)品所帶來(lái)的DRAM總收入貢獻(xiàn)有望達(dá)到五成，從而充分把握轉(zhuǎn)接訂單所帶來(lái)的豐富商業(yè)機(jī)會(huì)。隨著制程技術(shù)升級(jí)至DDR3階段，該公司已加大對(duì)DDR3產(chǎn)能建設(shè)的投入力度。高雄工廠引進(jìn)了先進(jìn)的20納米設(shè)備，產(chǎn)能正逐步釋放，未來(lái)有望成為華邦新制程DRAM產(chǎn)品的主要制造基地。

中國(guó)大陸市場(chǎng)上，兆易創(chuàng)新也擁有多款DDR3產(chǎn)品。根據(jù)公司官網(wǎng)，兆易創(chuàng)新的利基型DDR3L兼容1.5V/1.35V電壓供電，讀寫(xiě)速率為1866Mbps，最高可達(dá)2133Mbps，滿足主流應(yīng)用需求。兆易創(chuàng)新?lián)碛卸嗫罾虳DR3L產(chǎn)品， 能提供1Gb/2Gb/4Gb容量， x8/x16數(shù)據(jù)接口，適應(yīng)0 ~ 95℃ / -40 ~ 95℃ / -40 ~ 105℃ 不同溫度范圍的應(yīng)用場(chǎng)景。

5月17日，鈺創(chuàng)公司董事長(zhǎng)盧超群指出，當(dāng)前階段，市場(chǎng)正處于復(fù)蘇進(jìn)程之中，尤其在本年度上半年。鈺創(chuàng)公司的其DDR3系列產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入Wi-Fi 6及Wi-Fi 7市場(chǎng)。業(yè)界普遍預(yù)期，2024年下半年市場(chǎng)活力將顯著增強(qiáng)，預(yù)計(jì)到2025年，市場(chǎng)將保持持續(xù)增長(zhǎng)的強(qiáng)勁勢(shì)頭，整體DRAM價(jià)格有望恢復(fù)至疫情前水平。

DDR4的成熟期來(lái)了

正如所有產(chǎn)品一樣，DDR3終究會(huì)面臨市場(chǎng)的淘汰。

現(xiàn)實(shí)是，雖然DDR3價(jià)格開(kāi)始上漲，但其市場(chǎng)的玩家依舊在做“虧本生意”。南亞科技、華邦電子、精英半導(dǎo)體存儲(chǔ)器科技（ESMT）等中國(guó)臺(tái)灣存儲(chǔ)器公司在 2024 年第一季度仍處于虧損狀態(tài)。不過(guò)2024 年Q1的虧損有所收窄，ESMT的虧損（179 萬(wàn)美元）在環(huán)比和同比上都有所收窄。

內(nèi)存產(chǎn)品每?jī)傻饺昃蜁?huì)升級(jí)一次。由于全球重要內(nèi)存供應(yīng)商主要集中在 DDR5 或 HBM 內(nèi)存上，利基Dram制造商將在今年從 DDR4 獲得新的發(fā)展前景。DDR4 目前正接近上一個(gè)DDR3階段的過(guò)渡，預(yù)計(jì)將促進(jìn)價(jià)格和銷(xiāo)量的增長(zhǎng)。據(jù)相關(guān)廠商表示，預(yù)計(jì)DDR4的出貨量將大幅攀升，芯片平均售價(jià)也將大幅攀升。

這意味著DDR4將會(huì)接替DDR3現(xiàn)階段所在的利基市場(chǎng)。隨著三星、SK海力士停止生產(chǎn)DDR3，DDR3向 DDR4 的轉(zhuǎn)變已經(jīng)開(kāi)始，據(jù)報(bào)道中國(guó)臺(tái)灣內(nèi)存制造商將從 2024 年開(kāi)始優(yōu)先考慮 DDR4 以提高收入。出貨量和平均銷(xiāo)售價(jià)格 (ASP) 的結(jié)合將有助于他們今年的增長(zhǎng)。

一些中國(guó)臺(tái)灣的內(nèi)存制造商正在考慮擴(kuò)大產(chǎn)品范圍并開(kāi)發(fā) 2Gb DDR4 解決方案，以滿足客戶對(duì)更低密度和更低成本的需求。中國(guó)大陸廠商兆易創(chuàng)新也計(jì)劃推出 8Gb DDR4 和 LPDDR4 產(chǎn)品。

內(nèi)存市場(chǎng)下半場(chǎng)

