動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM），是一種基于電容器原理的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。與靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）相比，動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器具有較高的集成度和可靠性，被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存等領(lǐng)域。

1.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器原理

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)開(kāi)關(guān)管組成。當(dāng)電容器充電后，電荷被存儲(chǔ)在其中，表示數(shù)據(jù)“1”；反之則表示數(shù)據(jù)“0”。由于電容器會(huì)因?yàn)樽苑烹姸饾u失去電荷，因此需要通過(guò)定期刷新來(lái)更新數(shù)據(jù)，這也是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器與靜態(tài)存儲(chǔ)器的主要區(qū)別。

2.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器優(yōu)缺點(diǎn)

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器具有較高的集成度和低廉的價(jià)格，但同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。首先，由于需要定期刷新，其訪問(wèn)速度較慢；其次，易受外部干擾，會(huì)引起數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。不過(guò)，隨著制造工藝的進(jìn)步和技術(shù)的改進(jìn)，這些缺點(diǎn)正在逐漸減小。

3.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存、圖形處理器（GPU）以及其他需要高速數(shù)據(jù)傳輸和大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用中。隨著人工智能等新型應(yīng)用的興起，動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的需求量也在不斷增加。