后端廠商對(duì)自2024年第二季度起始的內(nèi)存行業(yè)訂單持有樂(lè)觀預(yù)期。為應(yīng)對(duì)內(nèi)存價(jià)格上揚(yáng)態(tài)勢(shì)，內(nèi)存芯片制造商計(jì)劃終止減產(chǎn)措施，并逐步提升產(chǎn)能利用率，以增強(qiáng)盈利能力。關(guān)于上游供應(yīng)增加對(duì)整體內(nèi)存市場(chǎng)的影響，目前尚待進(jìn)一步觀察。然而，據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士指出，內(nèi)存后端企業(yè)普遍預(yù)計(jì)訂單量將有所增長(zhǎng)。

市場(chǎng)顯示，在3D NAND領(lǐng)域的訂單增長(zhǎng)預(yù)期將尤為顯著，而DRAM領(lǐng)域的訂單增長(zhǎng)勢(shì)頭亦將從第二季度開(kāi)始顯現(xiàn)。據(jù)報(bào)道，SK海力士和美光科技已著手提升其產(chǎn)能利用率，特別是針對(duì)HBM和DDR5等高端DRAM產(chǎn)品（顯然是受AI帶動(dòng)的服務(wù)器領(lǐng)域增長(zhǎng)）。

同時(shí)，消息人士稱，第一季度存儲(chǔ)器行業(yè)整體的產(chǎn)能利用率已回升至80%以上水平，預(yù)計(jì)第二季度將進(jìn)一步升至90%以上。有媒體表示，主要NAND供應(yīng)商Kioxia亦將結(jié)束減產(chǎn)措施，其產(chǎn)能利用率亦將回升至90%以上。

供應(yīng)鏈制造商的積極備貨正推動(dòng)著內(nèi)存市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展，進(jìn)而促進(jìn)了內(nèi)存后端企業(yè)的銷(xiāo)售業(yè)績(jī)。多家中國(guó)臺(tái)灣后端公司的業(yè)績(jī)?cè)?月就出現(xiàn)了增長(zhǎng)。茂茂科技2月份綜合銷(xiāo)售額數(shù)據(jù)顯示，其銷(xiāo)售額達(dá)到新臺(tái)幣17.8億元（約合5,652萬(wàn)美元），同比增長(zhǎng)23.64%，環(huán)比增長(zhǎng)4%。ChipMOS亦表示，其在內(nèi)存領(lǐng)域的銷(xiāo)售額表現(xiàn)強(qiáng)勁，超越了顯示驅(qū)動(dòng)IC（DDI）領(lǐng)域的銷(xiāo)售表現(xiàn)。盡管客戶目前仍主要下達(dá)短期訂單，但預(yù)計(jì)第一季度的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)。力成科技發(fā)布的2月份合并銷(xiāo)售額數(shù)據(jù)顯示，其銷(xiāo)售額為新臺(tái)幣58.8億元，環(huán)比下降3.86%，但同比增長(zhǎng)12.6%。在2024年1至2月期間，其合并銷(xiāo)售額累計(jì)達(dá)到新臺(tái)幣119.9億元，同比增長(zhǎng)17.3%。

然而根據(jù)閃存市場(chǎng)的數(shù)據(jù)，最新一周渠道市場(chǎng)內(nèi)存條最新報(bào)價(jià)全面下跌，二季度過(guò)半，消費(fèi)類存儲(chǔ)需求持續(xù)遇冷。值得注意的是，HBM產(chǎn)品產(chǎn)量的持續(xù)增長(zhǎng)將會(huì)對(duì)DRAM產(chǎn)品供應(yīng)產(chǎn)生擠兌。HBM、DDR與LPDDR5X在制程上存在沖突，當(dāng)生產(chǎn)相同bit量的產(chǎn)品時(shí)，HBM3E所需的晶圓量大約是DDR5的兩至三倍。由于HBM的生產(chǎn)過(guò)程還涉及TSV封裝技術(shù)，這使得HBM的生產(chǎn)周期較DDR5增加1.5至2個(gè)月。

隨著更多產(chǎn)能傾斜至服務(wù)器市場(chǎng)，消費(fèi)類終端可能面臨存儲(chǔ)資源結(jié)構(gòu)性緊缺。在巨大的成本壓力之下，終端廠商可能會(huì)通過(guò)降低存儲(chǔ)配置來(lái)削減成本。2024的下半場(chǎng)，DDR3和DDR4這些老將或許仍有一戰(zhàn)的機(jī)會(huì)。